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        EEPW首頁 >> 主題列表 >> 功率半導體

        LED照明IDH勢力抬頭 功率半導體商搶單

        •   LED照明需求持續(xù)走強,不少新進者正試圖透過與委外代工照明系統(tǒng)廠或第三方設計公司(IDH)策略結盟,藉此降低進入門檻、投資風險及制造成本,以迅速搶攻LED照明版圖,預期在吸引更多后進者起而效尤之下,IDH將成為功率半導體商拉攏的主力客源之一,未來芯片商的營收貢獻比重將持續(xù)看漲。   
        • 關鍵字: LED照明  功率半導體  

        富士電機擬擴增SiC功率半導體產(chǎn)線

        •   富士電機計劃生產(chǎn)采用碳化硅作為原料的功率半導體,并在2012年前于該公司位于日本長野縣的松元制作所增設一條產(chǎn)線,此為該公司首次在自家工廠設置碳化硅功率半導體的產(chǎn)線,未來預計在2012年春季開始量產(chǎn)。
        • 關鍵字: 富士電機  功率半導體  

        IMS Research發(fā)布2010年功率半導體市場報告

        •   根據(jù)IMS Research的最新報告,功率半導體市場2010年強勁反彈,年增長率達到43%,銷售額大概為160億美元,模塊產(chǎn)品增長率達到了65%,遠高于分立功率器件。   
        • 關鍵字: 英飛凌  功率半導體  

        功率半導體及LED用封裝熱阻檢測方法JEDEC標準

        • 美國明導科技宣布,基于該公司MicReD部門與德國英飛凌科技AutomotivePowerApplication部門2005年共同發(fā)表...
        • 關鍵字: LED  封裝  JEDEC  功率半導體  

        瑞薩將上市SiC功率半導體

        •   瑞薩電子計劃上市SiC(碳化硅)功率半導體。耐壓600V的SiC肖特基勢壘二極管(SiC-SBD)“RJS6005TDPP”將從2011年3 月底開始樣品供貨。除了空調等白色家電外,預計還可用于通信基站和服務器等配備的PFC(功率因數(shù)校正)電路以及逆變器電路。瑞薩計劃從2011年10月開始少量量產(chǎn),2012年3月以后以10萬個/月的規(guī)模量產(chǎn)。該公司還打算在2011年度內,樣品供貨耐壓提高至1200V的SiC-SBD。   
        • 關鍵字: 瑞薩  功率半導體  

        功率器件:風力發(fā)電技術與功率半導體器件及控制系統(tǒng)

        • 通過風能獲得太陽的能量并非新鮮事物,但當今的功率半導體器件與控制系統(tǒng)卻使這種能源更加適用。在現(xiàn)...
        • 關鍵字: 功率半導體  

        英飛凌逆境下依然保持高增長

        •   英飛凌科技股份公司連續(xù)七年高居全球功率半導體和模塊市場榜首。盡管面臨困難的經(jīng)濟環(huán)境,英飛凌在2009年仍然提高了市場份額。據(jù)IMS Research*最新報告,全球功率半導體市場規(guī)模縮減21.5%,由2008年的140億美元降至2009年的110億美元。盡管市場規(guī)??s減,但英飛凌的市場份額卻提高至10.7%。英飛凌在EMEA地區(qū)(歐洲、中東和非洲)繼續(xù)保持著領先地位,市場份額上升1.3個百分點,達到24.3%;在北美和南美地區(qū),其市場份額上升0.4個百分點,達到11.5%。
        • 關鍵字: 英飛凌  功率半導體  

        英飛凌穩(wěn)坐功率半導體市場龍頭位置

        •   根據(jù)市調機構IMSResearch的最新報告顯示,盡管2009年遭遇全球景氣低潮,英飛凌(Infineon)仍全力達成鞏固市場地位,并提升市占率之目標,亦即2009年全球功率半導體市場出現(xiàn)萎縮--從140億美元縮減為110億美元,降幅達21.5%,但英飛凌的市占率仍逆勢成長10.7%。   
        • 關鍵字: 英飛凌  功率半導體  

        英飛凌在節(jié)能應用和可再生能源領域增長強勁

        •   英飛凌科技股份公司連續(xù)七年高居全球功率半導體和模塊市場榜首。盡管面臨困難的經(jīng)濟環(huán)境,英飛凌在2009年仍然提高了市場份額。據(jù)IMS Research*最新報告,全球功率半導體市場規(guī)模縮減21.5%,由2008年的140億美元降至2009年的110億美元。盡管市場規(guī)??s減,但英飛凌的市場份額卻提高至10.7%。英飛凌在EMEA地區(qū)(歐洲、中東和非洲)繼續(xù)保持著領先地位,市場份額上升1.3個百分點,達到24.3%;在北美和南美地區(qū),其市場份額上升0.4個百分點,達到11.5%。
        • 關鍵字: 英飛凌  功率半導體  太陽能  

