600v氮化鎵（gan）功率器件文章進(jìn)入600v氮化鎵（gan）功率器件技術(shù)社區(qū)

功率器件交貨期持續(xù)拉長(zhǎng)，供應(yīng)短缺局面何時(shí)結(jié)束？

全球性需求增加也帶動(dòng)市場(chǎng)增長(zhǎng)，但是功率分立器件交貨期開(kāi)始延長(zhǎng)暫時(shí)還沒(méi)有什么解決辦法。
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制造能耗變革從新一代半導(dǎo)體開(kāi)始

　　接近62%的能源被白白浪費(fèi) 　　美國(guó)制造創(chuàng)新網(wǎng)絡(luò)(目前稱(chēng)為MgfUSA)已經(jīng)闡明了美國(guó)制造業(yè)規(guī)劃的聚焦點(diǎn)在材料與能源。清潔能源智能制造CESMII中的清潔能源與能源互聯(lián)網(wǎng)自不必說(shuō)，而在復(fù)合材料IACMI和輕量化研究院LIFT中都關(guān)注到了汽車(chē)減重設(shè)計(jì)，本身也是為了降低能源消耗的問(wèn)題。在美國(guó)第二個(gè)創(chuàng)新研究院“美國(guó)電力創(chuàng)新研究院” Power Amercia(PA)其關(guān)注點(diǎn)同樣在于能源的問(wèn)題。這是一個(gè)關(guān)于巨大的能源市場(chǎng)的創(chuàng)新中心。　　　　圖1：整體的能源轉(zhuǎn)換效率約在38
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GaN器件開(kāi)路 5G將重塑RF產(chǎn)業(yè)

　　未來(lái)五年，通信產(chǎn)業(yè)向5G時(shí)代的革命性轉(zhuǎn)變正在深刻重塑RF(射頻)技術(shù)產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀。這不僅是針對(duì)智能手機(jī)市場(chǎng)，還包括3W應(yīng)用RF通信基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用，并且，5G將為RF功率市場(chǎng)的化合物半導(dǎo)體技術(shù)帶來(lái)重大市場(chǎng)機(jī)遇。　　未來(lái)幾年，據(jù)Yole最新發(fā)布的《RF功率市場(chǎng)和技術(shù)趨勢(shì)-2017版》報(bào)告預(yù)計(jì)，隨著電信基站升級(jí)和小型基站部署的需求增長(zhǎng)，RF功率市場(chǎng)將獲得強(qiáng)勁增長(zhǎng)。2016~2022年期間，整體RF功率市場(chǎng)營(yíng)收或?qū)⒃鲩L(zhǎng)75%，帶來(lái)9.8%的復(fù)合年增長(zhǎng)率。這意味著市場(chǎng)營(yíng)收規(guī)模將從2016年的15億美元增長(zhǎng)至202
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5G推動(dòng)RF PA技術(shù)改朝換代 GaN逐漸取代LDMOS

展望未來(lái)，采用GaN制程的RF PA將成為輸出功率3W以上的RF PA所采用的主流制程技術(shù)，LDMOS制程的市場(chǎng)份額則會(huì)明顯萎縮。
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三菱電機(jī)強(qiáng)勢(shì)出擊PCIM亞洲2017展

　　三菱電機(jī)(www.MitsubishiElectric-mesh.com)今日在上海世博展覽館舉行的PCIM 亞洲 2017展會(huì)中隆重登場(chǎng)(三菱電機(jī)展位號(hào):E06)，所展出的十款新型功率器件大受觀眾歡迎，不斷吸引觀眾前來(lái)參觀了解三菱電機(jī)最新的技術(shù)、產(chǎn)品和優(yōu)勢(shì)?！　∪怆姍C(jī)以“創(chuàng)新功率器件構(gòu)建可持續(xù)未來(lái)”為主題，今年展出的功率器件應(yīng)用范圍跨越五大領(lǐng)域，包括：變頻家電、鐵道牽引及電力傳輸、電動(dòng)汽車(chē)、工業(yè)應(yīng)用和新能源發(fā)電，致力為客戶(hù)提供高性能及低損耗的產(chǎn)品，其中第7代IGBT模塊更首次作
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2021年全球MOCVD市場(chǎng)將突破11億美元

