功率半導體 文章 進入功率半導體技術(shù)社區(qū)
株洲中車時代功率半導體器件核心制造產(chǎn)業(yè)園項目開工
- 據(jù)石峰發(fā)布消息顯示，10月28日，株洲市中車時代功率半導體器件核心制造產(chǎn)業(yè)園項目開工。據(jù)悉，該項目位于株洲市石峰區(qū)軌道交通雙創(chuàng)園內(nèi)，占地約266畝，計劃總投資逾52億元，項目建成達產(chǎn)后，可新增年產(chǎn)36萬片8英寸中低壓組件基材的生產(chǎn)能力，產(chǎn)品主要面向新能源發(fā)電及工控家電領(lǐng)域。時代電氣9月公告稱，控股子公司株洲中車時代半導體有限公司，擬投資中低壓功率器件產(chǎn)業(yè)化建設(shè)項目，包括中低壓功率器件產(chǎn)業(yè)化（宜興）一期建設(shè)項目和中低壓功率器件產(chǎn)業(yè)化（株洲）建設(shè)項目（以下簡稱“株洲子項目”），項目投資總額約1,111,869
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英飛凌在匈牙利設(shè)立新廠 擴充大功率半導體模塊產(chǎn)能
- 英飛凌科技（Infineon）于匈牙利采格萊德設(shè)立新廠，用于大功率半導體模塊的組裝和測試，以推動作為全球碳減排關(guān)鍵的汽車電動化進程。此外，英飛凌還進一步擴大了投資，提高大功率半導體模塊的產(chǎn)能，廣泛用于風力發(fā)電機、太陽能模塊以及高能效馬達驅(qū)動等應用，推動綠色能源的發(fā)展。英飛凌營運長Rutger Wijburg表示，英飛凌遵循的是長期可持續(xù)增長的發(fā)展道路。在低碳化和數(shù)字化趨勢的推動下，英飛凌半導體解決方案的市場需求不斷增長。采格萊德工廠為推動綠色能源的發(fā)展作出了重要貢獻，新工廠的建設(shè)將進一步助力英飛凌滿足日益
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功率半導體組件的主流爭霸戰(zhàn)
- 功率半導體組件與電源、電力控制應用有關(guān)，特點是功率大、速度快，有助提高能源轉(zhuǎn)換效率，多年來，功率半導體以硅（Si）為基礎(chǔ)的芯片設(shè)計架構(gòu)成為主流，碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等第三類半導體材料出現(xiàn)，讓功率半導體組件的應用更為多元，效率更高。MOSFET與IGBT雙主流各有痛點高功率組件應用研發(fā)聯(lián)盟秘書長林若蓁博士（現(xiàn)職為臺灣經(jīng)濟研究院研究一所副所長）指出，功率半導體組件是電源及電力控制應用的核心，具有降低導通電阻、提升電力轉(zhuǎn)換效率等功用，其中又以MOSFET（金屬氧化半導體場效晶體管）與IGBT（絕緣
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功率半導體冷知識之二：IGBT短路時的損耗
- IGBT主要用于電機驅(qū)動和各類變流器，IGBT的抗短路能力是系統(tǒng)可靠運行和安全的保障之一，短路保護可以通過串在回路中的分流電阻或退飽和檢測等多種方式實現(xiàn)。IGBT是允許短路的，完全有這樣的底氣，EconoDUAL?3 FF600R12ME4 600A 1200V IGBT4的數(shù)據(jù)手冊是這樣描述短路能力的，在驅(qū)動電壓不超過15V時，短路電流典型值是2400A，只要在10us內(nèi)成功關(guān)斷短路電流，器件不會損壞。IGBT的短路承受能力為短路保護贏得時間，驅(qū)動保護電路可以從容安全地關(guān)斷短路電流。短路能力不是免費的器
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啟方半導體功率半導體用0.18微米高壓BCD工藝開始量產(chǎn)
