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功率半導(dǎo)體
功率半導(dǎo)體 文章 進(jìn)入功率半導(dǎo)體技術(shù)社區(qū)
英飛凌收購(gòu)PCB制造商Schweizer Electronic 9.4%的股份
- 半導(dǎo)體廠商英飛凌科技股份公司和印刷電路板(PCB)廠商Schweizer Electronic(FSE： SCE)宣布，英飛凌將收購(gòu)Schweizer9.4%的股份。相關(guān)協(xié)議已簽訂。兩家公司同意嚴(yán)格保密合同條款。 此次注資Schweizer，英飛凌凸顯了其與合作伙伴攜手開(kāi)發(fā)將功率半導(dǎo)體與PCB集成的技術(shù)以及挖掘高功率汽車(chē)和工業(yè)應(yīng)用芯片嵌入市場(chǎng)的決心。Schweizer的芯片嵌入技術(shù)可與英飛凌專(zhuān)有的芯片嵌入封裝技術(shù)BLADE™結(jié)合使用，用于計(jì)算機(jī)和電信系統(tǒng)處理器所需的直流供電(DC/D
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 Schweizer 功率半導(dǎo)體
中國(guó)首批自主研發(fā)8英寸IGBT芯片裝車(chē)成功試運(yùn)行
- 中國(guó)南車(chē)株洲所25日對(duì)外公布，裝有中國(guó)首批自主研發(fā)8英寸IGBT芯片的模塊在昆明地鐵車(chē)輛段完成段內(nèi)調(diào)試，并穩(wěn)定運(yùn)行一萬(wàn)公里，各項(xiàng)參數(shù)指標(biāo)均達(dá)國(guó)際先進(jìn)水平。 這意味著，由中國(guó)南車(chē)株洲所下屬公司南車(chē)時(shí)代電氣自主研制生產(chǎn)的8英寸IGBT芯片已徹底打破國(guó)外高端IGBT技術(shù)壟斷，實(shí)現(xiàn)從研發(fā)、制造到應(yīng)用的完全國(guó)產(chǎn)化。 IGBT是一種新型功率半導(dǎo)體器件，中文全名“絕緣柵雙極型晶體管”。作為電力電子裝置的“心臟”，IGBT在國(guó)家戰(zhàn)略領(lǐng)域中不可或缺。 由
- 關(guān)鍵字： IGBT 功率半導(dǎo)體
英飛凌躍居2013年全球功率半導(dǎo)體龍頭
- 英飛凌(Infineon)于2013年的全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)持續(xù)取得領(lǐng)先，蟬聯(lián)龍頭地位，同時(shí)在金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效電晶體(MOSFET)功率電晶體市場(chǎng)首次取得領(lǐng)先。根據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)IHS的研究報(bào)告指出，英飛凌以12.3%的市占率連續(xù)11年奪得第一。 英飛凌執(zhí)行長(zhǎng)Dr. Reinhard Ploss表示，事實(shí)證明英飛凌的策略正確，從產(chǎn)品導(dǎo)向的思維模式邁向系統(tǒng)級(jí)別的觀點(diǎn)，并提供最適合客戶的產(chǎn)品，幫助他們獲得成功。這點(diǎn)由英飛凌在MOSFET功率電晶體領(lǐng)域的持續(xù)成長(zhǎng)便可看出。 2013年全球功率
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 功率半導(dǎo)體
英飛凌躍居2013年全球功率半導(dǎo)體龍頭
- 英飛凌(Infineon)于2013年的全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)持續(xù)取得領(lǐng)先，蟬聯(lián)龍頭地位，同時(shí)在金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效電晶體(MOSFET)功率電晶體市場(chǎng)首次取得領(lǐng)先。根據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)IHS的研究報(bào)告指出，英飛凌以12.3%的市占率連續(xù)11年奪得第一。 英飛凌執(zhí)行長(zhǎng)Dr.ReinhardPloss表示，事實(shí)證明英飛凌的策略正確，從產(chǎn)品導(dǎo)向的思維模式邁向系統(tǒng)級(jí)別的觀點(diǎn)，并提供最適合客戶的產(chǎn)品，幫助他們獲得成功。這點(diǎn)由英飛凌在MOSFET功率電晶體領(lǐng)域的持續(xù)成長(zhǎng)便可看出。 2013年全球功率半導(dǎo)
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英飛凌收購(gòu)IR、功率半導(dǎo)體市場(chǎng)獨(dú)大
