IMEC宣布，成功利用ASML的EUV(extreme ultraviolet)曝光裝置NXE:3100進行曝光。該EUV曝光裝置配備了日本牛尾電機的全資子公司德國XTREME technologies GmbH公司生產的LA-DPP(laser assisted discharge produced plasma)方式EUV光源。

　　IMEC于2011年3月導入了曝光裝置單機和EUV光源，設置于研究設施內并進行了調整和測試。現(xiàn)在已與東電電子(TEL)的涂布顯影裝置“Lithius Pro”(用于EUV工序)連接。IMEC表示，“吞吐量為ASML公司曝光工藝評測用(Alpha Demo Tool ：ADT)EUV曝光裝置的20倍，計劃在2012年初期實現(xiàn)100W的光源輸出功率和60張/小時的吞吐量”。重疊精度方面，根據(jù)此次的成果確認了具有達到目標的4nm以下的潛在能力。分辨率在使用偶極照明時可達到20nm以下，對于IMEC的目標——2013年確立分辨率達到16nm的量產技術來說，此次成果具有里程碑的意義。