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        三星代工再遭棄,救命稻草在哪里?

        作者:陳玲麗 時(shí)間:2025-05-08 來(lái)源:電子產(chǎn)品世界 收藏

        由于尖端制程良率偏低,以及美國(guó)特朗普政府關(guān)稅政策影響,處理器大廠可能已經(jīng)取消了4nm制程訂單,進(jìn)而轉(zhuǎn)向了向美國(guó)亞利桑那州晶圓廠下單。這一決定標(biāo)志著業(yè)務(wù)繼失去高通、英偉達(dá)等科技巨頭價(jià)值數(shù)十億美元的尖端芯片訂單后,再次遭遇重大挫折。

        本文引用地址:http://www.antipu.com.cn/article/202505/470194.htm

        目前位于美國(guó)亞利桑那州的晶圓廠目前已經(jīng)開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)4nm,特別是在美國(guó)特朗普政府即將出臺(tái)針對(duì)半導(dǎo)體的加征關(guān)稅政策之后,英偉達(dá)、蘋(píng)果、等美國(guó)芯片設(shè)計(jì)大廠也紛紛開(kāi)始下單亞利桑那州晶圓廠4nm制程,以期降低未來(lái)美國(guó)半導(dǎo)體關(guān)稅政策的影響。其中,不久前就宣布旗下第五代EPYC服務(wù)器處理器已在臺(tái)積電亞利桑那州晶圓一廠生產(chǎn)。

        三星技術(shù)信任危機(jī)

        AMD過(guò)去曾一直采用雙重供應(yīng)商策略,AMD也計(jì)劃與三星晶圓的4nm(SF4X)制程廣泛合作,不限EPYC服務(wù)器處理器,還包括Ryzen APU和Radeon GPU等產(chǎn)品。這一舉措對(duì)三星而言具有重要的戰(zhàn)略意義,但現(xiàn)在卻走向了失敗。雖然目前尚不確定是否僅僅因?yàn)镋PYC而放棄這筆交易,但AMD似乎對(duì)三星代工廠的興趣正在下降。

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        據(jù)產(chǎn)業(yè)鏈權(quán)威消息,AMD已正式通知三星取消原計(jì)劃采用其第四代4nm工藝(SF4X)生產(chǎn)服務(wù)器CPU的I/O芯片訂單,這一決策距離三星3月宣布SF4X工藝量產(chǎn)僅過(guò)去兩個(gè)月。

        三星SF4X工藝主打「成本優(yōu)化」,理論上可降低15%制造成本并提升8%性能指標(biāo),其報(bào)價(jià)比臺(tái)積電同級(jí)別工藝低約20%,且承諾快速交付。然而,實(shí)際量產(chǎn)表現(xiàn)顯然未達(dá)客戶預(yù)期 —— AMD評(píng)估后認(rèn)為,三星4nm工藝在電壓穩(wěn)定性、漏電控制等關(guān)鍵指標(biāo)上存在缺陷,難以滿足服務(wù)器芯片的高可靠性需求。

        根據(jù)TrendForce最新報(bào)告,AMD此次調(diào)整主要基于三星SF4X工藝的良率問(wèn)題。盡管三星聲稱(chēng)其4nm整體良率已提升至70%以上,但SF4X作為專(zhuān)為高性能計(jì)算(HPC)優(yōu)化的版本,在晶體管密度、功耗控制等關(guān)鍵指標(biāo)上未能達(dá)到AMD預(yù)期。例如,臺(tái)積電N4P工藝在晶體管密度(約1.8億/mm2)和能效比上優(yōu)于三星SF4X(約1.5億/mm2),在200mm晶圓測(cè)試中4集成良率僅為62%,顯著低于臺(tái)積電的85%,且SF4X的互連延遲較臺(tái)積電N4P工藝高出15%。

