工藝 文章 進(jìn)入工藝技術(shù)社區(qū)
價(jià)值200億美元 臺(tái)積電4月份揭秘3nm工藝：與三星關(guān)鍵決戰(zhàn)開始
- 在上周的說法會(huì)上,臺(tái)積電宣布2020年的資本開支是150到160億美元,其中80%將投向先進(jìn)產(chǎn)能擴(kuò)增,包括7nm、5nm及3nm。這次說法會(huì)上臺(tái)積電沒有公布3nm工藝的情況,因?yàn)樗麄?月份會(huì)有專門的發(fā)布會(huì),會(huì)公開3nm工藝的詳情。臺(tái)積電的3nm工藝技術(shù)最終選擇什么路線,對(duì)半導(dǎo)體行業(yè)來說很重要,因?yàn)槟壳澳軌蛏钊氲?nm節(jié)點(diǎn)的就剩下臺(tái)積電和三星了,其中三星去年就搶先宣布了3nm工藝,明確會(huì)放棄FinFET晶體管,轉(zhuǎn)向GAA環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)。具體來說,三星的3nm工藝分為3GAE、3GAP,后者的性能更好,不
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國產(chǎn)CPU工藝雙喜臨門 華虹14nm工藝良率已達(dá)25%
- 在先進(jìn)半導(dǎo)體工藝上，國內(nèi)最大的晶圓代工廠中芯國際SMIC的14nm工藝已經(jīng)量產(chǎn)，改進(jìn)版的 12nm工藝也在導(dǎo)入中，取得了優(yōu)秀的成績。考慮到國內(nèi)半導(dǎo)體工藝上的落后，光指望中芯國際一家也是不行的，上海華虹集團(tuán)日前透露其14nm FinFET工藝也全線貫通，SRAM良率已達(dá)25%。1月12日下午，，華虹集團(tuán)在無錫新落成的華虹七廠研發(fā)大樓召開“開放、創(chuàng)新、合作—華虹集團(tuán)2020年全球供應(yīng)商迎新座談會(huì)”，邀請(qǐng)了國內(nèi)30多家、國外50多家供應(yīng)商合作伙伴出席，華虹集團(tuán)高管分享了該公司的最新進(jìn)展。華虹方面表示，
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Intel 2029年上1.4nm工藝？非官方路線圖
- Intel的制程工藝一直備受關(guān)注。今天早些時(shí)候，荷蘭光刻機(jī)巨頭ASML(阿斯麥)放出一張路線圖，赫然羅列了Intel 7nm、5nm、3nm、2nm、1.4nm等工藝節(jié)點(diǎn)，尤其是最后這個(gè)將在2029年上馬的1.4nm非常意外，是我們第一次看到非整數(shù)工藝節(jié)點(diǎn)。就此消息，快科技收到了Intel官方的澄清聲明。原來，這張路線圖并非完全來自Intel官方，而是ASML CEO Martin van den Brink拿了此前Intel 9月份公布的一張制程工藝更新PPT修改而來，自行添加了原來沒有的幾個(gè)工藝名稱，
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格芯收購Smartcom的PDK工程團(tuán)隊(duì)以擴(kuò)充全球設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)能力
- 近日，全球領(lǐng)先的特殊工藝半導(dǎo)體代工廠格芯(GF?)今日宣布從位于保加利亞索菲亞的Smartcom Bulgaria AD手中收購PDK（工藝設(shè)計(jì)套件）工程團(tuán)隊(duì)。新收購的團(tuán)隊(duì)將擴(kuò)大格芯的規(guī)模和能力，增強(qiáng)格芯在專業(yè)應(yīng)用解決方案方面的競(jìng)爭力，提高成長潛力和價(jià)值創(chuàng)造能力。PDK（工藝設(shè)計(jì)套件）是一家公司集成電路(IC)設(shè)計(jì)與晶圓廠（制造客戶芯片產(chǎn)品）之間的關(guān)鍵接口。自2015年以來，Smartcom一直在為格芯的PDK開發(fā)和質(zhì)量保證提供支持，涵蓋從350nm至12nm的平臺(tái)技術(shù)。根據(jù)收購條款，格芯將收購Smart
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7nm+/6nm/5nm隨便選 AMD面臨幸福的煩惱
