600v氮化鎵（gan）功率器件 文章 進入600v氮化鎵（gan）功率器件技術社區(qū)
波音和通用實驗室研發(fā)出GaN CMOS場效應晶體管
- 由美國波音公司和通用汽車公司擁有的研發(fā)實驗室-HRL實驗室已經(jīng)宣布其實現(xiàn)互補金屬氧化物半導體(CMOS)FET技術的首次展示。該研究結(jié)果發(fā)表于2016年1月6日的inieee電子器件快報上。 在此過程中，該實驗室已經(jīng)確定半導體的卓越晶體管性能可以在集成電路中加以利用。這一突破為氮化鎵成為目前以硅為原材料的電源轉(zhuǎn)換電路的備選技術鋪平了道路。 氮化鎵晶體管在電源開關和微波/毫米波應用中有出色的表現(xiàn)，但該潛力還未用于集成功率轉(zhuǎn)換。“除非快速切換GaN功率晶體管在電源電路中故意放緩，否
- 關鍵字： GaN 場效應晶體管
新型GaN功率器件的市場應用趨勢
- 第五屆EEVIA年度中國ICT媒體論壇暨2016產(chǎn)業(yè)和技術展望研討會 時間：2016.01.14 下午 地點：深圳南山軟件創(chuàng)業(yè)基地 IC咖啡 演講主題: 新型GaN功率器件的市場應用趨勢 演講嘉賓: 蔡振宇 富士通電子元器件市場部高級經(jīng)理 主持人：接下來開始第三場演講。大家知道無論消費電子產(chǎn)品還是通訊硬件、電動車以及家用電器，提升電源的轉(zhuǎn)換能效、功率密度、延長電池使用的時間，這已經(jīng)是比較大的挑戰(zhàn)了。所有這一切都意味著電子產(chǎn)業(yè)會越來越依賴新型功
- 關鍵字： GaN 功率器件
物聯(lián)網(wǎng)將如何影響半導體芯片廠商？
- 未來虛擬現(xiàn)實和智能汽車成為焦點，VR將會引發(fā)的變革成了全產(chǎn)業(yè)鏈熱議的話題，VR也必會給物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)帶來變革，而對于IoT可能帶來的更多變化，半導體廠商該如何應對?
- 關鍵字： 物聯(lián)網(wǎng) GaN
用結(jié)點溫度評估器件可靠性的案例分析
- 摘要：工程師在設計一款產(chǎn)品時用了一顆9A的MOS管，量產(chǎn)后發(fā)現(xiàn)壞品率偏高，經(jīng)重新計算分析后，換成了一顆5A的MOS管，問題解決。為什么用電流裕量更小的器件，卻能提高可靠性呢? 工程師在設計的過程中非常注意元器件性能上的裕量，卻很容易忽視熱耗散設計，案例分析我們放到最后說，為了幫助理解，我們先引入一個概念： 其中Tc為芯片的外殼溫度，P D為芯片在該環(huán)境中的耗散功率，Tj表示芯片的結(jié)點溫度，目前大多數(shù)芯片的結(jié)點溫度為150℃，Rjc表示芯片內(nèi)部至外殼的熱阻，Rcs
- 關鍵字： 開關器件 功率器件
實時功率GaN波形監(jiān)視的設計方案
- 簡介 功率氮化鎵 (GaN) 器件是電源設計人員工具箱內(nèi)令人激動的新成員。特別是對于那些想要深入研究GaN的較高開關頻率如何能夠?qū)е赂哳l率和更高功率密度的開發(fā)人員更是如此。RF GaN是一項已大批量生產(chǎn)的經(jīng)驗證技術，由于其相對于硅材料所具有的優(yōu)勢，這項技術用于蜂窩基站和數(shù)款軍用/航空航天系統(tǒng)中的功率放大器。在這篇文章中，我們將比較GaN FET與硅FET二者的退化機制，并討論波形監(jiān)視的必要性。 使用壽命預測指標 功率GaN落后于RF GaN的主要原因在于需要花時間執(zhí)行數(shù)個供貨商所使
- 關鍵字： GaN
電源模塊并聯(lián)應用的方法和注意事項
- 摘要：在電源系統(tǒng)設計中，當一個電源模塊的功率無法滿足系統(tǒng)的設計要求時，我們往往會考慮多個模塊的并聯(lián)使用。如果并聯(lián)設計不合理，就會導致并聯(lián)模塊輸出均流失效，會有燒壞電源模塊、甚至損壞后級系統(tǒng)的風險。今天跟大家簡單分享一些造成電源模塊并聯(lián)失效的真正原因。 目前電源系統(tǒng)的發(fā)展趨勢采用新型的功率器件實現(xiàn)小型、輕量、高效率的電源模塊化，通過并聯(lián)進行擴容。電源并聯(lián)運行是電源產(chǎn)品模塊化、大容量化的一個有效方案，是電源技術發(fā)展的趨勢之一，是實現(xiàn)組合大功率電源系統(tǒng)的重點。 1.不
- 關鍵字： 電源模塊 功率器件
EV/HEV市場可期 SiC/GaN功率器件步入快車道
- 根據(jù)Yole Development預測，功率晶體管將從硅晶徹底轉(zhuǎn)移至碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)基板，以期能在更小的空間中實現(xiàn)更高功率。 在最新出版的“GaN與SiC器件驅(qū)動電力電子應用”(GaN and SiC Devices for Power Electronics Applications)報告中，Yole Development指出，促進這一轉(zhuǎn)型的巨大驅(qū)動力量之一來自電動車(EV)與混合動力車(HEV)產(chǎn)業(yè)。Yole預期EV/HEV產(chǎn)業(yè)將持續(xù)大力推動Si
- 關鍵字： SiC GaN
600v氮化鎵（gan）功率器件介紹
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