- 據(jù) The Elec 報道，三星計劃外包用于存儲芯片制造的光掩模的生產。到目前為止，該公司一直在內部生產所有光掩模，以防止技術泄漏。Elec 表示，據(jù)報道，三星正在評估低端光掩模的潛在供應商，例如 i-line 和 KrF。與此同時，消息人士稱，三星計劃將 i-line 和 KrF 光掩模外包，以便將這些資源重新分配給 ArF 和 EUV。正如報告所強調的那樣，ArF 和 EUV 光掩模更先進，將成為增強三星技術競爭力的關鍵。據(jù) Business Korea 援引消
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三星 低端光掩模 ArF EUV
- 5 月 14 日消息，光掩模（版）系生產集成電路所需之模具，是用于光致抗蝕劑涂層選擇性曝光的一種結構，其原理類似于沖洗相片時利用底片將影像復制到相片上。韓國科技媒體 TheElec 今日報道稱，三星電子正計劃將內存芯片制造所需的光掩模生產業(yè)務進行外包。據(jù)稱，目前三星已啟動供應商評估流程，候選企業(yè)包括日本 Toppan 控股子公司 Tekscend Photomask 和美國 Photronics 旗下 PKL（注：廠址位于京畿道），評估結果預計第三季度公布。TheElec 報道稱，三星準備將低端產品（i-
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三星 外包芯片 光掩模 ArF EUV 半導體
- 三星計劃在其 HBM4 中采用混合鍵合技術，以減少熱量并實現(xiàn)超寬內存接口，該公司在韓國首爾舉行的 AI 半導體論壇上透露。相比之下，該公司的競爭對手 SK 海力士可能會推遲采用混合鍵合技術，EBN 報道。高帶寬內存 （HBM） 將多個存儲器件堆疊在基礎芯片上。目前，HBM 堆棧中的內存芯片通常使用微凸塊（在堆疊芯片之間傳輸數(shù)據(jù)、電源和控制信號）連接在一起，并使用模塑底部填充質量回流 （MR-MUF） 或使用非導電膜 （TC-NCF） 的熱壓縮等技術進行鍵合。這些晶粒還使用嵌入在每個晶粒內的硅通孔
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三星 HBM4 內存 混合鍵合
- 隨著 2nm 成為芯片制造商的下一個戰(zhàn)場，三星正在像英特爾一樣競相通過獲得重大外部訂單來縮小與臺積電的差距?，F(xiàn)在，它可能只差一步：根據(jù) Chosun Biz 的說法，Samsung Foundry 已經進入了使用 NVIDIA GPU 和高通 AP 進行 2nm 性能測試的最后階段。Chosun Biz 表示，三星在其第一個基于 GAA 的節(jié)點 3nm 上來之不易的經驗現(xiàn)在正在得到回報——據(jù)報道，3nm 良率已超過 60%，2nm 良率已攀升至 40% 以上。據(jù) Sedail
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- 據(jù)稱，繼 NVIDIA H20 的最新出口限制之后，這家美國芯片巨頭正在開發(fā)該芯片的降級版本，以在中國銷售。由于改進后的芯片預計將大幅削減，尤其是在內存容量方面，New Daily 的一份報告暗示 NVIDIA 可能會用 GDDR 取代 HBM，這可能會破壞內存供應鏈。正如路透社所指出的，Team Green 已經向中國主要的云提供商提供了有關即將推出的公告。據(jù)路透社報道，H20 的低調版本由新設定的技術限制塑造，最早可能在 7 月發(fā)布。目前，韓國《數(shù)字時報》報道稱，NVIDIA 堅持從三星和
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三星 NVIDIA H20 HBM GDDR
- 臺積電穩(wěn)居全球晶圓代工龍頭寶座，市占率高達67.1%，而排名第2的三星電子半導體部門，市占僅8.1%。 雙方在晶圓代工領域的差距越來越大，韓媒最新報導更指出，兩家公司已存在超過10兆韓元（約新臺幣2268億元）的落差，三星遠遠落后。據(jù)韓國《朝鮮日報》報導，業(yè)界人士于11日透露，三星電子旗下掌管半導體業(yè)務的裝置解決方案部門（DS），在今年第1季的營收為25.1兆韓元（約新臺幣5694億元），與去年同期相比成長了9%，然而與上一季相比，卻呈現(xiàn)了17%的下滑。 三星電子方面解釋，其代工業(yè)務部門的業(yè)績表現(xiàn)由于移動
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三星 臺積電
- 在特朗普加征關稅之前囤積數(shù)據(jù)推動的 DRAM 需求激增似乎是真實的。據(jù)韓國 Etnews 報道，三星一年多來首次提高了 DRAM 價格，其中 DDR4 的漲幅最大。該報告表明，三星在 5 月初與主要客戶敲定了新的定價條款，已將 DDR4 價格提高了約 20%。與此同時，該報告補充說，DDR5 價格的漲幅較小，約為 5%。三星第二季度利潤或將得到提振值得注意的是，Etnews 表示，由于 DRAM 價格是以數(shù)月為基礎進行談判的，因此最近的上漲預計將在一段時間內支持盈利能力，從而為三星第二
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三星 DRAM DDR4