- 德國(guó)英飛凌科技開(kāi)始著手?jǐn)U大功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。該公司以大約30億美元收購(gòu)從事功率半導(dǎo)體元件及功率管理IC的美國(guó)國(guó)際整流器(IR)公司。對(duì)英飛凌來(lái)說(shuō)，“這是公司史上最大規(guī)模的收購(gòu)案”注1)。 注1)收購(gòu)價(jià)格為每股40美元，與過(guò)去3個(gè)月的平均股價(jià)相比，溢價(jià)47.7%，與2014年8月19日的收盤(pán)價(jià)相比，溢價(jià)50.6%。各項(xiàng)收購(gòu)手續(xù)將于2014年底至2015年初完成。 英飛凌雖是功率半導(dǎo)體行業(yè)最大規(guī)模的企業(yè)，但其市場(chǎng)份額在2012年不過(guò)11.8%(表1)。第二名以后的
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SiC功率半導(dǎo)體將在2016年形成市場(chǎng) 成為新一輪趨勢(shì)
- 矢野經(jīng)濟(jì)研究所2014年8月4日公布了全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的調(diào)查結(jié)果。 全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模的推移變化和預(yù)測(cè)(出處：矢野經(jīng)濟(jì)研究所) 2013年全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模(按供貨金額計(jì)算)比上年增長(zhǎng)5.9%，為143.13億美元。雖然2012年為負(fù)增長(zhǎng)，但2013年中國(guó)市場(chǎng)的需求恢復(fù)、汽車(chē)領(lǐng)域的穩(wěn)步增長(zhǎng)以及新能源領(lǐng)域設(shè)備投資的擴(kuò)大等起到了推動(dòng)作用。 預(yù)計(jì)2014年仍將繼續(xù)增長(zhǎng)，2015年以后白色家電、汽車(chē)及工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域的需求有望擴(kuò)大。矢野經(jīng)濟(jì)研究所預(yù)測(cè)，2020年全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)
- 關(guān)鍵字： SiC 功率半導(dǎo)體
新一代功率半導(dǎo)體是多個(gè)領(lǐng)域節(jié)能關(guān)鍵
- 在年前，就有研究機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè)，功率半導(dǎo)體將成為2014年半導(dǎo)體成長(zhǎng)強(qiáng)勁動(dòng)力，原來(lái)不出彩的原件，有望煥發(fā)光彩了。
- 關(guān)鍵字： 三菱電機(jī) 功率半導(dǎo)體
新一代功率半導(dǎo)體掌握多個(gè)領(lǐng)域節(jié)能關(guān)鍵
- 最近幾年，在半導(dǎo)體之中，原本在人們眼中“不出彩”的功率半導(dǎo)體成為了關(guān)注的焦點(diǎn)。 功率半導(dǎo)體的作用是轉(zhuǎn)換直流與交流、通過(guò)變壓等方式高效控制電力，用于充電裝置和馬達(dá)。如今，這種半導(dǎo)體已配備于家電、汽車(chē)、工業(yè)機(jī)械、鐵路車(chē)輛、輸配電裝置、光伏和風(fēng)電系統(tǒng)等，掌握著節(jié)能的關(guān)鍵。 三菱電機(jī)半導(dǎo)體器件第一事業(yè)部營(yíng)業(yè)戰(zhàn)略課長(zhǎng)山田正典說(shuō)“用人體打比方的話，個(gè)人店的CPU(中央運(yùn)算處理裝置)和存儲(chǔ)器是控制運(yùn)算和記憶的大腦，而功率半導(dǎo)體則相當(dāng)于肌肉。”
- 關(guān)鍵字： 功率半導(dǎo)體 半導(dǎo)體器件
新一代功率半導(dǎo)體掌握多個(gè)領(lǐng)域節(jié)能關(guān)鍵
- 最近幾年，在半導(dǎo)體之中，原本在人們眼中“不出彩”的功率半導(dǎo)體成為了關(guān)注的焦點(diǎn)。 功率半導(dǎo)體的作用是轉(zhuǎn)換直流與交流、通過(guò)變壓等方式高效控制電力，用于充電裝置和馬達(dá)。如今，這種半導(dǎo)體已配備于家電、汽車(chē)、工業(yè)機(jī)械、鐵路車(chē)輛、輸配電裝置、光伏和風(fēng)電系統(tǒng)等，掌握著節(jié)能的關(guān)鍵。 三菱電機(jī)半導(dǎo)體器件第一事業(yè)部營(yíng)業(yè)戰(zhàn)略課長(zhǎng)山田正典說(shuō)“用人體打比方的話，個(gè)人店的CPU(中央運(yùn)算處理裝置)和存儲(chǔ)器是控制運(yùn)算和記憶的大腦，而功率半導(dǎo)體則相當(dāng)于肌肉?！? 因新興
- 關(guān)鍵字： 富士通 功率半導(dǎo)體
新一代功率半導(dǎo)體：元件開(kāi)發(fā)競(jìng)爭(zhēng)激烈，亞洲企業(yè)紛紛涉足
