600v氮化鎵（gan）功率器件文章進(jìn)入600v氮化鎵（gan）功率器件技術(shù)社區(qū)

前瞻性技術(shù)：加速GaN技術(shù)應(yīng)用

　　相較于過(guò)去所使用的硅晶體管，氮化鎵(GaN)能夠讓新的電源應(yīng)用在同等電壓條件下，以更高的切換頻率運(yùn)作。這代表在相同條件下，GaN能夠較以硅為基礎(chǔ)的解決方案實(shí)現(xiàn)更高的效率。　　電源供應(yīng)設(shè)計(jì) 　　德州儀器(TI)的LMG5200全整合式原型，讓工程師能夠輕松地將GaN技術(shù)設(shè)計(jì)至電源解決方案中，進(jìn)而超越傳統(tǒng)上功率密度限制。基于數(shù)十年的電源測(cè)試專(zhuān)業(yè)經(jīng)驗(yàn)，TI針對(duì)GaN進(jìn)行了數(shù)百萬(wàn)小時(shí)的加速測(cè)試，并建立了能夠?qū)崿F(xiàn)基于GaN電源設(shè)計(jì)的生態(tài)系統(tǒng)。　　GaN將在功率密集的應(yīng)用中大展身手，它能夠在保持或提
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汽車(chē)功率元器件市場(chǎng)前景廣闊

　　雖然智能手機(jī)的出貨量遠(yuǎn)高于汽車(chē)(2015年為14億部[1]，汽車(chē)銷(xiāo)量為8,800萬(wàn)輛[2])，但汽車(chē)的半導(dǎo)體零件含量卻高得多。汽車(chē)功率IC穩(wěn)健增長(zhǎng)，2015 - 2020年該行業(yè)的年復(fù)合增長(zhǎng)率預(yù)計(jì)將達(dá)8%[3]。尤其是電池驅(qū)動(dòng)的電動(dòng)汽車(chē)在該行業(yè)成為強(qiáng)勁增長(zhǎng)推動(dòng)力，2015年5月Teardown.com針對(duì)寶馬i3電動(dòng)車(chē)的報(bào)告顯示，該車(chē)型物料清單中包含100多個(gè)電源相關(guān)芯片?！　∨c遵循摩爾定律不斷縮小尺寸的先進(jìn)邏輯晶體管不同，功率元器件FET通常運(yùn)用更老的技術(shù)節(jié)點(diǎn)，使用200毫米(和
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光伏逆變器的新方向

新型功率器件、封裝或材料都是為了提高電源能效和功率密度。安森美半導(dǎo)體非常注重新技術(shù)的開(kāi)發(fā)與新材料器件的應(yīng)用，能同時(shí)提供氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC) 寬帶隙(WBG)器件，目前SiC二極管已經(jīng)量產(chǎn)并且廣泛應(yīng)用于工業(yè)、太陽(yáng)能逆變器等領(lǐng)域，SiC MOS 和新一代的GaN MOS 也在開(kāi)發(fā)中，不久就會(huì)發(fā)布。
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華虹半導(dǎo)體功率器件平臺(tái)累計(jì)出貨量突破500萬(wàn)片晶圓

　　全球領(lǐng)先的200mm純晶圓代工廠——華虹半導(dǎo)體有限公司(“華虹半導(dǎo)體”或“公司”，連同其附屬公司，統(tǒng)稱(chēng)“集團(tuán)”，股份代號(hào)：1347.HK)今天宣布，公司功率器件平臺(tái)累計(jì)出貨量已突破500萬(wàn)片晶圓。其中，得益于市場(chǎng)對(duì)超級(jí)結(jié)MOSFET(“金氧半場(chǎng)效晶體管”)和IGBT(“絕緣柵雙極型晶體管”)的強(qiáng)勁需求，華虹半導(dǎo)體獨(dú)特且具競(jìng)爭(zhēng)力的垂直溝槽型Super Junction MOSFET(“SJNFET”)以及場(chǎng)截止型IGBT累計(jì)出貨量分別超過(guò)了200,000片和30,000片晶圓，并保持
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解讀電源三大熱門(mén)領(lǐng)域的技術(shù)方案　

在智能化、網(wǎng)絡(luò)化的當(dāng)下時(shí)代，各種新型電子產(chǎn)品層出不窮，而在各電子產(chǎn)品中，電源模塊一直都是不可避免的課題，隨著新材料和新工藝不斷涌現(xiàn)、不斷發(fā)展，電源模塊的的各方面性能也不斷得到完善。本次專(zhuān)題就功率器件、光伏和隔離器三個(gè)方面，邀請(qǐng)業(yè)內(nèi)專(zhuān)業(yè)人士共同探討電源的發(fā)展和革新。
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收購(gòu)美國(guó)半導(dǎo)體新企村田轉(zhuǎn)攻功率器件