- 據(jù)報道，隨著 Apple 的第一款可折疊 iPhone 將于 2026 年上市，有關該旗艦產品的更多細節(jié)已經浮出水面。據(jù) SamMobile 稱，三星顯示已經創(chuàng)造了其有史以來最薄的可折疊 OLED 面板——甚至超越了自己的 Galaxy Z Fold 系列中的面板——為該型號提供動力。值得注意的是，韓國經濟日報表示，三星顯示已被選為蘋果首款可折疊 iPhone 的 OLED 顯示器獨家供應商。據(jù)報道，此舉預計將鞏固三星在全球可折疊 OLED 顯示器市場的主導地位，將其份額從 40% 提
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- 隨著存儲器巨頭加速布局HBM4和多層NAND產品，混合鍵合技術越來越受到關注。根據(jù) ZDNet 的一份報告，韓國三星電子和SK海力士在關鍵專利方面仍然落后。該報告強調，三星和SK海力士披露的混合鍵合相關專利相對較少，大幅低于競爭對手長江存儲。 據(jù)報道，三星電子已與長江存儲簽署了一項許可協(xié)議，在其下一代NAND中采用混合鍵合技術。此舉反映了三星希望規(guī)避長江存儲的專利的挑戰(zhàn)，這些專利被認為難以避免。報告指出，長江存儲在其“Xtacking”品牌下大規(guī)模生產基于混合鍵合的NAND已有大約四年
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- 三星電子因良率不佳面臨大挫敗，根據(jù)科技媒體wccftech報導，傳出超微已取消三星4納米制程訂單，超威已改為委托臺積電，以4納米制程生產EPYC服務器中央處理器。三星晶圓代工事業(yè)面臨大挑戰(zhàn)，根據(jù)報導，超威已將原本交給三星代工的EPYC服務器，轉給臺積電美國亞利桑那州新廠以4納米生產，臺積電美國廠接單頻傳喜訊，包括蘋果、輝達等都宣布要在該廠區(qū)投片。知名爆料人士@Jukanlosreve指出，超微將把EPYC服務器處理器轉交給臺積電美國亞利桑那州廠生產。 目前還不知超微轉單理由，但推測是三星晶圓代工事業(yè)表現(xiàn)差
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- 由于三星尖端制程良率偏低，以及美國特朗普政府關稅政策影響，處理器大廠AMD可能已經取消了三星4nm制程訂單，進而轉向了向臺積電美國亞利桑那州晶圓廠下單。這一決定標志著三星代工業(yè)務繼失去高通、英偉達等科技巨頭價值數(shù)十億美元的尖端芯片訂單后，再次遭遇重大挫折。
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- 隨著美國 232 條款半導體調查的公眾意見截止日期的臨近，整個芯片行業(yè)的焦慮情緒越來越大。迫在眉睫的關稅決定給財報旺季蒙上了一層陰影，在地緣政治和貿易緊張局勢加劇的情況下，科技巨頭不愿發(fā)布明確的預測。這是非常不尋常的，因為財務預測通常是公司方向和戰(zhàn)略的最重要指標之一。由于有傳言稱關稅稅率在 25% 到 100% 之間，芯片制造商發(fā)現(xiàn)很難預測他們的前景，尤其是 2025 年下半年。Marvell 在一份新聞稿中表示，在全球貿易緊張局勢和“動態(tài)宏觀經濟環(huán)境”的情況下，該公司將其 2025 年 6 月的投資者日
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- 據(jù)韓國媒體ZDNet Korea報道，三星電子在2025年2月左右已提前開始量產12層堆疊的HBM3E高帶寬內存，但尚未通過GPU巨頭英偉達的認證，因此目前無法向其供貨。這一決定讓三星面臨積累大量庫存的風險。市場消息人士透露，三星對其12層堆疊HBM3E的性能和穩(wěn)定性充滿信心，認為能夠順利通過英偉達的認證流程。提前量產的策略旨在通過認證后快速供貨，助力實現(xiàn)2025年HBM出貨量達到2024年兩倍的目標。目前，英偉達最新的AI芯片主要采用SK海力士供應的12層堆疊HBM3E。SK海力士憑借其在HBM市場的主
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- 據(jù)韓媒《首爾經濟》援引業(yè)界消息，三星電子半導體暨裝置解決方案（DS）部門負責人全永鉉近日率領高層團隊緊急訪問美國硅谷，與蘋果、NVIDIA、博通等美國科技巨頭展開會晤。此次行程為期至少一周，重點在于鞏固DRAM、次世代高帶寬存儲器（HBM）以及晶圓代工領域的訂單，并探討應對美國潛在關稅政策的策略。三星高層團隊此次放棄韓國“家庭月”連假，顯示了其在恢復半導體競爭力方面的緊迫感。2025年第1季，三星在全球DRAM市場失去龍頭地位，被SK海力士超越，因此確保移動DRAM（LPDDR）和次世代DRAM的供應顯得
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- 三星已向其供應鏈傳達消息，多款基于1y nm（第二代10nm級別）工藝制造的DDR4產品本月即將停產，以及1z nm（第三代10nm級別）工藝制造的8Gb LPDDR4也將進入EOL階段。與此同時，美光已通知客戶將停產服務器用的舊版DDR4模塊，而SK海力士也被傳將DDR4產能削減至其生產份額的20%。這意味著內存制造商正加速產品過渡，把更多資源投向HBM和DDR5等高端產品。ddr4和ddr5的區(qū)別· 帶寬速度：DDR4帶寬為25.6GB/s，DDR5帶寬為32GB/s；· 芯片密度：DDR4芯片密度為
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