[ 快訊 ]
- 英飛凌300毫米GaN制造路線圖的進(jìn)展
- 氮化鎵雙向開(kāi)關(guān)推動(dòng)電力電子技術(shù)變革
2025-07-10 氮化鎵雙向開(kāi)關(guān) 氮化鎵 英飛凌
- 基本半導(dǎo)體子公司注冊(cè)資本增至2.1億元
2025-07-10 基本半導(dǎo)體 碳化硅 車(chē)規(guī)級(jí)
- BelGaN 破產(chǎn)將使比利時(shí)損失 100 萬(wàn)歐元；氮化鎵工廠可能被改用于光子芯片
2025-07-10 氮化鎵 功率半導(dǎo)體 晶圓代工
- 大聯(lián)大品佳集團(tuán)推出基于Microchip產(chǎn)品的3.3KW雙向圖騰柱PFC逆變電源方案
2025-07-08 大聯(lián)大品佳 Microchip 逆變電源
- Nordic Semiconductor推出高度集nPM1304電源管理IC支持小尺寸電池產(chǎn)品
- 大聯(lián)大品佳推出基于Microchip的3.3KW雙向圖騰柱PFC逆變電源方案
2025-07-08 大聯(lián)大品佳 Microchip 雙向圖騰柱 PFC逆變電源
- 產(chǎn)品技術(shù)分享 | 高功率諧振電路中，MLCC的選擇標(biāo)準(zhǔn)和注意事項(xiàng)
- 臺(tái)積電退出后英飛凌加快GaN推進(jìn) 今年四季度將提供300毫米晶圓樣品
- 650V GaN器件在高功率應(yīng)用中對(duì)SiC構(gòu)成挑戰(zhàn)
2025-07-04 650V GaN 器件 高功率應(yīng)用 SiC