        AMD的技術(shù)調(diào)整并非偶然。早在2024年6月,天風(fēng)國(guó)際分析師郭明錤就曾指出AMD與三星在3nm GAA工藝上“無(wú)實(shí)質(zhì)進(jìn)展”,轉(zhuǎn)而將資源投向臺(tái)積電的研發(fā),此次4nm合作終止正是這一戰(zhàn)略的延續(xù)。行業(yè)人士透露,三星3nm工藝良率長(zhǎng)期低于50%,導(dǎo)致高通、英偉達(dá)等大客戶流失,這種技術(shù)信任危機(jī)延伸至4nm領(lǐng)域。臺(tái)積電N4P工藝基于5nm平臺(tái)優(yōu)化,性能較三星SF4X提升11%,功耗降低22%,且通過(guò)減少光罩層數(shù)降低了30%的制造成本。盡管三星的SF4X工藝采用了創(chuàng)新的后端布線技術(shù),但市場(chǎng)對(duì)其穩(wěn)定性和成熟度仍存疑慮。

        目前來(lái)看,三星代工的勢(shì)頭確實(shí)不容樂(lè)觀,其晶圓代工部門(mén)的尖端制程良率一直低于臺(tái)積電,且未獲得大客戶,并不是新鮮事,其第二代3nm制程被傳良率至今也只有30%左右,這也直接導(dǎo)致了三星放棄了今年年初發(fā)布的年度旗艦智能手機(jī)Galaxy S25系列搭載自研的Exynos 2500芯片,決定全面改用高通驍龍8 Elite。而放棄Exynos 2500的這項(xiàng)決定,也導(dǎo)致三星此前在Exynos 2500上的研發(fā)和制造投入基本打了水漂,再加上全面外購(gòu)高通的旗艦芯片,使得其今年的零組件支出大幅上升,更直接造成約4億美元損失。

        三星代工正面臨前所未有的經(jīng)營(yíng)壓力,據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè),三星代工業(yè)務(wù)的毛利率已從去年同期的42%降至本季度的31%,這一趨勢(shì)若持續(xù),將對(duì)其長(zhǎng)期發(fā)展構(gòu)成嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。除了先進(jìn)制程的技術(shù)瓶頸,傳統(tǒng)制程市場(chǎng)需求的下滑也迫使三星不得不采取收縮策略,近期已關(guān)閉部分生產(chǎn)線以控制成本,預(yù)計(jì)將影響其28nm等成熟制程約12%的產(chǎn)能。

        此次AMD的決策對(duì)全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)生連鎖反應(yīng),可能導(dǎo)致市場(chǎng)進(jìn)入臺(tái)積電一家獨(dú)大的新階段。臺(tái)積電憑借N4P工藝的成熟度,已包攬?zhí)O果 A17、英偉達(dá) H200等頭部客戶的訂單。與此同時(shí),臺(tái)積電4nm產(chǎn)能逐步釋放,尤其是為英偉達(dá)Blackwell GPU訂單調(diào)整后,AMD成功爭(zhēng)取到更多代工資源。臺(tái)積電憑借技術(shù)、產(chǎn)能和地緣政治優(yōu)勢(shì),幾乎壟斷了高端芯片制造,而三星若不能在領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)技術(shù)突破,其代工業(yè)務(wù)可能很難再追上臺(tái)積電,今年第一季度,三星與臺(tái)積電的市場(chǎng)份額差距進(jìn)一步拉大至60個(gè)百分點(diǎn)以上。市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Counterpoint預(yù)測(cè),若三星無(wú)法在十二個(gè)月內(nèi)實(shí)現(xiàn)3nm良率突破60%,并穩(wěn)定4nm工藝表現(xiàn),其代工市場(chǎng)份額或?qū)⒌?0%。

        除技術(shù)因素外,美國(guó)出口管制政策也是AMD調(diào)整供應(yīng)鏈的關(guān)鍵動(dòng)因,迫使其尋求 “本土化” (onshoring)解決方案,臺(tái)積電亞利桑那工廠的4nm產(chǎn)能符合美國(guó)《芯片與科學(xué)法案》要求,可規(guī)避潛在的出口風(fēng)險(xiǎn)。美國(guó)的《芯片與科學(xué)法案》迫使三星關(guān)閉30%的先進(jìn)制程產(chǎn)線,直接導(dǎo)致2024年半導(dǎo)體業(yè)務(wù)利潤(rùn)暴跌52%。

