中文字幕 另类精品,亚洲欧美一区二区蜜桃,日本在线精品视频免费,孩交精品乱子片免费

<sup id="3hn2b"></sup>

    1. <sub id="3hn2b"><ol id="3hn2b"></ol></sub><legend id="3hn2b"></legend>

      1. <xmp id="3hn2b"></xmp>

      2. 首頁  資訊  商機(jī)   下載  拆解   高校  招聘   雜志  會(huì)展  EETV  百科   問答  電路圖  工程師手冊   Datasheet  100例   活動(dòng)中心  E周刊閱讀   樣片申請
        EEPW首頁 >> 主題列表 >> 600v氮化鎵(gan)功率器件

        硅基GaN LED及光萃取技術(shù)實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比照明

        • 傳統(tǒng)的氮化鎵(GaN)LED元件通常以藍(lán)寶石或碳化硅(SiC)為襯底,因?yàn)檫@兩種材料與GaN的晶格匹配度較好,襯底常用尺寸為...
        • 關(guān)鍵字: GaN    LED    光萃取技術(shù)  

        隔離驅(qū)動(dòng)IGBT功率器件設(shè)計(jì)技巧八大問

        • IGBT,PowerMOSFET和BipolarPowerTransistor等功率器件,都需要有充分的保護(hù)以避免欠壓、米勒效應(yīng)、缺失飽和...
        • 關(guān)鍵字: 隔離驅(qū)動(dòng)  功率器件  

        大功率高壓變頻器功率器件熱設(shè)計(jì)淺析

        • 大型電力電子設(shè)備中,隨著溫度的增加,失效率也增加,因此大功率高壓變頻器功率器件的熱設(shè)計(jì)直接關(guān)系到設(shè)備的可...
        • 關(guān)鍵字: 大功率  高壓變頻器  功率器件  

        功率器件的利器 GaN

        •   GaN是什么?   什么是GaN?GaN中文名:氮化嫁,用化學(xué)元素來解釋就是V族化合物。六方晶系鉛鋅礦型結(jié)構(gòu),為直接帶隙半導(dǎo)體。室溫禁帶寬度3.39eV。電子和空穴有效慣性質(zhì)量分別為0.19和0.6。電阻率>107Ω·m,電子遷移率 (1.25~1.50)×10-2m2/(V·s)。采用化學(xué)氣相淀積法制備。   GaN材料的研究與應(yīng)用是全球半導(dǎo)體研究的熱點(diǎn),是研制微電子器件、光電子器件的新型半導(dǎo)體材料,并與SIC、金剛石等半導(dǎo)體材料一起,被
        • 關(guān)鍵字: GaN  功率器件  

        電子化開啟汽車新概念時(shí)代

        • 摘要:通過探討新一代汽車電子滿足消費(fèi)者對汽車在安全、舒適與節(jié)能三個(gè)方面的要求方面的具體技術(shù)發(fā)展,構(gòu)畫出全新的汽車功能的未來。
        • 關(guān)鍵字: 汽車電子  汽車工業(yè)  新能源汽車  功率器件  ECU  201308  

        富士通半導(dǎo)體推出耐壓150V的GaN功率器件產(chǎn)品

        • 富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司日前宣布,推出基于硅襯底的氮化鎵(GaN)功率器件芯片MB51T008A,該芯片可耐壓150 V。富士通半導(dǎo)體將于2013年7月起開始提供新品樣片。該產(chǎn)品初始狀態(tài)是斷開(Normally-off),相比于同等耐壓規(guī)格的硅功率器件,品質(zhì)因數(shù)(FOM)可降低近一半。
        • 關(guān)鍵字: 富士通  功率器件  GaN  MB51T008A  

        SiC和GaN是“下一代”還是“當(dāng)代”?

