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臺(tái)積電
臺(tái)積電 文章 進(jìn)入臺(tái)積電技術(shù)社區(qū)
UCIe IP 子系統(tǒng)支持 36G 芯片間數(shù)據(jù)速率
- Alphawave Semi 公司宣布其 UCIe IP 子系統(tǒng)在 TSMC N2 工藝上成功流片，支持 36G 芯片間數(shù)據(jù)傳輸速率。該 IP 與 TSMC 的 Chip-on-Wafer-on-Substrate (CoWoS)先進(jìn)封裝技術(shù)完全集成，為下一代芯片 let 架構(gòu)解鎖了突破性的帶寬密度和可擴(kuò)展性。這一里程碑，基于 Alphawave Semi 最近發(fā)布的 AI 平臺(tái)，展示了其支持未來(lái)異構(gòu) SoC 和擴(kuò)展超大規(guī)模 AI 和 HPC 工作負(fù)載的能力。通過(guò)這次流片，Alphawave Semi 成
- 關(guān)鍵字： 臺(tái)積電 N2
臺(tái)積電2nm良率曝光
- 在技術(shù)驅(qū)動(dòng)型產(chǎn)業(yè)中，半導(dǎo)體行業(yè)始終走在全球科技變革的最前沿。2024年，臺(tái)積電（TSMC）正式啟動(dòng)2nm制程（N2）試產(chǎn)，每片晶圓的代工報(bào)價(jià)高達(dá)3萬(wàn)美元，再次引發(fā)行業(yè)廣泛關(guān)注。最新數(shù)據(jù)顯示，得益于存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域的技術(shù)優(yōu)化，臺(tái)積電2nm制程自去年7月在新竹寶山晶圓廠風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)以來(lái)，良率從去年底的60%快速攀升至當(dāng)前的90%（256Mb SRAM）。從3nm節(jié)點(diǎn)的初期投產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)看，良率爬坡是一大挑戰(zhàn)。但憑借3nm節(jié)點(diǎn)200萬(wàn)片晶圓的量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)，將2nm工藝開(kāi)發(fā)周期壓縮至18個(gè)月，良率僅用9個(gè)月便從30%提升至60%，
- 關(guān)鍵字： 臺(tái)積電 2nm AI 蘋(píng)果 晶圓
臺(tái)積電可能對(duì)1.6nm工藝晶圓漲價(jià)5成
- 隨著臺(tái)積電準(zhǔn)備在今年晚些時(shí)候開(kāi)始采用其 N2（2nm 級(jí)）工藝技術(shù)制造芯片，關(guān)于 N2 晶圓定價(jià)以及后續(xù)節(jié)點(diǎn)定價(jià)的傳言已經(jīng)出現(xiàn)。我們已經(jīng)知道，據(jù)報(bào)道，臺(tái)積電計(jì)劃對(duì)使用其 N30,000 技術(shù)加工的晶圓收取高達(dá) 2 美元的費(fèi)用，但現(xiàn)在《中國(guó)時(shí)報(bào)》報(bào)道稱，該公司將對(duì)“更先進(jìn)的節(jié)點(diǎn)”收取每片晶圓高達(dá) 45,000 美元的費(fèi)用，據(jù)稱這指向該公司的 A16（1.6nm 級(jí)）節(jié)點(diǎn)。2nm 生產(chǎn)成本高“臺(tái)積電的 2nm 芯片晶圓代工價(jià)格已飆升至每片晶圓 30,000 美元，據(jù)傳 [更多] 先進(jìn)節(jié)點(diǎn)將達(dá)到 45,000
- 關(guān)鍵字： 臺(tái)積電 1.6nm 工藝 晶圓
臺(tái)積電 2 納米晶圓價(jià)格達(dá)到 3 萬(wàn)美元，據(jù)報(bào)道 SRAM 的良率達(dá)到了 90%
- 臺(tái)積電在過(guò)去幾年中穩(wěn)步提高其最先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝節(jié)點(diǎn)的價(jià)格——如此之高，以至于一項(xiàng)分析表明， 晶體管成本在十多年里沒(méi)有下降。進(jìn)一步的價(jià)格上漲，由關(guān)稅和不斷上升的開(kāi)發(fā)成本推動(dòng)，正在強(qiáng)化摩爾定律已經(jīng)死亡的觀念。《商業(yè)時(shí)報(bào)》報(bào)道，臺(tái)積電即將推出的 N2 2 納米半導(dǎo)體每片晶圓將售價(jià) 3 萬(wàn)美元，比該公司 3 納米芯片大約上漲了 66%。未來(lái)的節(jié)點(diǎn)預(yù)計(jì)將更加昂貴，并且可能僅限于最大的制造商使用。臺(tái)積電通過(guò)指出建造 2 納米晶圓廠的巨大成本來(lái)為其價(jià)格上漲辯護(hù)，這些成本最高可達(dá) 7.25 億美元。根