        三星更深層的危機(jī)在于技術(shù)路線的戰(zhàn)略失誤,近年研發(fā)投入增速放緩,過(guò)度押注內(nèi)存芯片的“暴利時(shí)代”,卻忽視了AI時(shí)代對(duì)異構(gòu)計(jì)算、先進(jìn)封裝等技術(shù)的需求,陷入“技術(shù)突破滯后-客戶流失-研發(fā)投入受限”的惡性循環(huán)。當(dāng)臺(tái)積電3nm工藝良率突破80%時(shí),三星的4nm產(chǎn)線良率仍在60%徘徊,這種技術(shù)代差使三星在價(jià)值5000億美元的全球AI芯片市場(chǎng)中逐漸邊緣化。而三星引以為傲的垂直整合模式,在柔性供應(yīng)鏈時(shí)代顯露疲態(tài),凸顯出決策鏈條冗長(zhǎng)的軟肋。李在镕試圖以「技術(shù)優(yōu)先」破局,提出“第一是技術(shù),第二是技術(shù),第三是技術(shù)”的口號(hào),并計(jì)劃重組研發(fā)體系。

        期待高通“回歸”

        目前三星正在積極將資源投入制程的研發(fā),最新的消息顯示,三星和高通展開(kāi)協(xié)商將部分第二代驍龍8 Elite芯片交由三星2nm工藝代工,可能率先搭載在2026年下半年推出的Galaxy Z Fold8和Galaxy Z Flip8兩款折疊旗艦手機(jī)中。三星計(jì)劃今年第二季度完成設(shè)計(jì)工作,明年第一季度開(kāi)始投片,在其尖端工廠華城S3生產(chǎn),月產(chǎn)量預(yù)計(jì)為1000片,僅占2nm總產(chǎn)能(月7000片)的15%,因此被認(rèn)為并非大規(guī)模訂單。

        這是時(shí)隔三年,三星再次為高通生產(chǎn)手機(jī)芯片,此前曾在2020年和2022年分別以5nm和4nm制程為高通生產(chǎn)應(yīng)用處理器,2022年下半年后,高通將4nm以下尖端芯片生產(chǎn)全數(shù)交由臺(tái)積電。韓媒認(rèn)為此次高通“回歸”被視為三星的寶貴機(jī)會(huì),雖然訂單量不足以直接扭轉(zhuǎn)虧損,但它打破了臺(tái)積電對(duì)高通旗艦芯片的壟斷,業(yè)內(nèi)人士指出,這或是高通為制衡臺(tái)積電漲價(jià)采取的「戰(zhàn)略備胎」方案。

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        雙方還合作開(kāi)發(fā)了基于4nm工藝的擴(kuò)展現(xiàn)實(shí)(XR)專(zhuān)用芯片,將用于三星移動(dòng)體驗(yàn)(MX)部門(mén)下半年推出的代號(hào)“Moohan”的混合現(xiàn)實(shí)設(shè)備。對(duì)三星而言,拿下高通訂單只是開(kāi)始,如何將2nm良率提升至可商用水平,才是真正考驗(yàn)。

        此外,傳聞三星明年將重新推出自研的旗艦處理器Exynos 2600,由于良率偏低導(dǎo)致可供出貨的芯片數(shù)量不足,Galaxy S26系列中僅歐洲版機(jī)型采用,而高通新一代驍龍旗艦芯片將比Exynos 2600性能優(yōu)勢(shì)更高。推測(cè)三星選擇部分Galaxy S26系列機(jī)型選擇搭載Exynos 2600主要是為了壓低日益上升的芯片采購(gòu)成本壓力,而非追求性能競(jìng)爭(zhēng)力。

        2025年第一季財(cái)報(bào)顯示,三星重申目標(biāo)是下半年穩(wěn)定2nm GAA制程的良率,并進(jìn)行量產(chǎn)。目前Exynos 2600在2nm制程上的試產(chǎn)良率約30%,雖然偏低,但數(shù)字相較3nm時(shí)有明顯進(jìn)步,若三星良率提升至60%,有望達(dá)到全面量產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn),為Exynos 2600正式商用鋪路。