        •   SiC企業(yè)不斷增多,成本不斷下降”一文中,作者根津在開篇寫道:“下一代功率半導(dǎo)體已經(jīng)不再特別。”這是因?yàn)?,隨著使用SiC和GaN等“下一代功率半導(dǎo)體”的大量發(fā)布,在學(xué)會(huì)和展會(huì)的舞臺(tái)上,這種功率半導(dǎo)體逐漸帶上了“當(dāng)代”的色彩。   那么,在使用功率半導(dǎo)體的制造現(xiàn)場,情況又是如何呢?雖然使用SiC和GaN的產(chǎn)品目前尚處開始增加的階段,仍屬于“下一代”,但在功率半導(dǎo)體使用者的心目中,此類產(chǎn)品已逐漸由
        • 關(guān)鍵字: SiC  GaN  

        瑞薩針對配有微型隔離器的IGBT驅(qū)動(dòng)器發(fā)布智能功率器件

        •   微型隔離器的應(yīng)用可進(jìn)一步縮小電動(dòng)及混合動(dòng)力汽車功率逆變器的體積   瑞薩電子公司開發(fā)的配有內(nèi)置式微型隔離器的 IGBT 驅(qū)動(dòng)器智能器件   日本東京訊-全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體及解決方案供應(yīng)商瑞薩電子株式會(huì)社(TSE:6723)今天宣布開發(fā)出了隔離型IGBT驅(qū)動(dòng)器的R2A25110KSP智能型功率器件, 適用于電動(dòng)和混合動(dòng)力汽車功率逆變器。R2A25110KSP中融入了瑞薩電子公司最新開發(fā)的微型隔離器隔離專項(xiàng)技術(shù)。這些技術(shù)可為汽車應(yīng)用系統(tǒng)建立更可靠、更緊湊的系統(tǒng)。   用于驅(qū)動(dòng)電動(dòng)和混合動(dòng)力汽車中的電機(jī)
        • 關(guān)鍵字: 瑞薩  功率器件  

        未來十年GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場將以18%的速度穩(wěn)增

        •   在未來十年,受電源、光伏(PV)逆變器以及工業(yè)電動(dòng)機(jī)的需求驅(qū)動(dòng),新興的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體市場將以18%的驚人速度穩(wěn)步增長。   據(jù)有關(guān)報(bào)告稱,至2022年SiC和GaN功率半導(dǎo)體的全球銷售額將從2012年的1.43億美元增加到28億美元。據(jù)預(yù)測,未來十年這一市場的銷售額將實(shí)現(xiàn)兩位數(shù)的年增長率。   SiC肖特基二極管已存在十多年,SiC金氧半場效晶體管(MOSFET)、結(jié)晶性場效應(yīng)晶體管(JFET)和雙極型晶體管(BJT)在最近幾年出現(xiàn)。GaN功率半導(dǎo)體則剛剛進(jìn)入市場。G
        • 關(guān)鍵字: GaN  半導(dǎo)體  SiC  

        未來十年GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場將以18%的速度穩(wěn)增

        •   在未來十年,受電源、光伏(PV)逆變器以及工業(yè)電動(dòng)機(jī)的需求驅(qū)動(dòng),新興的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體市場將以18%的驚人速度穩(wěn)步增長。   據(jù)有關(guān)報(bào)告稱,至2022年SiC和GaN功率半導(dǎo)體的全球銷售額將從2012年的1.43億美元增加到28億美元。據(jù)預(yù)測,未來十年這一市場的銷售額將實(shí)現(xiàn)兩位數(shù)的年增長率。   SiC肖特基二極管已存在十多年,SiC金氧半場效晶體管(MOSFET)、結(jié)晶性場效應(yīng)晶體管(JFET)和雙極型晶體管(BJT)在最近幾年出現(xiàn)。GaN功率半導(dǎo)體則剛剛進(jìn)入市場。G
        • 關(guān)鍵字: GaN  半導(dǎo)體  SiC  

        如何解決驅(qū)動(dòng)單元設(shè)計(jì)中的電磁兼容問題

        • 電磁干擾一般通過空間輻射和通過導(dǎo)線傳導(dǎo),在工程領(lǐng)域一直是人們要解決的難題和研究熱點(diǎn)。驅(qū)動(dòng)單元作為大功率...
        • 關(guān)鍵字: 電磁兼容  電磁干擾  逆變  功率器件  

