5G推動(dòng)RF PA技術(shù)改朝換代 GaN逐漸取代LDMOS
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編者按：展望未來(lái)，采用GaN制程的RF PA將成為輸出功率3W以上的RF PA所采用的主流制程技術(shù)，LDMOS制程的市場(chǎng)份額則會(huì)明顯萎縮。
研究機(jī)構(gòu)Yole Developpement指出，隨著5G技術(shù)日益成熟，未來(lái)射頻功率放大器(RF PA)市場(chǎng)將出現(xiàn)顯著成長(zhǎng)，但傳統(tǒng)的LDMOS制程將逐漸被新興的氮化鎵(GaN)取代，砷化鎵(GaAs)的市場(chǎng)占比則相對(duì)穩(wěn)定。
本文引用地址：http://www.antipu.com.cn/article/201707/362075.htm據(jù)Yole預(yù)估，電信基地臺(tái)設(shè)備升級(jí)與小型基地臺(tái)的廣泛布建，將是推動(dòng)RF PA市場(chǎng)規(guī)模成長(zhǎng)最主要的動(dòng)力來(lái)源。 2016年全球RF PA市場(chǎng)規(guī)模約為15億美元，到2022年時(shí)，市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到25億美元，復(fù)合年增率(CAGR)為9.8%。 不過(guò)，由于導(dǎo)入新的射頻技術(shù)，并且使用更高的通訊頻段，因此RF PA必須使用新的制程技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)。
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