- 2013年，SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體器件發(fā)展迅速，中國(guó)大陸、臺(tái)灣、韓國(guó)等亞洲國(guó)家和地區(qū)的廠商開(kāi)始大范圍涉足該領(lǐng)域，預(yù)計(jì)2014年，功率半導(dǎo)體的熱點(diǎn)將集中在這些國(guó)家和地區(qū)的廠商之中。
- 關(guān)鍵字： 功率半導(dǎo)體 元件
元件開(kāi)發(fā)競(jìng)爭(zhēng)激烈 亞洲企業(yè)紛紛涉足
- 與現(xiàn)在的Si功率半導(dǎo)體相比，SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時(shí)各企業(yè)也圍繞這些元件展開(kāi)了激烈的開(kāi)發(fā)競(jìng)爭(zhēng)。 SiC功率半導(dǎo)體方面，在柵極設(shè)有溝道的溝道型MOSFET的開(kāi)發(fā)在2013年大幅加速。以前推出的SiCMOSFET只有平面型，尚未推出溝道型。溝道型MOSFET的導(dǎo)通電阻只有平面型的幾分之一，因此可以進(jìn)一步降低損耗。導(dǎo)通電阻降低后，采用比平面型更小的芯片面積即可獲得相同載流量。也就
- 關(guān)鍵字： GaN 功率半導(dǎo)體
AMAT全方位強(qiáng)化功率半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備業(yè)務(wù)
- 美國(guó)應(yīng)用材料公司(Applied Materials，AMAT)瞄準(zhǔn)近年來(lái)需求高漲的功率半導(dǎo)體及MEMS器件市場(chǎng)，將強(qiáng)化200mm晶圓生產(chǎn)設(shè)備相關(guān)業(yè)務(wù)，將來(lái)還打算支持功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的300mm晶圓及SiC/GaN的生產(chǎn)。 AMAT的主力業(yè)務(wù)歸根結(jié)底還是300mm晶圓相關(guān)設(shè)備，但該公司“也一直在致力于200mm設(shè)備的業(yè)務(wù)”(AMAT元件及系統(tǒng)部門(mén)全球服務(wù)總監(jiān)田中豐)。除了銷(xiāo)售新的200mm設(shè)備之外，最近該公司還在開(kāi)展對(duì)客戶擁有的200mm設(shè)備進(jìn)行升級(jí)(改造)的服務(wù)，使這
- 關(guān)鍵字： AMAT 功率半導(dǎo)體
英飛凌連續(xù)十年位居功率半導(dǎo)體市場(chǎng)榜首，進(jìn)一步鞏固領(lǐng)導(dǎo)地位
- 2013年12月24日，汽車(chē)傳感器市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司(法蘭克福股票交易所股票代碼：IFX / 美國(guó)柜臺(tái)交易市場(chǎng)股票代碼：IFNNY)連續(xù)十年位居世界功率半導(dǎo)體市場(chǎng)榜首。這是北美市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)IHS Inc的調(diào)查結(jié)果。
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 功率半導(dǎo)體
淺談功率半導(dǎo)體的技術(shù)與未來(lái)產(chǎn)業(yè)發(fā)展（三）
- 四、我國(guó)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展建議 國(guó)際著名市場(chǎng)調(diào)研公司HISISuppliResearch公司2012年9月給出的全球前10 ...
- 關(guān)鍵字： 功率半導(dǎo)體 產(chǎn)業(yè)發(fā)展
淺談功率半導(dǎo)體的技術(shù)與未來(lái)產(chǎn)業(yè)發(fā)展（二）
- 三、功率半導(dǎo)體技術(shù)與產(chǎn)業(yè)發(fā)展?fàn)顩r ?。ㄒ唬┕β识O管 功率二極管是功率半導(dǎo)體器件的重要分支，占據(jù)9%的功 ...
- 關(guān)鍵字： 功率半導(dǎo)體 產(chǎn)業(yè)發(fā)展
功率半導(dǎo)體介紹
《功率半導(dǎo)體 器件 與應(yīng)用》基于前兩章的半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)，詳細(xì)介紹了目前最主要的幾類(lèi)功率半導(dǎo)體器件，包括pin二極管、晶閘管、門(mén)極關(guān)斷晶閘管、門(mén)極換流晶閘管、功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管和絕緣柵雙極型晶體管。 [ 查看詳細(xì) ]
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