- 曾經(jīng)，先進(jìn)的制造工藝是Intel狠狠壓制AMD乃至整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)的絕對(duì)大殺器，但現(xiàn)在完全反了過來。Intel 14nm工藝遭遇前所未有危機(jī)，至今未能量產(chǎn)，而臺(tái)積電、三星一路狂奔，10nm、7nm、5nm相繼上馬。雖然不同家的工藝技術(shù)不能完全看一個(gè)單純的數(shù)字，但不得不承認(rèn)Intel確實(shí)被越甩越遠(yuǎn)。 GlobalFoundries放棄7nm、5nm先進(jìn)工藝研發(fā)后，AMD轉(zhuǎn)向了臺(tái)積電，這次算是傍上了大樹，接下來的從桌面到服務(wù)器再到筆記本，從處理器到顯卡，統(tǒng)統(tǒng)都是臺(tái)積電7nm?！ ?nm之后，臺(tái)積電更是還有7n
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芯片設(shè)計(jì)企業(yè)該如何選擇適合的工藝？
- 如何向芯片設(shè)計(jì)企業(yè)推薦最合適的工藝，芯片設(shè)計(jì)企業(yè)應(yīng)該怎么權(quán)衡?不久前，在珠海舉行的“2018中國集成電路設(shè)計(jì)業(yè)年會(huì)(ICCAD)”期間， 芯原微電子、Cadence南京子公司南京凱鼎電子科技有限公司、UMC(和艦)公司分別介紹了他們的看法?！ D 從左至右：Cadence南京子公司南京凱鼎電子科技有限公司總裁王琦博士、芯原微電子創(chuàng)始人、董事長兼總裁戴偉民博士、UMC(和艦)公司副總經(jīng)理林偉圣 先進(jìn)工藝選擇的考量 芯原微電子創(chuàng)始人、董事長兼總裁戴偉民博士稱，28 nm以前一切是很好的、沒有爭
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華虹第二代0.18微米5V/40V BCD工藝量產(chǎn)
- 特色工藝純晶圓代工企業(yè)——華虹半導(dǎo)體有限公司宣布，其第二代0.18微米5V/40V BCD工藝平臺(tái)已成功量產(chǎn)，該平臺(tái)具有導(dǎo)通電阻低、高壓種類全、光刻層數(shù)少等優(yōu)勢(shì)，對(duì)于工業(yè)控制應(yīng)用和DC-DC轉(zhuǎn)換器等產(chǎn)品是理想的工藝選擇。 第二代0.18微米5V/40V BCD工藝平臺(tái)40V DMOS擊穿電壓達(dá)到52V，其導(dǎo)通電阻低至 20 mOhm.mm2，達(dá)到該節(jié)點(diǎn)領(lǐng)先工藝水平，可提高產(chǎn)品的驅(qū)動(dòng)能力，減小芯片面積，擴(kuò)大高壓管安全工作區(qū)（Safe-Operation-A
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莫大康：芯片制造業(yè)要具特色及相對(duì)集中
- 誠然現(xiàn)階段中國半導(dǎo)體業(yè)的發(fā)展，可能并非存在哪種模式下一定優(yōu)越，正是百花齊放的好時(shí)代。但是對(duì)于它的風(fēng)險(xiǎn)性可能尚缺乏足夠的重視與認(rèn)識(shí)。因?yàn)榘雽?dǎo)體業(yè)有許多獨(dú)特的規(guī)律，其中生產(chǎn)線太分散，不但造成互相爭搶人材，力量不能集中，同時(shí)未來要保證生產(chǎn)線的連續(xù)運(yùn)行是十分困難的。因?yàn)槲覀儫o法與如三星、臺(tái)積電、英特爾等大牌廠商相比擬，它們的單條生產(chǎn)線規(guī)模大，訂單穩(wěn)定，設(shè)備廠可以從它的提供服務(wù)中獲得收益?！ ?莫大康 2018年8月27日 半導(dǎo)體業(yè)的最大特征有兩條：一個(gè)是摩爾定律，每兩年工藝制程前進(jìn)一個(gè)臺(tái)階，基本上同樣工藝
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半導(dǎo)體術(shù)語中英文對(duì)照表，趕緊get起來
- 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)作為一個(gè)起源于國外的技術(shù)，很多相關(guān)的技術(shù)術(shù)語都是用英文表述。且由于很多從業(yè)者都有海外經(jīng)歷，或者他們習(xí)慣于用英文表述相關(guān)的工藝和技術(shù)節(jié)點(diǎn)，那就導(dǎo)致很多的英文術(shù)語被翻譯為中文之后，很多人不能對(duì)照得上，或者不知道怎么翻譯。在這里我們整理一些常用的半導(dǎo)體術(shù)語的中英文版本，希望對(duì)大家有所幫助。如果當(dāng)中有出錯(cuò)，請(qǐng)幫忙糾正，謝謝! 常用半導(dǎo)體中英對(duì)照表 離子注入機(jī) ion implanter LSS理論 Lindhand Scharff and Schiott theory，又稱“林漢德-斯卡夫-斯
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體，工藝
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