        常用功率器件MOSFET的基礎(chǔ)知識介紹

        • 常用功率器件MOSFET的基礎(chǔ)知識介紹,我們都懂得如何利用二極管來實(shí)現(xiàn)開關(guān),但是,我們只能對其進(jìn)行開關(guān)操作,而不能逐漸控制信號流。此外,二極管作為開關(guān)取決于信號流的方向;我們不能對其編程以通過或屏蔽一個(gè)
        • 關(guān)鍵字: MOSFET  功率器件  

        三菱化學(xué)計(jì)劃擴(kuò)增LED用GaN基板產(chǎn)能

        •   因照明用LED需求大增,三菱化學(xué)計(jì)劃在2014年初將LED用氮化鎵(GaN)基板產(chǎn)能擴(kuò)增至現(xiàn)行的2-3倍。   目前,三菱化學(xué)利用水島事業(yè)所和筑波事業(yè)所生產(chǎn)的GaN基板,生產(chǎn)的產(chǎn)品直徑為2寸,月產(chǎn)能分別為1,000片、數(shù)百片。   而為了要達(dá)到穩(wěn)定獲利的水平,有必要將產(chǎn)品尺寸擴(kuò)大至4-6寸,所以,三菱化學(xué)計(jì)劃借由調(diào)整水島事業(yè)所現(xiàn)有設(shè)備的制程,開始生產(chǎn)直徑為4寸的GaN基板,月產(chǎn)能為200-300片,并計(jì)劃憑借新設(shè)生產(chǎn)設(shè)備或增設(shè)廠房等措施,開始生產(chǎn)6寸GaN基板,將GaN基板產(chǎn)能擴(kuò)增至現(xiàn)行的2-3倍
        • 關(guān)鍵字: LED  GaN  

        IR潘大偉:善用功率器件,為節(jié)能設(shè)計(jì)保駕護(hù)航

        • 在可以預(yù)見的未來,電能將會(huì)成為我們主要的消耗能源。大至高速列車,小至手機(jī),都不能脫離電能而存在。無論什么類 ...
        • 關(guān)鍵字: IR  功率器件  節(jié)能設(shè)計(jì)  

        揚(yáng)州:電子制造業(yè)“三分天下”推動(dòng)經(jīng)濟(jì)發(fā)展

        •   揚(yáng)州電子信息產(chǎn)業(yè)近年來快速發(fā)展,從電線電纜獨(dú)大,到新能源和新光源產(chǎn)業(yè)崛起,“三分天下”格局初成。目前,電線電纜約占1/3,新光源和新能源各占20%強(qiáng),電子信息制造業(yè)結(jié)構(gòu)趨于合理。未來將通過規(guī)劃引導(dǎo)、項(xiàng)目推動(dòng)、創(chuàng)新突破等3大舉措,促進(jìn)電子制造業(yè)加快發(fā)展。   布局3大產(chǎn)業(yè)   揚(yáng)州電子制造業(yè)形成電線電纜、新光源、新能源3大產(chǎn)業(yè)齊頭并進(jìn)新格局,結(jié)構(gòu)得到優(yōu)化。   目前,揚(yáng)州光伏新能源產(chǎn)業(yè)已形成電子級高純度多晶硅、單晶硅、硅片、電池片、組件全產(chǎn)業(yè)鏈生產(chǎn)能力,多晶硅太陽能電池年產(chǎn)
        • 關(guān)鍵字: 電子制造  功率器件  
        共508條 29/34 |‹ « 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 »

        600v氮化鎵(gan)功率器件介紹

        您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條600v氮化鎵(gan)功率器件!
        歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對600v氮化鎵(gan)功率器件的理解,并與今后在此搜索600v氮化鎵(gan)功率器件的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

        熱門主題

        樹莓派    linux   
        關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會(huì)員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
        Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
        《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
        備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473