當諾貝爾獎委員會在2014年宣布物理獎得主是發(fā)明藍光LED而得獎的日本學者赤崎勇、天野浩與中村修二三位學者后，掀起日本人對LED及氮化鎵(GaN)注意，也讓相關研究單位及研究計劃獲得更多的支持與關注。
比方2015年以諾貝爾獎得主天野浩帶頭的新單位─名古屋大學GaN聯盟，便有29家企業(yè)、14所大學、與2個技術研發(fā)基金會加入;日本產業(yè)技術總和研究所(AIST)與名古屋大學(NagoyaUniversity)合作，在2016年成立產總研名大氮化鎵半導體先進零組件開創(chuàng)研究實驗室(GaN-OIL)，都是
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GaN LED
當諾貝爾獎委員會在2014年宣布物理獎得主是發(fā)明藍光LED而得獎的日本學者赤崎勇、天野浩與中村修二三位學者后，掀起日本人對LED及氮化鎵(GaN)注意，也讓相關研究單位及研究計劃獲得更多的支持與關注。
比方2015年以諾貝爾獎得主天野浩帶頭的新單位─名古屋大學GaN聯盟，便有29家企業(yè)、14所大學、與2個技術研發(fā)基金會加入;日本產業(yè)技術總和研究所(AIST)與名古屋大學(Nagoya University)合作，在2016年成立產總研名大氮化鎵半導體先進零組件開創(chuàng)研究實驗室(GaN-OIL)，都
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GaN 藍光LED
三菱電機今年繼續(xù)以“創(chuàng)新功率器件構建可持續(xù)未來”為主題， 攜帶八款新型功率器件，在今天正式亮相PCIM Asia 2016(上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會)，受到廣大參觀者的一致好評，參觀者們紛紛在三菱電機展臺拍照留念，三菱電機再次向公眾展示其在功率半導體市場上的非凡實力(三菱電機展位號：B15)。
今年展出的功率器件應用范圍跨越四大領域，包括：變頻家電、軌道牽引及電力傳輸、電動汽車、工業(yè)和新能源發(fā)電，致力為客戶提供高性能及低損耗的產品。
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三菱電機 功率器件
當前，全球半導體產業(yè)正處于深度變革，化合物半導體成為產業(yè)發(fā)展新的關注點，我國應加緊產業(yè)布局，搶占發(fā)展的主動權。
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GaAs GaN
臺灣臺積電(TSMC)在“ISPSD 2016”上公開了受托生產服務的藍圖及試制元件的特性等。該公司將采用在直徑150mm(6英寸)的硅基板上形成GaN層的“硅基氮化鎵”(GaN on Si)技術生產GaN晶體管。
臺積電打算開展受托生產的GaN晶體管有三種類型：(1)常開型(Normal On)MISFET、(2)常開型HEMT、(3)常關型(Normal Off)。按耐壓高低來分有40V、100V和650V產品。
其中，耐壓650V的常關
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臺積電 GaN
三菱電機今年繼續(xù)以“創(chuàng)新 功率器件構建可持續(xù)未來”為主題， 攜帶八款新型功率器件，于6月28至30日在上海世博展覽館舉行的 PCIMAsia2016(上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會)中登場，向公眾展示其在功率 半導體市場上的非凡實力(三菱電機展位號：B15)。
今年展出的功率器件應用范圍跨越四大領域，包括：變頻家電、軌道牽引及電力傳輸、電動 汽車、工業(yè)和新能源發(fā)電，致力為客戶提供高性能及低損耗的產品。
變頻家電市場
在變頻家電應用方面，三菱電機這次在去
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三菱 功率器件
移動應用、基礎設施與航空航天、國防等應用中領先的RF解決方案供應商Qorvo, Inc.今日宣布，推出六款全新50V氮化鎵(GaN)晶體管---QPD1009和QPD1010，以及QPD1008(L)和QPD1015(L)，專門設計用于優(yōu)化商業(yè)用雷達、通信系統及航空電子應用的功率性能。
Qorvo 國防與航空航天產品總經理Roger Hall表示：“全新50V GaN晶體管系列通過提供更高功率增益和功率附加效率來提升系統性能。Qorvo可以更好地實現相位陣列雷達等先進設備的要求，提供
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Qorvo GaN