- 韓國唯一一家純晶圓代工廠啟方半導體（Key Foundry）今天宣布其0.18微米高壓BCD（雙極-CMOS-DMOS）工藝已經(jīng)開始量產(chǎn)。 BCD是一種單片集成工藝技術(shù)，它將用于模擬信號控制的雙極器件、用于數(shù)字信號控制的CMOS和用于高壓處理的DMOS同時制作在同一個芯片上。這種工藝適用于各種功率半導體產(chǎn)品，具有高電壓、高可靠性、低電子干擾等優(yōu)點。近年來，隨著電子設(shè)備系統(tǒng)尺寸的縮小和功率效率的提高變得越來越重要，對合適的功率半導體的需求也越來越大，因此對BCD的需求也在增加。啟方半導體為工作電
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東芝新建12吋晶圓廠 擴大功率半導體產(chǎn)能
- 東芝(Toshiba)日前宣布，將在日本石川縣建造一個新的12吋(300mm)晶圓制造廠，主要用于生產(chǎn)功率半導體。該廠預計于2024財年開始量產(chǎn)，整體供應的產(chǎn)能將會是目前的2.5倍。 東芝指出，新晶圓廠的建設(shè)將分兩個階段進行，第一階段的生產(chǎn)計劃在 2024 財年開始。當?shù)谝浑A段的生產(chǎn)滿載時，東芝的功率半導體產(chǎn)能將是之前的2.5 倍（2021財年）。東芝表示，功率半導體是管理和降低各種電子設(shè)備的功耗以及實現(xiàn)碳中和社會的重要組件。目前汽車電子和工業(yè)設(shè)備自動化的需求正在擴大，對低壓MOSFET（金屬氧
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功率半導體：新能源需求引領(lǐng)，行業(yè)快速發(fā)展
- 功率半導體：市場空間大，細分品類多1.1. 簡介：能源轉(zhuǎn)換的核心器件，細分品類眾多功率半導體是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心，主要指能夠耐 受高電壓或承受大電流的半導體分立器件，主要用于改變電子裝置中 電壓和頻率、直流交流轉(zhuǎn)換等。功率半導體主要起源于 1904 年第一個二極管的誕生，而 1957 年的美國 通用電氣公司發(fā)表的第一個晶閘管，標志著電子電力技術(shù)的誕生； 1970 年代，功率半導體進入快速發(fā)展時期，GTO、BJT 和 MOSFET 的 快速發(fā)展，標志著第二代電子電力器件的誕生。之后 1980
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碳化硅在新能源汽車中的應用現(xiàn)狀與導入路徑
- 碳化硅具有高熱導率、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率等特點，可以很好地滿足新能源汽車電動化發(fā)展趨勢，引領(lǐng)和加速了汽車電動化進程，對新能源汽車發(fā)展具有重要意義。我國新能源汽車正處于市場導入期到產(chǎn)業(yè)成長期過渡的關(guān)鍵階段，汽車產(chǎn)銷量、保有量連續(xù)6年居世界首位，在全球產(chǎn)業(yè)體系當中占了舉足輕重的地位。新能源汽車產(chǎn)業(yè)的飛速發(fā)展，極大地推動了碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展與技術(shù)創(chuàng)新，為碳化硅產(chǎn)品的技術(shù)驗證和更新迭代提供了大量數(shù)據(jù)樣本。
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英飛凌奧地利12 吋功率半導體廠啟用
- 英飛凌科技（Infineon）今日宣布，正式啟用其位于奧地利菲拉赫的 12 吋薄晶圓功率半導體芯片廠。這座12吋廠采用當今最高的建筑工藝，大量的使用再生能源與節(jié)能設(shè)計，一落成就是座零碳排的現(xiàn)代化廠房，同時它也充分結(jié)合了自動化與數(shù)字化控制的技術(shù)，并使用人工智能方案來進行維護，以達成最高的營運效率。 英飛凌的資深員工，將第一片出廠的晶圓遞交給執(zhí)行長為了實現(xiàn)這座高科技半導體廠房，英飛凌共募集了16 億歐元的投資額，是歐洲微電子領(lǐng)域中最大規(guī)模的投資項目之一，也是現(xiàn)代化程度最高的半導體組件工廠之一。英飛凌
