這幾年，雖然摩爾定律基本失效或者說(shuō)越來(lái)越遲緩，但是在半導(dǎo)體工藝上，幾大巨頭卻是殺得興起。Intel終于進(jìn)入10nm工藝時(shí)代并將在后年轉(zhuǎn)入7nm，臺(tái)積電、三星則紛紛完成了7nm工藝的布局并奔向5nm、3nm。

現(xiàn)在，臺(tái)積電又官方宣布，正式啟動(dòng)2nm工藝的研發(fā)，工廠設(shè)置在位于臺(tái)灣新竹的南方科技園，預(yù)計(jì)2024年投入生產(chǎn)，時(shí)間節(jié)奏上還是相當(dāng)?shù)目臁?/p>

按照臺(tái)積電給出的指標(biāo)，2nm工藝是一個(gè)重要節(jié)點(diǎn)，Metal Track(金屬單元高度)和3nm一樣維持在5x，同時(shí)Gate Pitch(晶體管柵極間距)縮小到30nm，Metal Pitch(金屬間距)縮小到20nm，相比于3nm都小了23％。

臺(tái)積電沒(méi)有透露2nm工藝所需要的技術(shù)和材料，看晶體管結(jié)構(gòu)示意圖和目前并沒(méi)有明顯變化，能在硅半導(dǎo)體工藝上繼續(xù)壓榨到如此地步真是堪稱(chēng)奇跡，接下來(lái)就看能不能做到1nm了。

當(dāng)然，在那之前，臺(tái)積電還要接連經(jīng)歷7nm+、6nm、5nm、3nm等多個(gè)工藝節(jié)點(diǎn)。

其中，7nm+首次引入EUV極紫外光刻技術(shù)，目前已經(jīng)投入量產(chǎn)；6nm只是7nm的一個(gè)升級(jí)版，明年第一季度試產(chǎn)；5nm全面導(dǎo)入極紫外光刻，已經(jīng)開(kāi)始風(fēng)險(xiǎn)性試產(chǎn)，明年底之前量產(chǎn)，蘋(píng)果A14、AMD五代銳龍(Zen 4都有望采納)；3nm有望在2021年試產(chǎn)、2022年量產(chǎn)。

三星也早就規(guī)劃到了3nm，預(yù)期2021年量產(chǎn)。