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        EEPW首頁 >> 主題列表 >> 工藝

        新型存儲技術(shù)迎制程突破

        • 近日,三星電子對外表示,8nm版本的eMRAM開發(fā)已基本完成,正按計劃逐步推進制程升級。資料顯示,eMRAM是一種基于磁性原理的、非易失性的新型存儲技術(shù),屬于面向嵌入式領(lǐng)域的MRAM(磁阻存儲器)。與傳統(tǒng)DRAM相比,eMRAM具備更快存取速度與更高耐用性,不需要像DRAM一樣刷新數(shù)據(jù),同時寫入速度是NAND的1000倍數(shù)。基于上述特性,業(yè)界看好eMRAM未來前景,尤其是在對性能、能效以及耐用性較高的場景中,eMRAM被寄予厚望。三星電子是eMRAM主要生產(chǎn)商之一,致力于推動eMRAM在汽車領(lǐng)域的應(yīng)用。三
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        臺積電準(zhǔn)備推出基于12和5nm工藝節(jié)點的下一代HBM4基礎(chǔ)芯片

        • 在 HBM4 內(nèi)存帶來的幾大變化中,最直接的變化之一就是內(nèi)存接口的寬度。隨著第四代內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)從已經(jīng)很寬的 1024 位接口升級到超寬的 2048 位接口,HBM4 內(nèi)存堆棧將不會像以前一樣正常工作;芯片制造商需要采用比現(xiàn)在更先進的封裝方法,以適應(yīng)更寬的內(nèi)存。作為 2024 年歐洲技術(shù)研討會演講的一部分,臺積電提供了一些有關(guān)其將為 HBM4 制造的基礎(chǔ)模具的新細(xì)節(jié),這些模具將使用邏輯工藝制造。由于臺積電計劃采用其 N12 和 N5 工藝的變體來完成這項任務(wù),該公司有望在 HBM4 制造工藝中占據(jù)有
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        三星 AI 推理芯片 Mach-1 即將原型試產(chǎn),有望基于 4nm 工藝

        • 5 月 10 日消息,韓媒 ZDNet Korea 援引業(yè)內(nèi)人士的話稱,三星電子的 AI 推理芯片 Mach-1 即將以 MPW(多項目晶圓)的方式進行原型試產(chǎn),有望基于三星自家的 4nm 工藝。這位業(yè)內(nèi)人士還表示,不排除 Mach-1 采用 5nm 工藝的可能。三星已為 Mach-1 定下了時間表:今年下半年量產(chǎn)、今年底交付芯片、明年一季度交付基于該芯片的推理服務(wù)器。同時三星也已獲得了 Naver 至高 1 萬億韓元(當(dāng)前約 52.8 億元人民幣)的預(yù)訂單。雖然三星電子目前能提供 3nm 代工,但在 M
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        臺積電準(zhǔn)備迎接“Angstrom 14 時代”啟動尖端1.4納米工藝研發(fā)

        • 幾個月前,臺積電發(fā)布了 2023 年年報,但顯然,文件中包含的關(guān)鍵信息被遺漏了。在深入探討之前,我們先來談?wù)勁_積電的 A14,或者說被許多分析師稱為技術(shù)革命的 A14。臺積電宣布,該公司終于進入了"Angstrom 14 時代",開始開發(fā)其最先進的 A14 工藝。目前,臺積電的 3 納米工藝正處于開始廣泛采用的階段。因此,1.4 納米工藝在進入市場之前還有很長的路要走,很可能會在 2 納米和 1.8 納米節(jié)點之后出現(xiàn),這意味著你可以預(yù)期它至少會在未來五年甚至更長的時間內(nèi)出現(xiàn)。著
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        Meta 展示新款 MTIA 芯片:5nm 工藝、90W 功耗、1.35GHz

        • 4 月 11 日消息,Meta 公司于 2023 年 5 月推出定制芯片 MTIA v1 芯片之后,近日發(fā)布新聞稿,介紹了新款 MTIA 芯片的細(xì)節(jié)。MTIA v1 芯片采用 7nm 工藝,而新款 MTIA 芯片采用 5nm 工藝,采用更大的物理設(shè)計(擁有更多的處理核心),功耗也從 25W 提升到了 90W,時鐘頻率也從 800MHz 提高到了 1.35GHz。Meta 公司表示目前已經(jīng)在 16 個數(shù)據(jù)中心使用新款 MTIA 芯片,與 MTIA v1 相比,整體性能提高了 3 倍。但 Meta 只主動表示
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        iPhone 17 Pro將首發(fā)!曝臺積電2nm/1.4nm工藝量產(chǎn)時間敲定