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三星美國(guó)工廠進(jìn)退兩難
- 由于全球芯片供應(yīng)過(guò)剩削弱了早期的樂(lè)觀預(yù)期，三星計(jì)劃在美國(guó)德克薩斯州投資超過(guò)370億美元的半導(dǎo)體制造項(xiàng)目建設(shè)進(jìn)度滯后。據(jù)韓國(guó)業(yè)界消息，截至4月22日，三星電子位于德州泰勒市的工廠建設(shè)進(jìn)度已達(dá)99.6%，通常情況下應(yīng)開(kāi)始搬入設(shè)備，但三星目前仍在猶豫是否下單。自2022年動(dòng)工以來(lái)，泰勒工廠的建設(shè)時(shí)間表已多次推遲。該廠最初計(jì)劃于2024年下半年投入運(yùn)營(yíng)，后調(diào)整至2025年，2025年初又進(jìn)一步推遲至2026年。同時(shí)，三星在本土也推遲了部分工廠建設(shè)進(jìn)度，并在整體需求低迷的背景下縮減了投資。補(bǔ)貼面臨不確定性三星的泰勒
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臺(tái)積電談?wù)撛诎⒙?lián)酋建造晶圓廠
- 去年 9 月，《華爾街日?qǐng)?bào)》報(bào)道稱，臺(tái)積電和三星都訪問(wèn)了阿聯(lián)酋，討論在那里建造晶圓廠。當(dāng)美國(guó)政府表示需要保證美國(guó)將保證一定份額的容量并對(duì)該站點(diǎn)擁有事實(shí)上的主權(quán)時(shí)，與拜登政府關(guān)于該計(jì)劃的談判破裂。 現(xiàn)在有報(bào)道稱，美國(guó)中東特使史蒂夫·維特科夫 （Steve Witkoff） 已經(jīng)與臺(tái)積電和阿聯(lián)酋總統(tǒng)兄弟控制的一家投資公司進(jìn)行了“多次”會(huì)議。上個(gè)月，美國(guó)政府同意與阿聯(lián)酋合作，在阿布扎比建造一個(gè)大型人工智能數(shù)據(jù)中心，并讓阿聯(lián)酋購(gòu)買(mǎi) 500,00 塊 Nvidia 的最新芯片。白宮當(dāng)時(shí)表示，阿聯(lián)酋已同意“
- 關(guān)鍵字： 臺(tái)積電 阿聯(lián)酋 晶圓廠
傳臺(tái)積電2nm晶圓將飆升至每單位30美元，CSP巨頭急于2027之前采用
- 據(jù)《商業(yè)時(shí)報(bào)》報(bào)道，隨著臺(tái)積電準(zhǔn)備在 2H25 年量產(chǎn) 2nm，據(jù)報(bào)道，2nm 晶圓價(jià)格已達(dá)到每單位 30,000 美元，未來(lái)節(jié)點(diǎn)的價(jià)格可能會(huì)飆升至 45,000 美元。報(bào)告補(bǔ)充說(shuō)，盡管成本高昂，但主要 CSP 將在未來(lái) 2 年內(nèi)效仿 AMD、NVIDIA 和 Broadcom 采用該節(jié)點(diǎn)。商業(yè)時(shí)報(bào)援引供應(yīng)鏈消息人士的話說(shuō)，開(kāi)發(fā)單個(gè) 2nm 芯片——從項(xiàng)目啟動(dòng)到最終輸出——成本高達(dá) 7.25 億美元。盡管如此，頂級(jí)玩家仍在潛入——正如該報(bào)告所指出的，AMD 的下一代 EPYC“Venice”是 4 月份在
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三星的3nm良率停留在50%，遠(yuǎn)低于臺(tái)積電的90%
- 雖然三星在 7nm 和 8nm 等成熟節(jié)點(diǎn)上獲得了牽引力（據(jù)報(bào)道來(lái)自任天堂的訂單），但它繼續(xù)在先進(jìn)的 3nm 水平上苦苦掙扎。據(jù)韓國(guó)媒體 Chosun Biz 報(bào)道，即使經(jīng)過(guò)三年的量產(chǎn)，其 3nm 良率仍保持在 50%。這使得三星更難贏得大型科技公司的信任，Chosun Biz 報(bào)道稱，谷歌的 Tensor G5 正在轉(zhuǎn)向臺(tái)積電的 3nm，遠(yuǎn)離三星。正如 9to5Google 所強(qiáng)調(diào)的那樣，據(jù)報(bào)道，這家搜索引擎巨頭已在未來(lái) 3 到 5 年內(nèi)與臺(tái)積電鎖定了 Tenso