        三星曾是全球首個(gè)量產(chǎn)3nm GAA(全環(huán)繞柵極晶體管)工藝的廠商,試圖以技術(shù)革新?lián)屨际袌?chǎng)。GAA工藝相比傳統(tǒng)FinFET在性能、功耗和面積(PPA)上具有理論優(yōu)勢(shì),其第二代3nm GAA可降低50%功耗并提升30%性能。然而,這一激進(jìn)的技術(shù)路線卻成為雙刃劍。由于GAA工藝復(fù)雜,三星3nm良率長(zhǎng)期在20%-50%間徘徊,遠(yuǎn)低于大規(guī)模生產(chǎn)所需的60%門(mén)檻,導(dǎo)致高通、英偉達(dá)等大客戶轉(zhuǎn)向臺(tái)積電的FinFET改良版3nm工藝。

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        為集中資源,今年三星宣布取消原定2027年量產(chǎn)的1.4nm工藝(SF1.4),轉(zhuǎn)向優(yōu)化2nm節(jié)點(diǎn)。臺(tái)積電憑借技術(shù)穩(wěn)定性和成熟生態(tài),2025年代工市占率高達(dá)67.1%,而三星則從2021年的13.5%暴跌至8.2%。這一差距在先進(jìn)制程領(lǐng)域更為顯著,當(dāng)下臺(tái)積電3nm獨(dú)占蘋(píng)果、高通、聯(lián)發(fā)科等訂單,2nm試產(chǎn)即獲英特爾、英偉達(dá)等巨頭預(yù)定;而三星3nm僅剩少量邊緣客戶,2nm訂單依賴(lài)日本企業(yè)“救場(chǎng)”。

        市場(chǎng)也很重要

        AMD的戰(zhàn)略調(diào)整折射出全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的深層變革。以技術(shù)路線分化為例,臺(tái)積電通過(guò)N4P、N3E等工藝構(gòu)建技術(shù)護(hù)城河,而三星試圖通過(guò)4與3nm GAA實(shí)現(xiàn)差異化競(jìng)爭(zhēng)。但是在高帶寬內(nèi)存(HBM)領(lǐng)域,三星因技術(shù)缺陷遲遲未通過(guò)英偉達(dá)認(rèn)證,導(dǎo)致其HBM3E產(chǎn)品交付比SK海力士落后至少半年。

        據(jù)韓國(guó)媒體ZDNet Korea報(bào)導(dǎo),三星在2月份左右開(kāi)始全面量產(chǎn)HBM3E 12Hi(12層堆疊,單堆棧36GB容量),但至今仍未通過(guò)英偉達(dá)供應(yīng)資格測(cè)試,可以說(shuō)該決策存在積累大量庫(kù)存的風(fēng)險(xiǎn)。三星此舉是考慮到HBM3內(nèi)存從DRAM制造到封裝的整個(gè)流程需要5~6個(gè)月的時(shí)間, 即使能在今年6~7月獲得最大潛在客戶英偉達(dá)的供貨許可,那按一般流程實(shí)際出貨也要等到今年末。按照英偉達(dá)的快速產(chǎn)品迭代節(jié)奏,屆時(shí)已有部分需求向HBM4轉(zhuǎn)移。

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        在三星看來(lái),其業(yè)績(jī)要想恢復(fù)增長(zhǎng),就必須要在HBM市場(chǎng)獲得突破。消息人士表示,三星對(duì)其增強(qiáng)型HBM3E 12Hi的性能和穩(wěn)定性充滿信心,認(rèn)為可順利通過(guò)英偉達(dá)的認(rèn)證流程。提前量產(chǎn)的節(jié)奏意味著可實(shí)現(xiàn)“批準(zhǔn)即供應(yīng)”,這將有助于三星實(shí)現(xiàn)今年HBM內(nèi)存供應(yīng)比特?cái)?shù)達(dá)去年2倍的目標(biāo)。



        關(guān)鍵詞: 三星 代工 臺(tái)積電 AMD 2nm HBM

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