        • 4月11日消息,根據(jù)產(chǎn)業(yè)鏈消息,臺積電的2納米和1.4納米工藝已經(jīng)取得了新的進展。據(jù)了解,臺積電的2納米和1.4納米芯片的量產(chǎn)時間已經(jīng)確定。2納米工藝的試產(chǎn)將于2024年下半年開始,而小規(guī)模量產(chǎn)將在2025年第二季度進行。值得一提的是,臺積電在亞利桑那州的工廠也將參與2納米工藝的生產(chǎn)。到了2027年,臺積電將開始推進1.4納米工藝節(jié)點,這一工藝被正式命名為"A14"。按照目前的情況,臺積電最新的工藝制程很可能會由蘋果率先采用。按照臺積電的量產(chǎn)時間表,iPhone 17 Pro將成為首批
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        英特爾重塑代工業(yè)務(wù):按期推進 4 年 5 個節(jié)點計劃、公布 Intel 14A 路線圖、2030 要成第二大代工廠

        • IT之家 2 月 22 日消息,英特爾于北京時間今天凌晨 0 點 30 分舉辦了 IFS Direct Connect 2024,在宣布 IFS 更名為 Intel Foundry 之外,還公布了未來十年的工藝路線圖,尤其提及了 1.4nm 的 Intel 14A 工藝。英特爾在本次活動中宣布了大量的動態(tài)信息,IT之家梳理匯總?cè)缦拢簣D源:IntelIFS 更名為 Intel Foundry英特爾首席執(zhí)行官帕特?基辛格(Pat Gelsinger)在本次活動中,宣布 Intel Foundry S
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        ?2023年中國半導(dǎo)體行業(yè)格局:突破、挑戰(zhàn)和全球影響,行業(yè)邁向2024年

        • 2023年,隨著美國技術(shù)制裁的升級,中國半導(dǎo)體行業(yè)面臨著嚴(yán)峻的挑戰(zhàn),美國對先進芯片制造工具和人工智能處理器的限制更加嚴(yán)格。10月,美國擴大了對半導(dǎo)體晶圓制造設(shè)備的出口管制,從戰(zhàn)略上限制了中國對較不先進的英偉達數(shù)據(jù)中心芯片的獲取。此舉是遏制中國技術(shù)進步的更廣泛努力的一部分,成功說服日本和荷蘭加入限制先進半導(dǎo)體工具出口的行列。這些制裁暴露了中國芯片供應(yīng)鏈的脆弱性,促使中國加大力度實現(xiàn)半導(dǎo)體自給自足。國家資金支持國內(nèi)生產(chǎn)較不先進的工具和零件的舉措,取得了顯著進展。然而,在開發(fā)對先進集成電路至關(guān)重要的高端光刻系統(tǒng)
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        蘋果發(fā)布M3系列芯片:3nm工藝 支持光追提升GPU性能

        • 10月31日消息,蘋果舉行新品發(fā)布會,線上發(fā)布M3系列芯片(M3、M3 Pro以及M3 Max),除了芯片更新蘋果還帶來了搭載M3系列芯片的MacBook Pro以及24英寸版iMac。這是蘋果首次將Pro與Max首次與基礎(chǔ)款同時公布,蘋果官方在發(fā)布會中也表示:這一系列的芯片采用了最新的3nm工藝制程,意味著比當(dāng)前的M2系列將要「快得嚇人」。M3系列芯片信息:M3配備8核CPU,10核GPU,24GB統(tǒng)一內(nèi)存,速度最高比M2提升20%M3 Pro配備12核CPU,18核GPU,36GB統(tǒng)一內(nèi)存,速度最高比
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        “薄膜生長”國產(chǎn)實驗裝置在武漢驗收

        • 據(jù)武漢市科技局官微消息,日前,半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)中的重要工藝設(shè)備——“薄膜生長”實驗裝置在武漢通過驗收,這項原創(chuàng)性突破可提升半導(dǎo)體芯片質(zhì)量。據(jù)悉,半導(dǎo)體薄膜生長是芯片生產(chǎn)的核心上游工藝。這套自主研制的“薄膜生長”國產(chǎn)實驗裝置,由武漢大學(xué)劉勝教授牽頭,聯(lián)合華中科技大學(xué)、清華大學(xué)天津高端裝備研究院、華南理工大學(xué)、中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所、中國科學(xué)院微電子研究所等多家單位,歷時5年完成。這套“薄膜生長”國產(chǎn)實驗裝置由“進樣腔”、“高真空環(huán)形機械手傳樣腔”等多個腔體和“超快飛秒雙模成像系統(tǒng)”、“超快電子成像系統(tǒng)”等多個
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        三星和臺積電均遭遇難題:在3nm工藝良品率上掙扎