　　日本電子零組件廠村田制作所(Murata)，于2017年3月17日宣布簽約購(gòu)并美國(guó)半導(dǎo)體新創(chuàng)企業(yè)Arctic Sand Technologies，收購(gòu)程序估計(jì)將在4月上旬完成，據(jù)日本經(jīng)濟(jì)新聞(Nikkei)網(wǎng)站報(bào)導(dǎo)，購(gòu)并金額約70億日?qǐng)A(約6,200萬(wàn)美元)。　　這次購(gòu)并的目的，在于村田打算轉(zhuǎn)換事業(yè)重點(diǎn)，村田目前總營(yíng)收約60%源自智慧型手機(jī)相關(guān)零組件，但智慧型手機(jī)的市場(chǎng)成長(zhǎng)率逐漸趨緩，連帶影響村田的事業(yè)成長(zhǎng)，在短期內(nèi)難以看到手機(jī)市場(chǎng)重回先前的高速成長(zhǎng)狀態(tài)，村田必須培養(yǎng)其他重點(diǎn)事業(yè)。　　在Son
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電源設(shè)計(jì)控必須了解的2017三大趨勢(shì)

　　2017電源市場(chǎng)需求和技術(shù)趨勢(shì)風(fēng)向如何?來(lái)e星球，與超六萬(wàn)的專(zhuān)業(yè)人士一起把握潮流!　　需求往往是推動(dòng)創(chuàng)新的源泉，無(wú)論是時(shí)尚、金融亦或是我們熟悉的電源領(lǐng)域都存在這樣的現(xiàn)象。抓住了用戶(hù)需求，潛在的創(chuàng)新動(dòng)力才會(huì)被激發(fā)，也只有適應(yīng)需求的創(chuàng)新才是最具生命周期的。2017年電源需求在哪?創(chuàng)新著力點(diǎn)在哪?帶著疑問(wèn)與期盼請(qǐng)來(lái)亞洲第一大電子展——2017年慕尼黑上海電子展一探究竟吧!3月14日-16日將有超過(guò)6萬(wàn)多名的專(zhuān)業(yè)觀眾以及眾多的國(guó)內(nèi)外領(lǐng)先電源廠商集聚上海新國(guó)際博覽中心，深度探討2017年中國(guó)電源市場(chǎng)需求與走勢(shì)，
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下一波功率轉(zhuǎn)換浪潮—專(zhuān)為實(shí)現(xiàn)太陽(yáng)能光伏逆變器的安全、速度和成本效益而設(shè)計(jì)

　　引言　　太陽(yáng)能不再是一項(xiàng)新興技術(shù)，而是正在經(jīng)歷重大技術(shù)變革的技術(shù)，日趨成熟。我們朝著電網(wǎng)平價(jià)(太陽(yáng)能成本與傳統(tǒng)能源發(fā)電類(lèi)型的成本相當(dāng))，并且改進(jìn)傳統(tǒng)能源發(fā)電類(lèi)型構(gòu)成的目標(biāo)前進(jìn)，因?yàn)閷⒚姘逯械闹绷麟娹D(zhuǎn)換為可用交流電的過(guò)程變得更加高效且經(jīng)濟(jì)實(shí)惠?！　〉?，雖然太陽(yáng)能面板在近幾年價(jià)格顯著降低，但下一波太陽(yáng)能發(fā)展浪潮將由功率轉(zhuǎn)換器系統(tǒng)的新技術(shù)推動(dòng)。先進(jìn)復(fù)雜的多級(jí)功率開(kāi)關(guān)拓?fù)涞呐d起將基于碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)材料，加上更高的工作電壓(最高1600 VDC)，實(shí)現(xiàn)更加快速的功率開(kāi)關(guān)，與傳統(tǒng)系
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日研究團(tuán)隊(duì)制作了高質(zhì)量2英寸GaN芯片和MOSFET

　　日本三菱化學(xué)及富士電機(jī)、豐田中央研究所、京都大學(xué)、產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所的聯(lián)合團(tuán)隊(duì)成功解決了在氮化鎵(GaN)芯片上形成GaN元件功率半導(dǎo)體關(guān)鍵技術(shù)。GaN功率半導(dǎo)體是碳化硅功率半導(dǎo)體的下一代技術(shù)。日本通過(guò)發(fā)光二極管的開(kāi)發(fā)積累了GaN元件技術(shù)，GaN芯片生產(chǎn)量占據(jù)世界最高份額。若做到現(xiàn)有技術(shù)的實(shí)用化，將處于世界優(yōu)勢(shì)地位。　　功率半導(dǎo)體有利于家電、汽車(chē)、電車(chē)等的節(jié)能，產(chǎn)業(yè)需求很大。GaN功率半導(dǎo)體中，硅基板上形成橫型GaN系的高電子遷移率晶體管等設(shè)備已經(jīng)量產(chǎn)，但是，GaN基板上形成GaN的金屬-氧化物半
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2017誰(shuí)將成為功率器件市場(chǎng)亮點(diǎn)？