- 關(guān)鍵字： 三星 3nm 良率 臺(tái)積電
臺(tái)積電重申1.4nm級(jí)工藝技術(shù)不需要高數(shù)值孔徑EUV
- 臺(tái)積電在阿姆斯特丹舉行的歐洲技術(shù)研討會(huì)上重申了其對(duì)下一代高數(shù)值孔徑 EUV 光刻工具的長(zhǎng)期立場(chǎng)。該公司的下一代工藝技術(shù)不需要這些最高端的光刻系統(tǒng)，包括 A16（1.6 納米級(jí)）和 A14（1.4 納米級(jí)）工藝技術(shù)。為此，TSMC 不會(huì)為這些節(jié)點(diǎn)采用 High-NA EUV 工具。“當(dāng)臺(tái)積電使用 High-NA 時(shí)，人們似乎總是很感興趣，我認(rèn)為我們的答案非常簡(jiǎn)單，”副聯(lián)席首席運(yùn)營(yíng)官兼業(yè)務(wù)發(fā)展和全球銷售高級(jí)副總裁 Kevin Zhang 在活動(dòng)中說(shuō)?！懊慨?dāng)我們看到 High-NA 將提供有意義、可衡
- 關(guān)鍵字： 臺(tái)積電 1.4nm 高數(shù)值孔徑 EUV
臺(tái)積電保持觀望 ASML最新EUV機(jī)臺(tái)只賣(mài)了5臺(tái)
- 荷蘭阿斯麥（ASML）全新機(jī)臺(tái)卻讓臺(tái)積電望之卻步！ 英媒指出，盡管阿斯麥最新一代的高數(shù)值孔徑（High-NA）極紫外光（EUV）微影設(shè)備性能強(qiáng)大，但因這款機(jī)臺(tái)單價(jià)高達(dá)4億美元，臺(tái)積電高層表示，目前「找不到非用不可的理由」，因此暫時(shí)沒(méi)有計(jì)畫(huà)在A14及其后續(xù)制程中導(dǎo)入。路透27日?qǐng)?bào)導(dǎo)，這款先進(jìn)機(jī)臺(tái)價(jià)格逼近4億美元，幾乎是晶圓廠現(xiàn)有最昂貴設(shè)備的兩倍。 目前，各家芯片制造商正在仔細(xì)評(píng)估，這款設(shè)備在曝光速度以及分辨率上面的提升，是否真的符合如此高昂的價(jià)格。臺(tái)積電技術(shù)開(kāi)發(fā)資深副總經(jīng)理張曉強(qiáng)表示，即便不使用High-N
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三星恐以拆分搶臺(tái)積電訂單 想讓蘋(píng)果、英偉達(dá)變心
- 三星要向臺(tái)積電發(fā)出真正的挑戰(zhàn)？ 根據(jù)韓媒《BusinessKorea》報(bào)導(dǎo)，三星為解決代工業(yè)務(wù)長(zhǎng)期虧損及利益沖突問(wèn)題，可能拆分代工業(yè)務(wù)，以擺脫長(zhǎng)期虧損的泥沼。報(bào)導(dǎo)指出，在三星生物制藥（Samsung Biologics）5月22日宣布，將其合約開(kāi)發(fā)和制造業(yè)務(wù)（CDMO）與生物相似藥（biosimilars）業(yè)務(wù)拆分后，三星可能將半導(dǎo)體事業(yè)代工業(yè)務(wù)拆分的議題再度浮上臺(tái)面。根據(jù)了解，三星想拆分代工業(yè)務(wù)，主因是三星半導(dǎo)體部門(mén)兼顧設(shè)計(jì)和生產(chǎn)，客戶擔(dān)心利益沖突。 三星作為全球第二大晶圓代工廠商，目前采用3納米制程制
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臺(tái)積電仍在評(píng)估ASML的“High-NA”，因?yàn)橛⑻貭栁磥?lái)會(huì)使用
- 全球最大的合同芯片制造商臺(tái)積電制造股份有限公司 （2330.TW） 仍在評(píng)估何時(shí)將 ASML 的尖端高數(shù)值孔徑 （NA） 機(jī)器用于其未來(lái)的工藝節(jié)點(diǎn)，一位高管周二表示。芯片制造商正在權(quán)衡這些價(jià)值近 4 億美元的機(jī)器的速度和精度優(yōu)勢(shì)何時(shí)會(huì)超過(guò)芯片制造廠中最昂貴的設(shè)備幾乎翻倍的價(jià)格標(biāo)簽。當(dāng)被問(wèn)及臺(tái)積電是否計(jì)劃將這臺(tái)機(jī)器用于其即將推出的 A14 和未來(lái)節(jié)點(diǎn)的增強(qiáng)版本時(shí)，Kevin Zhang 表示，該公司尚未找到令人信服的理由?！癆14，我所說(shuō)的增強(qiáng)，在不使用 High-NA 的情況下非常可觀。因此，我們的技術(shù)團(tuán)