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SiC大戰(zhàn)拉開帷幕，中國勝算幾何
- 近些年，隨著電動汽車以及其他系統(tǒng)的增長，碳化硅（SiC）功率半導體市場正在經(jīng)歷需求的突然激增，因此也吸引了產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)企業(yè)的關(guān)注。在產(chǎn)業(yè)應用進一步成熟的趨勢下，SiC的爭奪戰(zhàn)正一觸即發(fā)。碳化硅材料之殤SiC器件成本高的一大原因就是SiC襯底貴，目前，襯底成本大約是加工晶片的50%，外延片是25%，器件晶圓生產(chǎn)環(huán)節(jié)20%，封裝測試環(huán)節(jié)5%。SiC襯底不止貴，生產(chǎn)工藝還復雜，與硅相比，碳化硅很難處理、研磨和鋸切，挑戰(zhàn)非常大。所以大多數(shù)企業(yè)都是從Cree、Rohm等供應商購買襯底。SiC器件廣泛用于光伏逆變器、工
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功率半導體－馬達變頻器內(nèi)的關(guān)鍵組件
- 全球有約 30% 的發(fā)電量用于驅(qū)動工業(yè)應用中的馬達，而全球工業(yè)產(chǎn)業(yè)消耗的能源量預期到 2040 年將成長一倍。隨著對能源成本和資源有限的意識不斷提高，未來提升驅(qū)動馬達用電效率的需求將會越來越顯著。
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功率半導體行業(yè)專題報告：新能源汽車重塑功率半導體價值
- 汽車“四化”趨勢明確，對半導體需求價值量倍增汽車行業(yè)向電動化、智能化、數(shù)字化及聯(lián)網(wǎng)化方向發(fā)展，直接帶動汽車 含硅量提升。新能源電動汽車的出現(xiàn)意味著傳統(tǒng)汽車的核心競爭要素將 被取代，產(chǎn)品價值鏈被重塑。新能源車中對于電力控制的需求大幅增加，功率器件中特別是 IGBT 是 工業(yè)控制及自動化領(lǐng)域的核心元器件，其通過信號指令來調(diào)節(jié)電路中的 電壓、電流等以實現(xiàn)精準調(diào)控的目的，保障電子產(chǎn)品、電力設(shè)備正常運 行，同時降低電壓損耗，使設(shè)備節(jié)能高效。汽車半導體作為汽車電動化 關(guān)鍵載體之一，需求價值成倍增長，據(jù)估算純電
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總投資60億，這個半導體項目預計本月建成、年底投片生產(chǎn)
- 據(jù)濟南日報報道，總投資60億元的富能功率半導體項目預計今年6月建成，年底實現(xiàn)投片生產(chǎn)。據(jù)濟南市人民政府辦公廳發(fā)布2020年度市級重點項目名單，富能功率半導體項目規(guī)劃建設(shè)月產(chǎn)10萬片的兩座8英寸廠及一座月產(chǎn)5萬片的12英寸廠，一期總投資金額約人民幣60億元，主要建設(shè)月產(chǎn)3萬片的8英寸硅基功率元件產(chǎn)能和月產(chǎn)1000片的6英寸碳化硅（SiC）功率元件產(chǎn)能，應用領(lǐng)域包括消費、工業(yè)、電網(wǎng)以及新能源車等。項目投產(chǎn)后預計年產(chǎn)量48萬片，年產(chǎn)值可達36億元。據(jù)此前公開消息，該項目計劃2020年底實現(xiàn)量產(chǎn)，2022年滿產(chǎn)。
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