3d-mems 文章進(jìn)入3d-mems技術(shù)社區(qū)

歷時(shí) 7 年研制，賽微電子 MEMS-OCS 光鏈路交換器件實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

2023 年 12 月 24 日，北京賽微電子股份有限公司發(fā)布關(guān)于全資子公司 MEMS-OCS 啟動(dòng)量產(chǎn)的公告，全資子公司 Silex Microsystems AB 以 MEMS（Micro-Electro-Mechanical Systems 的縮寫，即微電子機(jī)械系統(tǒng)，簡稱為微機(jī)電系統(tǒng)）工藝為某客戶制造的 OCS（Optical Circuit Switch 的縮寫，即光鏈路交換器件）完成了工藝及性能驗(yàn)證（工藝開發(fā)與試產(chǎn)的總耗費(fèi)時(shí)間超過 7 年），并于 2023 年 12 月 22 日收到該客戶發(fā)出的
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300層之后，3D NAND的技術(shù)路線圖

開發(fā)下一代 3D NAND 閃存就像攀登永無止境的山峰。
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TDK發(fā)布適用于汽車和工業(yè)應(yīng)用場景的全新ASIL C級雜散場穩(wěn)健型3D HAL傳感器

●? ?HAL 3930-4100（單芯片）和 HAR 3930-4100（雙芯片）是兩款精確的霍爾效應(yīng)位置傳感器，具備穩(wěn)健的雜散場補(bǔ)償能力，并配備 PWM 或 SENT 輸出接口●? ?單芯片傳感器已定義為 ASIL C 級，可以集成到汽車安全相關(guān)系統(tǒng)中，最高可達(dá) ASIL D 級●? ?目標(biāo)汽車應(yīng)用場景包括轉(zhuǎn)向角位置檢測、變速器位置檢測、換檔器位置檢測、底盤位置檢測、油門和制動(dòng)踏板位置檢測**TDK株式會(huì)社利用適用于汽車和工業(yè)應(yīng)用場景的新型
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莫干山高新區(qū)高端MEMS芯片制造項(xiàng)目正式投產(chǎn)

浙江芯晟微機(jī)電制造有限公司開業(yè)儀式舉行，標(biāo)志著總投資5.4億元的高端MEMS芯片制造項(xiàng)目正式投產(chǎn)。據(jù)湖州莫干山高新區(qū)官微消息，日前，浙江芯晟微機(jī)電制造有限公司開業(yè)儀式舉行，標(biāo)志著高端MEMS芯片制造項(xiàng)目正式投產(chǎn)。據(jù)悉，浙江芯晟微機(jī)電制造有限公司MEMS芯片制造項(xiàng)目總投資5.4億元，位于高新區(qū)城北園區(qū)的核心區(qū)域，占地74畝，新增建筑面積8.9萬平方米，項(xiàng)目一期建成6英寸晶圓高端MEMS芯片量產(chǎn)線，將進(jìn)一步優(yōu)化湖州市德清縣芯片制造產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)。
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TDK推出采用3D HAL技術(shù)并具備模擬輸出和SENT接口的位置傳感器

●? ?全新霍爾效應(yīng)傳感器 HAL 3927 采用符合 SAE J2716 rev.4 的比率模擬輸出和數(shù)字 SENT 協(xié)議?！? ?卓越的角度測量以及符合 ISO 26262 標(biāo)準(zhǔn)的開發(fā)水平，以小型 SOIC8 SMD 封裝為高安全要求的汽車和工業(yè)應(yīng)用場景提供支持。TDK 株式會(huì)社近日宣布，其 Micronas 直接角霍爾效應(yīng)傳感器系列產(chǎn)品增添了新成員，現(xiàn)推出面向汽車和工業(yè)應(yīng)用場景的全新 HAL??3927* 傳感器。HAL 3927 采用集成斷線檢測的
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3D ToF相機(jī)于物流倉儲(chǔ)自動(dòng)化的應(yīng)用優(yōu)勢

3D ToF智能相機(jī)能藉助飛時(shí)測距（Time of Flight；ToF）技術(shù)，在物流倉儲(chǔ)現(xiàn)場精準(zhǔn)判斷貨物的擺放位置、方位、距離、角度等資料，確保人員、貨物與無人搬運(yùn)車移動(dòng)順暢，加速物流倉儲(chǔ)行業(yè)自動(dòng)化。2020年全球疫情爆發(fā)，隔離政策改變?nèi)藗兊南M(fèi)模式與型態(tài)，導(dǎo)致電商與物流倉儲(chǔ)業(yè)出現(xiàn)爆炸性成長；于此同時(shí)，人員移動(dòng)的管制，也間接造成人力不足產(chǎn)生缺工問題，加速物流倉儲(chǔ)行業(yè)自動(dòng)化的進(jìn)程，進(jìn)而大量導(dǎo)入無人搬運(yùn)車AGV（Automated Guided Vehicle）／AMR（Autonomous Mobile
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延續(xù)摩爾定律：先進(jìn)封裝進(jìn)入3D堆疊CPU/GPU時(shí)代

堆疊需求旺盛。
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3D NAND還是卷到了300層

近日，三星電子宣布計(jì)劃在明年生產(chǎn)第 9 代 V-NAND 閃存，據(jù)爆料，這款閃存將采用雙層堆棧架構(gòu)，并超過 300 層。同樣在 8 月，SK 海力士表示將進(jìn)一步完善 321 層 NAND 閃存，并計(jì)劃于 2025 年上半期開始量產(chǎn)。早在 5 月份，據(jù)歐洲電子新聞網(wǎng)報(bào)道，西部數(shù)據(jù)和鎧俠這兩家公司的工程師正在尋求實(shí)現(xiàn) 8 平面 3D NAND 設(shè)備以及超過 300 字線的 3D NAND IC。3D NAND 終究還是卷到了 300 層……層數(shù)「爭霸賽」眾所周知，固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還
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芯片巨頭ADI是如何成長的？用“芯”架起物理與數(shù)字的橋梁，為科技向善“超越一切可能”