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臺(tái)積電計(jì)劃建立首個(gè)歐洲設(shè)計(jì)中心瞄準(zhǔn)5納米車(chē)用MRAM
- TSMC 將在歐洲建立其第一個(gè)設(shè)計(jì)中心，并正在尋求汽車(chē)應(yīng)用內(nèi)存技術(shù)的重大飛躍。歐盟設(shè)計(jì)中心 （EUDC） 將設(shè)在慕尼黑，預(yù)計(jì)將專注于汽車(chē)，但也將支持工業(yè)應(yīng)用、人工智能 （AI）、電信和物聯(lián)網(wǎng) （IoT） 的芯片設(shè)計(jì)?？紤]到這一點(diǎn)，臺(tái)積電已對(duì)其 28nm 電阻式 RRAM 存儲(chǔ)器進(jìn)行了汽車(chē)應(yīng)用認(rèn)證，預(yù)計(jì) 12nm 版本將滿足同樣嚴(yán)格的汽車(chē)質(zhì)量要求，并計(jì)劃推出 6nm 版本。它還計(jì)劃推出 5nm MRAM 磁性存儲(chǔ)器。與 MRAM 一起，RRAM 是 16nm 以下工藝技術(shù)上閃存的關(guān)鍵替代品。臺(tái)積電的 22
- 關(guān)鍵字： 臺(tái)積電 5納米 MRAM
臺(tái)積電將在慕尼黑提供芯片設(shè)計(jì)服務(wù)
- 路透社 5 月 27 日星期二援引臺(tái)積電歐洲總裁 Paul de Bot 的話說(shuō)，代工臺(tái)積電將在德國(guó)慕尼黑開(kāi)設(shè)一個(gè)芯片設(shè)計(jì)中心。這將代表臺(tái)積電改變戰(zhàn)略，臺(tái)積電通常只專注于芯片制造，但此舉可能是由于歐洲缺乏領(lǐng)先的設(shè)計(jì)專業(yè)知識(shí)，以及需要“牽手”客戶以充分利用臺(tái)積電在德累斯頓建造的晶圓廠。該工廠將于 2027 年投產(chǎn)。這位臺(tái)積電高管在荷蘭阿姆斯特丹舉行的臺(tái)積電 2025 年歐洲技術(shù)研討會(huì)開(kāi)幕式上發(fā)表講話，并表示設(shè)計(jì)中心將于 25 年第三季度開(kāi)放?！八荚谥С謿W洲客戶設(shè)計(jì)高密度、高性能和節(jié)能芯片，并再次專注于汽車(chē)
- 關(guān)鍵字： 臺(tái)積電 慕尼黑 芯片設(shè)計(jì)服務(wù)
臺(tái)積電CoWoS間接讓BT載板基材喊缺？ NAND主控芯片漲價(jià)蠢動(dòng)
- 業(yè)界傳出，全球BT載板用基材龍頭的日本三菱瓦斯化學(xué)株式會(huì)社（MGC），近日向客戶發(fā)出BT材料「延遲交付」通知。 隨著原料缺貨日益嚴(yán)峻，載板供應(yīng)中長(zhǎng)期將出現(xiàn)短缺。 供應(yīng)鏈業(yè)者同步透露，金價(jià)持續(xù)上漲、產(chǎn)品交期延長(zhǎng)，NAND Flash控制芯片等領(lǐng)域，也可望轉(zhuǎn)嫁成本上漲，包括群聯(lián)、慧榮等主控業(yè)者有機(jī)會(huì)受惠。多家BT載板業(yè)者證實(shí)，確實(shí)2025年5月上旬時(shí)，陸續(xù)接獲日本MGC書(shū)面通知，部分高階材料訂單交期將進(jìn)一步拉長(zhǎng)，顯示先前傳出ABF載板材料供不應(yīng)求的情形，已進(jìn)一步向BT載板供應(yīng)鏈蔓延。據(jù)三菱發(fā)出的通知內(nèi)容指出，
- 關(guān)鍵字： 臺(tái)積電 CoWoS BT載板基材 NAND 主控芯片
臺(tái)積電介紹
臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司(Taiwan Semiconductor)
臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司網(wǎng)站:http://www.tsmc.com.tw/ 英文
臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司簡(jiǎn)介
臺(tái)積公司于1987年在新竹科學(xué)園區(qū)成立，是全球第一家的專業(yè)集成電路制造服務(wù)公司。身為業(yè)界的創(chuàng)始者與領(lǐng)導(dǎo)者，臺(tái)積公司是全球規(guī)模最大的專業(yè)集成電路制造 [ 查看詳細(xì) ]
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