　　什么是MOCVD? 　　MOCVD是在氣相外延生長(zhǎng)(VPE)的基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的一種新型氣相外延生長(zhǎng)技術(shù)。主要以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有機(jī)化合物和V、Ⅵ族元素的氫化物等作為晶體生長(zhǎng)源材料，以熱分解反應(yīng)方式在襯底上進(jìn)行氣相外延，生長(zhǎng)各種Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半導(dǎo)體以及它們的多元固溶體的薄層單晶材料。　　MOCVD設(shè)備主要用于半導(dǎo)體材料襯底的外延生長(zhǎng)，是LED以及半導(dǎo)體器件的關(guān)鍵設(shè)備。　　根據(jù)Technavio統(tǒng)計(jì)，全球MOCVD市場(chǎng)的復(fù)合年平均增長(zhǎng)率將在2021年之前增長(zhǎng)到14%，市場(chǎng)規(guī)模將從201
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東芝推出額定值為5A／600V的高壓智能功率器件

　　東芝公司旗下存儲(chǔ)與電子元器件解決方案公司近日宣布推出最新產(chǎn)品“TPD4207F”，擴(kuò)大其小型封裝高壓智能功率器件(IPD)產(chǎn)品陣容，該產(chǎn)品適用于空調(diào)、空氣凈化器的風(fēng)扇電機(jī)和泵等各類(lèi)產(chǎn)品。新IPD采用小型“SOP30”表面貼裝型封裝，實(shí)現(xiàn)更大的額定電流(5A)和600V的高電壓。量產(chǎn)出貨即日啟動(dòng)?！　≡撔翴PD利用東芝最新MOSFET技術(shù)——600V超結(jié)MOSFET“DTMOSIV系列”，有效減小功率損耗，實(shí)現(xiàn)5A額定電流。這一電流足以驅(qū)動(dòng)冰箱的壓縮機(jī)電機(jī)，這是現(xiàn)有IPD無(wú)法做到的，因此新IPD的應(yīng)用范
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IGBT驅(qū)動(dòng)電路的作用、工作特性與使用要求

　　IGBT驅(qū)動(dòng)電路的作用：　　IGBT驅(qū)動(dòng)電路的作用主要是將單片機(jī)脈沖輸出的功率進(jìn)行放大，以達(dá)到驅(qū)動(dòng)IGBT功率器件的目的。在保證IGBT器件可靠、穩(wěn)定、安全工作的前提，驅(qū)動(dòng)電路起到至關(guān)重要的作用?！　GBT的工作特性：　　IGBT的等效電路及符合如圖1所示,IGBT由柵極正負(fù)電壓來(lái)控制。當(dāng)加上正柵極電壓時(shí),管子導(dǎo)通;當(dāng)加上負(fù)柵極電壓時(shí),管子關(guān)斷?！　? ?　　IGBT具有和雙極型電力晶體管類(lèi)似的伏安特性,隨著控制電壓UGE的增加,特性曲線上移。開(kāi)關(guān)電源中的IGBT通過(guò)UGE電平
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趁著第三代半導(dǎo)體的東風(fēng)，紫外LED要做弄潮兒

本文主要介紹了第三代半導(dǎo)體固態(tài)紫外光源材料及器件關(guān)鍵技術(shù)的研究目的、意義和社會(huì)影響力。
關(guān)鍵字：照明紫外LED GaN 第三代半導(dǎo)體

GaN組件和AMO技術(shù)實(shí)現(xiàn)更高效率與寬帶

隨著無(wú)線通信的帶寬、用戶(hù)數(shù)目以及地理覆蓋范圍擴(kuò)展，基地臺(tái)收發(fā)器的功率放大器(PA) 部份對(duì)于更高效率的需求也不斷成長(zhǎng)。無(wú)線功率放大器所消耗的功率超過(guò)了基地臺(tái)運(yùn)作所需功率的一半。透過(guò)提高效率來(lái)減少功耗具有多項(xiàng)優(yōu)勢(shì)，首先，最明顯的好處是降低運(yùn)營(yíng)成本；同時(shí)，更少的熱意味著更低的設(shè)備冷卻需求以及更高的可靠性。
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第三代半導(dǎo)體材料盛行，GaN與SiC如何撬動(dòng)新型功率器件