氮化鎵 (GaN) 技術由于其出色的開關特性和不斷提升的品質，近期逐漸得到了電力轉換應用的青睞。具有低寄生電容和零反向恢復的安全GaN可實現更高的開關頻率和效率，從而為全新應用和拓撲選項打開了大門。連續(xù)傳導模式 (CCM)圖騰柱PFC就是一個得益于GaN優(yōu)點的拓撲。與通常使用的雙升壓無橋PFC拓撲相比，CCM圖騰柱無橋PFC能夠使半導體開關和升壓電感器的數量減半，同時又能將峰值效率推升到95%以上。本文分析了AC交叉區(qū)域內出現電流尖峰的根本原因，并給出了相應的解決方案。一個750W圖騰柱PFC原型機被
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GaN PFC
基于數十年的電源管理創(chuàng)新經驗，德州儀器(TI)近日宣布推出一款600V氮化鎵(GaN)70 mù場效應晶體管(FET)功率級工程樣片，從而使TI成為首家，也是唯一一家能夠向公眾提供集成有高壓驅動器的GaN解決方案的半導體廠商。與基于硅材料FET的解決方案相比，這款全新的12A LMG3410功率級與TI的模擬與數字電力轉換控制器組合在一起，能使設計人員創(chuàng)造出尺寸更小、效率更高并且性能更佳的設計。而這些優(yōu)勢在隔離式高壓工業(yè)、電信、企業(yè)計算和可再生能源應用中都特別重要。如需了解更多信息
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TI GaN
氮化鎵(GaN)是一種新興的半導體工藝技術，提供超越硅的多種優(yōu)勢，被稱為第三代半導體材料，用于電源系統的設計如功率因數校正(PFC)、軟開關DC-DC、各種終端應用如電源適配器、光伏逆變器或太陽能逆變器、服務器及通信電源等，可實現硅器件難以達到的更高電源轉換效率和更高的功率密度水平，為開關電源和其它在能效及功率密度至關重要的應用帶來性能飛躍。 GaN的優(yōu)勢 從表1可見，GaN具備出色的擊穿能力、更高的電子密度及速度，和更高的工作溫度。GaN提供高電子遷移率，這意味著開關過程的反向恢復時間可忽略不計
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安森美 GaN
萬國半導體?(Alpha?and?Omega?Semiconductor?,AOS)為集設計、開發(fā)與銷售為一體的功率半導體供應商，提供廣泛的功率半導體產品線，包括完整的功率MOSFET和電源管理IC產品系列?！耙孕履茉醇夹g的逐漸實用化為主軸，功率變換市場正經歷一場歷史性的變革。新能源的普及過程中電池儲能技術是關鍵的一環(huán)?！?AOS?MOSFET全球市場資深總監(jiān)馮雷指出。 那2016年的功率器件市場發(fā)展具體呈現出哪些特點呢?馮雷表示
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AOS 功率器件
為了提高系統可靠性并降低保修成本，設計人員在功率器件中加入故障保護電路，以免器件發(fā)生故障，避免對電子系統造成高代價的損害。這通常利用外部傳感器、分立電路和軟件來實現，但是在更多情況下，設計人員使用完全自保護的MOSFET功率器件來完成?！ D1顯示了完全自保護MOSFET的一般拓撲結構。這些器件常見的其他特性包括狀態(tài)指示、數字輸入、差分輸入和過壓及欠壓切斷。高端配置包括片上電荷泵功能。但是，大多數器件都具備三個電路模塊，即電流限制、溫度限制和漏-源過壓箝制，為器件提供大部分的保護?！ ?nbsp;&n
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MOSFET 功率器件
我國把節(jié)能環(huán)保產業(yè)列為七大新興戰(zhàn)略型產業(yè)之首，可見節(jié)能環(huán)保的重要性。而其實現離不開高能效、高密度的功率器件、模塊，以及各種高精度、低能耗的控制和模擬芯片等。為此，“電子產品世界”推出此專題，選取電源的六大熱門領域，邀請部分領軍企業(yè)介紹了技術市場動向及新產品。
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功率器件 模擬芯片
*貴公司所關注的智能制造(傳感、控制或安全等)方面，相關的技術及發(fā)展趨勢如何? Littelfuse目前致力于消費類電子產品的市場推進，利用我們在電路保護領域取得的優(yōu)勢進一步的拓寬傳感器和電源控制的產品。這些都是我們的未來的產品的方向，智能化的穿戴設備智能家居都離不開傳感器的存在，例如我們的位置開關，門禁開關都是我們的傳感器的產品。電源控制產品是基于我們傳統的半導體的技術的進一步的創(chuàng)新，例如我們的開發(fā)的碳化硅的開關器件可以很好地降低開關的損耗，提高開關頻率更好的適應電力電子產品對器件的高性能的需求。
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力特 傳感器 功率器件
600v氮化鎵（gan）功率器件介紹
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