        • 目前三星和臺積電(TSMC)都已在3nm制程節(jié)點上實現(xiàn)了量產(chǎn),前者于2022年6月宣布量產(chǎn)全球首個3nm工藝,后者則在同年12月宣布啟動3nm工藝的大規(guī)模生產(chǎn),蘋果最新發(fā)布的iPhone 15 Pro系列機型上搭載的A17 Pro應(yīng)用了該工藝。據(jù)ChosunBiz報道,雖然三星和臺積電都已量產(chǎn)了3nm工藝,不過兩者都遇到了良品率方面的問題,都正在努力提高良品率及產(chǎn)量。三星在3nm工藝上采用下一代GAA(Gate-All-Around)晶體管技術(shù),而臺積電沿用了原有的FinFET晶體管技術(shù),無論如何取舍和選
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        蘋果英特爾削減訂單 臺積電3nm工藝生產(chǎn)計劃將受到影響

        • 據(jù)外媒報道,蘋果已經(jīng)預(yù)訂了臺積電3nm制程工藝今年的全部產(chǎn)能,用于代工iPhone 15 Pro系列搭載的A17仿生芯片和新款13英寸MacBook Pro等將搭載的M3芯片。1據(jù)悉,最初臺積電分配了約10%的3nm產(chǎn)線來完成英特爾芯片的訂單。然而由于設(shè)計延遲,英特爾決定推遲其計劃外包給臺積電的下一代中央處理器(CPU)的量產(chǎn),這導(dǎo)致臺積電3nm制程工藝最初的生產(chǎn)計劃被打亂。與此同時,最新消息稱已預(yù)訂了臺積電3nm制程工藝今年全部產(chǎn)能的蘋果,也削減了訂單,所以臺積電3nm制程工藝在四季度的產(chǎn)量預(yù)計將由此前
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        蘋果A17處理器或?qū)⒂袃煞N3nm工藝批次 芯片效能有差異

        • 蘋果將繼續(xù)在今年9月舉辦一年一度的秋季新品發(fā)布會,屆時全新的iPhone 15系列將正式與大家見面,不出意外的話該系列將繼續(xù)推出包含iPhone 15、iPhone 15 Plus、iPhone 15 Pro和iPhone15 Pro Max四款機型,將在不同程度上帶來升級,尤其新一代的A17芯片早就成為大家關(guān)注的焦點。根據(jù)此前曝光的消息,全新的iPhone 15系列將繼續(xù)提供與iPhone 14系列相同的四款機型,并且仍然有著明顯的兩極分化。其中兩個Pro版將會配備ProMotion顯示屏,屏幕亮度進一
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        SK海力士中國工廠增產(chǎn)“落后”工藝:內(nèi)存還要降價15%!

        • 5月4日消息,集邦咨詢最新的一份報告指出,去年10月,美國商務(wù)部對中國實施新的禁令,不允許進口18nm及更先進工藝的DRAM內(nèi)存芯片制造設(shè)備,對于廠商的布局也產(chǎn)生了深遠影響。SK海力士位于無錫的工廠雖然獲得了一年的寬限期,但考慮到未來風(fēng)險,以及市場需求疲軟, SK海力士選擇在2023年第二季度將無錫工廠的月產(chǎn)能削減30%。SK海力士原計劃將無錫工廠的制造工藝從1Ynm升級為1Znm,并減少“成熟工藝”的產(chǎn)能。但在美國禁令發(fā)出后, SK海力士選擇了提高21nm成熟工藝的產(chǎn)能,并專注于DD
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        臺積電3nm工藝面臨挑戰(zhàn):當(dāng)前良品率只有55%

        • 在7nm、5nm等先進制程工藝上率先量產(chǎn)的臺積電,也被認(rèn)為有更高的良品率,但在量產(chǎn)時間晚于三星近半年的3nm制程工藝上,臺積電可能遇到了良品率方面的挑戰(zhàn),進而導(dǎo)致他們這一制程工藝的產(chǎn)能提升受到了影響。
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