        力挺新能源應用 中國IGBT企業(yè)可另辟蹊徑

        •   【 導讀:在新能源領域的大多數(shù)功率變換裝置中,IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是最為重要的器件,與歐洲、日本和美國相比,中國在該領域還相對落后,盡管國內也有一些企業(yè)和科研機構在進行研發(fā),但產(chǎn)業(yè)化進程緩慢,技術上也落后于國外?!?   今年6月,功率半導體業(yè)界的盛會“PCIMChina2010”在上海光大會展中心舉行,國內外知名功率半導體廠商向與會觀眾展示了各自推出的新產(chǎn)品和眾多高能效解決方案。記者觀察到,功率半導體在新能源領域的應用成為本屆展會的熱點,而中國功率器件產(chǎn)業(yè)的未來發(fā)展
        • 關鍵字: 功率半導體  IGBT  

        電源管理詮釋節(jié)能

        功率半導體行業(yè)的春天

        •   功率半導體下游需求旺盛,發(fā)展前景看好。隨著全球經(jīng)濟復蘇勢頭增強,iSuppli公司預測2010年半導體市場營業(yè)收入為2833億美元,增長率達到23.2%.   MOSFET市場前景廣闊。2007年全球MOSFET的銷售額大約為52.89億美元,MOSFET的銷售額占全部功率半導體的比重大約為20%,MOSFET主要應用于消費電子、計算機、工業(yè)控制、網(wǎng)絡通信、汽車電子和電力設備六大領域。   IGBT:節(jié)能減排的先鋒。2007年全球IGBT的銷售額大約為31.36億美元,IGBT的銷售額占全部功率半
        • 關鍵字: MOSFET  IGBT  功率半導體  

        瑞薩和NEC電子合并 新航母瑞薩電子揚帆起航

        •   兩家半導體大鱷且MCU全球市場排名前兩位的瑞薩科技和NEC電子的合并,一直受到業(yè)內的重點關注。其合并的原因?合并后形成的航母級企業(yè)的整合效果?將對業(yè)界產(chǎn)生怎樣的影響?   問:瑞薩與NEC電子合并后的新名稱?哪些因素促使瑞薩與NEC電子進行這次合并?屬于哪種類型的合并?   答:瑞薩與NEC電子合并后,于2010年4月1日,以瑞薩電子株式會社的新公司名稱正式開始商業(yè)運營,并且得到來自大股東NEC、日立制作所和三菱電機的總額約2000億日元(約合20億美元)的增資,財務實力大幅增強。   NEC電
        • 關鍵字: 瑞薩電子  SoC  模擬  功率半導體  

        華潤上華與電子科技大學共建DMOS聯(lián)合實驗室

        •   華潤上華科技有限公司(簡稱“華潤上華”)與電子科技大學(簡稱“電子科大”)共建DMOS聯(lián)合實驗室的簽約儀式于2010年3月30日在電子科技大學舉行。華潤上華副總經(jīng)理蘇巍和電子科大副校長楊曉波分別代表雙方在協(xié)議上簽字,華潤上華董事長陳正宇博士、電子科大校長汪勁松教授出席了簽字儀式,并就合作的未來進行了深度交流和展望。   在華潤上華與電子科技大學微電子與固體電子學院張波教授團隊多年的合作基礎上,雙方將充分利用該聯(lián)合實驗室平臺,發(fā)揮各自的優(yōu)勢展開深入密切的
        • 關鍵字: 華潤上華  功率半導體  DMOS  

        瑞薩推出8款800V三端雙向可控硅開關產(chǎn)品

        •   2010年2月25日,株式會社瑞薩科技(以下簡稱瑞薩)宣布推出包括BCR16CM-16LH在內的新型800V三端雙向可控硅產(chǎn)品,其所具有的業(yè)內最佳高換向性*特點和150°C結溫(Tj),使其成為洗衣機和真空吸塵器等家電內AC電機驅動應用的理想之選。該產(chǎn)品樣品將于2010年4月起在日本發(fā)售。   新型三端雙向可控硅是用于控制AC電路內電源開關的功率半導體器件,具有如下主要特性:   (1) 提高換向性,減少元件總量   新型三端雙向可控硅具有800V的額定電壓,實現(xiàn)了業(yè)內最高的換向性。其臨
        • 關鍵字: 瑞薩  功率半導體  三端雙向可控硅  BCR16CM-16LH  
        共165條 10/11 |‹ « 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 »

        功率半導體介紹

          《功率半導體 器件 與應用》基于前兩章的半導體物理基礎,詳細介紹了目前最主要的幾類功率半導體器件,包括pin二極管、晶閘管、門極關斷晶閘管、門極換流晶閘管、功率場效應晶體管和絕緣柵雙極型晶體管。 [ 查看詳細 ]

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