1. 2022年增長了46%?2023年初，市場調(diào)研公司Gartner發(fā)布了全球前20名半導(dǎo)體廠商的排名，從營收漲跌幅來看，ADI（Analog Devices, Inc.）2022年?duì)I收同比增長46%，在全球前20大半導(dǎo)體廠商中營收增長幅度最大（注：部分原因來自于2021年對Maxim的收購）。而2022年全球半導(dǎo)體業(yè)市場表現(xiàn)低迷，據(jù)Garner統(tǒng)計(jì)，2022年全球半導(dǎo)體收入增長1.1%。 ? ? ? ? ? ? ? &nb
關(guān)鍵字： 202310 ADI 放大器數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器 DSP MEMS

3D DRAM時(shí)代即將到來，泛林集團(tuán)這樣構(gòu)想3D DRAM的未來架構(gòu)

動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (DRAM) 是一種集成電路，目前廣泛應(yīng)用于需要低成本和高容量內(nèi)存的數(shù)字電子設(shè)備，如現(xiàn)代計(jì)算機(jī)、顯卡、便攜式設(shè)備和游戲機(jī)。技術(shù)進(jìn)步驅(qū)動(dòng)了DRAM的微縮，隨著技術(shù)在節(jié)點(diǎn)間迭代，芯片整體面積不斷縮小。DRAM也緊隨NAND的步伐，向三維發(fā)展，以提高單位面積的存儲(chǔ)單元數(shù)量。（NAND指“NOT AND”，意為進(jìn)行與非邏輯運(yùn)算的電路單元。）l 這一趨勢有利于整個(gè)行業(yè)的發(fā)展，因?yàn)樗芡苿?dòng)存儲(chǔ)器技術(shù)的突破，而且每平方微米存儲(chǔ)單元數(shù)量的增加意味著生產(chǎn)成本的降低。l DRAM技
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為狀態(tài)監(jiān)控選擇MEMS加速度計(jì)時(shí)，有哪些關(guān)鍵但經(jīng)常被忽視的參數(shù)？

MEMS加速度計(jì)對于檢測故障情況、幫助防止意外斷電或避免發(fā)生其他代價(jià)高昂的事件至關(guān)重要。作為一名負(fù)責(zé)為狀態(tài)監(jiān)控(CbM)應(yīng)用選擇和安裝合適傳感器的工程師，需要在做出選擇之前仔細(xì)考慮多個(gè)關(guān)鍵參數(shù)，然而這些參數(shù)常常被忽視。本文將討論您在做出選擇時(shí)應(yīng)特別留意的一些關(guān)鍵標(biāo)準(zhǔn)。問題:為狀態(tài)監(jiān)控選擇MEMS加速度計(jì)時(shí)，有哪些關(guān)鍵但經(jīng)常被忽視的參數(shù)？答案:在MEMS加速度計(jì)的選擇過程中，經(jīng)常被低估或忽視的關(guān)鍵參數(shù)有傳感器的量程、帶寬和諧振頻率。如果這些參數(shù)太低或僅能勉強(qiáng)滿足需求，將會(huì)導(dǎo)致測量效果不理想。簡介MEMS加速
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面向CMUT陣元的阻抗匹配設(shè)計(jì)與聲場特性測試

電容式微機(jī)械超聲換能器（CMUT）是利用MEMS微加工技術(shù)制作的超聲換能器，具有低聲阻抗、寬帶寬、體積小等優(yōu)點(diǎn)。然而，相比于壓電式超聲換能器，CMUT存在發(fā)射靈敏度較低、輸出聲壓不夠高等問題。據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道，為了解決CMUT聲發(fā)射能力弱、輸出聲壓低的問題，中北大學(xué)研究人員根據(jù)CMUT工作原理與阻抗匹配理論設(shè)計(jì)了匹配電路，實(shí)現(xiàn)信號源端到CMUT的最大功率傳遞，以此提升CMUT的聲發(fā)射性能，為CMUT的實(shí)際應(yīng)用提供解決方案。相關(guān)研究成果已發(fā)表于《傳感器與微系統(tǒng)》期刊。單個(gè)CMUT陣元由許多CMUT微元構(gòu)成，
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被壟斷的NAND閃存技術(shù)

各家 3D NAND 技術(shù)大比拼。
關(guān)鍵字： NAND 3D NAND

3D 晶體管的轉(zhuǎn)變

迷人的技術(shù)革命。
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基于 LPC5528 的 3D 打印機(jī)方案

MCU-Creator 是基于 NXP LPC5528 做的 3D 打印機(jī)主板方案，該方案主控 MCU LPC5528 是一顆 Cortex-M33 內(nèi)核的高性能 MCU，主頻達(dá)到 150MHz，擁有 512KB 片上 Flash ，256KB RAM ，有多個(gè) Timer，多路 PWM，多種通信接口，支持 16 位的 ADC，資源豐富。該方案支持 3.5 寸觸摸屏顯示，480*320 分辨率，支持 SD 卡、 U 盤傳輸打印資料給打印機(jī)，支持 5 軸電機(jī)控制，支
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