　　通信、汽車(chē)驅(qū)動(dòng)市場(chǎng)增長(zhǎng)，國(guó)有品牌競(jìng)爭(zhēng)力提升　　市場(chǎng)規(guī)模繼續(xù)擴(kuò)大，增速較2015年有所回升　　2016年，中國(guó)電子信息制造業(yè)生產(chǎn)總體平穩(wěn)，增速有所加快，受此影響，中國(guó)功率器件市場(chǎng)規(guī)模持續(xù)擴(kuò)大，市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)達(dá)到1496.1億元，同比增長(zhǎng)7.2%，增速較2015年有所回升。　　通信、汽車(chē)成為2016年市場(chǎng)增長(zhǎng)亮點(diǎn) 　　從下游應(yīng)用產(chǎn)品的需求來(lái)看，通信和汽車(chē)領(lǐng)域是推動(dòng)功率器件市場(chǎng)增長(zhǎng)的主要驅(qū)動(dòng)力。　　從通信主要產(chǎn)品產(chǎn)量來(lái)看，1-10月，我國(guó)生產(chǎn)手機(jī)17億部，同比增長(zhǎng)19.9%，其中智能手機(jī)12
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技術(shù)路線圖指導(dǎo) 做強(qiáng)中國(guó)功率半導(dǎo)體

在我國(guó)綠色能源產(chǎn)業(yè)發(fā)展的推動(dòng)下，功率半導(dǎo)體已經(jīng)成為建設(shè)節(jié)約型社會(huì)、促進(jìn)國(guó)民經(jīng)濟(jì)發(fā)展、踐行創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)發(fā)展戰(zhàn)略的重要支撐。
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“十三五”期間，功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)應(yīng)有怎樣的路線圖？

　　如果說(shuō)中央處理器(CPU)是一臺(tái)計(jì)算機(jī)的心臟，功率半導(dǎo)體就是電機(jī)的心臟，它可以實(shí)現(xiàn)對(duì)電能的高效產(chǎn)生、傳輸、轉(zhuǎn)換、存儲(chǔ)和控制。我國(guó)發(fā)布《中國(guó)制造2025》，勾勒出未來(lái)十年產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)的整體方向與發(fā)展規(guī)劃，在此過(guò)程中，功率半導(dǎo)體發(fā)揮的作用不可替代。　　然而，與集成電路產(chǎn)業(yè)相似，我國(guó)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展水平與國(guó)際先進(jìn)水平也存在著巨大差距。人們常拿我國(guó)每年集成電路進(jìn)口額與石油進(jìn)行比較，其實(shí)如果按比例計(jì)算，我國(guó)功率半導(dǎo)體的進(jìn)口替代能力可能更弱。隨著“節(jié)能減排”、“開(kāi)發(fā)綠色
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手機(jī)及可穿戴產(chǎn)品需要快速充電及小體積適配器

　　充電和電池管理對(duì)智能手機(jī)來(lái)說(shuō)，仍是關(guān)鍵的功能，未來(lái)多年將持續(xù)有創(chuàng)新。有線和無(wú)線充電的改進(jìn)可能大大擴(kuò)展便攜式產(chǎn)品的使用，我們不斷提升此功能的極限。充電系統(tǒng)要求供電產(chǎn)品(如壁式適配器)或無(wú)線充電發(fā)射器和接收器(如智能手機(jī)和平板電腦)的設(shè)計(jì)都具高能效。安森美半導(dǎo)體專(zhuān)注于這兩大應(yīng)用，提供完整、優(yōu)化和高能效的充電方案，以滿(mǎn)足所有這些產(chǎn)品的功率要求?！　∈袌?chǎng)對(duì)于更快充電時(shí)間、更大電池容量和更小適配器的要求，把智能手機(jī)和平板電腦的供電能力推到傳統(tǒng)半導(dǎo)體器件不可行的地步。新一代系統(tǒng)將需要氮化鎵(GaN)方案取代傳統(tǒng)M
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【功率器件心得分享】+GaN與SiC新型功率器件

　　1 GaN 功率管的發(fā)展　　微波功率器件近年來(lái)已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場(chǎng)效應(yīng)管以及在移動(dòng)通信領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過(guò)渡。SiC、GaN 材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場(chǎng)等突出優(yōu)點(diǎn)，與剛石等半導(dǎo)體材料一起，被譽(yù)為是繼第一代 Ge、Si 半導(dǎo)體材料、第二代 GaAs、InP
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【功率器件心得分享】+GaN與SiC新型功率器件

　　1 GaN 功率管的發(fā)展　　微波功率器件近年來(lái)已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場(chǎng)效應(yīng)管以及在移動(dòng)通信領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過(guò)渡。SiC、GaN 材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場(chǎng)等突出優(yōu)點(diǎn)，與剛石等半導(dǎo)體材料一起，被譽(yù)為是繼第一代 Ge、Si 半導(dǎo)體材料、第二代 GaAs、InP
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