GaN 功率管的發(fā)展微波功率器件近年來(lái)已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場(chǎng)效應(yīng)管以及在移動(dòng)通信領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過(guò)渡。SiC、GaN 材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場(chǎng)等突出優(yōu)點(diǎn)，與剛石等半導(dǎo)體材料一起，被譽(yù)為是繼第一代 Ge、Si 半導(dǎo)體材料、第二代
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中國(guó)的功率器件制造產(chǎn)業(yè)尚處于早期階段，前景廣闊

　　功率集成電路器件的產(chǎn)地正發(fā)生著重大改變。過(guò)去10年來(lái)，中國(guó)、歐洲和東南亞地區(qū)的功率器件制造業(yè)取得迅猛發(fā)展，而北美地區(qū)則逐漸走下坡路。　　在市場(chǎng)機(jī)遇方面，隨著電池供電與互聯(lián)消費(fèi)產(chǎn)品及電動(dòng)車(chē)的涌現(xiàn)，功率器件需求預(yù)計(jì)將更加強(qiáng)勁。如下方圖片所示，中國(guó)的智能手機(jī)需求增長(zhǎng)與功率集成電路消費(fèi)趨勢(shì)相符。未來(lái)，中國(guó)有望成為半導(dǎo)體器件包括功率器件主要的設(shè)計(jì)與制造來(lái)源。　　目前，中國(guó)的功率器件制造產(chǎn)業(yè)尚處于早期階段。在初始階段，中國(guó)制造的主要是簡(jiǎn)單的二極管和功率MOSFET。批量制造如IGBT等更加復(fù)雜精細(xì)的功率器
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MACOM：硅基GaN產(chǎn)品更適應(yīng)5G未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì)

　　MACOM是半導(dǎo)體行業(yè)的支柱型企業(yè)，在60多年的蓬勃發(fā)展歷程中，公司敢于采用大膽的技術(shù)手段，為客戶(hù)提供真正的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)并為投資者帶來(lái)卓越的價(jià)值，致力于構(gòu)筑更加美好的世界。　　在基礎(chǔ)設(shè)施的建設(shè)領(lǐng)域中，MACOM的技術(shù)提高了移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)的速度和覆蓋率，讓光纖網(wǎng)絡(luò)得以向企業(yè)、家庭和數(shù)據(jù)中心傳輸以前無(wú)法想象的巨大通信量，讓數(shù)百萬(wàn)人在生活中每時(shí)每刻方便地交流溝通。　　日前在上海舉辦的EDICON展會(huì)上，MACOM展出了一系列應(yīng)用在基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域中的射頻功率晶體管產(chǎn)品，根據(jù)客戶(hù)的需求及痛點(diǎn)提供一站式解決方案。
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中國(guó)功率集成電路制造產(chǎn)業(yè)前景廣闊　

本文介紹了中國(guó)功率器件制造業(yè)未來(lái)發(fā)展所擁有的環(huán)境優(yōu)勢(shì)以及政策優(yōu)勢(shì)，分析了中國(guó)功率器件未來(lái)發(fā)展的廣闊前景。
關(guān)鍵字：功率器件產(chǎn)能政策 201705

汽車(chē)功率元器件市場(chǎng)前景廣闊

　　汽車(chē)功率電子產(chǎn)品正成為半導(dǎo)體行業(yè)的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)因素之一。這些電子產(chǎn)品包括功率元器件，是支撐新型電動(dòng)汽車(chē)?yán)m(xù)航里程達(dá)到至少200英里的核心部件。　　雖然智能手機(jī)的出貨量遠(yuǎn)高于汽車(chē)(2015年為14億部[1]，汽車(chē)銷(xiāo)量為8,800萬(wàn)輛[2])，但汽車(chē)的半導(dǎo)體零件含量卻高得多。汽車(chē)功率IC穩(wěn)健增長(zhǎng)，2015-2020年該行業(yè)的年復(fù)合增長(zhǎng)率預(yù)計(jì)將達(dá)8%[3]。尤其是電池驅(qū)動(dòng)的電動(dòng)汽車(chē)在該行業(yè)成為強(qiáng)勁增長(zhǎng)推動(dòng)力，2015年5月Teardown.com針對(duì)寶馬i3電動(dòng)車(chē)的報(bào)告顯示，該車(chē)型物料清單中包含100多個(gè)電源
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