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        EEPW首頁 >> 主題列表 >> 功率半導體

        SiC功率半導體接合部的自我修復現(xiàn)象,有望改善產(chǎn)品壽命

        •   大阪大學和電裝2016年3月28日宣布,在日本新能源及產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合開發(fā)機構(gòu)(NEDO)的項目下,發(fā)現(xiàn)了有望提高碳化硅(SiC)功率半導體長期可靠性的接合材料自我修復現(xiàn)象。研究人員發(fā)現(xiàn),在高溫的設備工作環(huán)境下,用作接合材料的銀燒結(jié)材料自行修復了龜裂,這大大提高了SiC半導體在汽車等領域的應用可能性。   此次的SiC接合使用銀膏燒結(jié)粘接法,該方法使用微米級和亞微米級的混合銀顆粒膏,以250℃低溫在空氣環(huán)境實施30分鐘接合工藝,獲得了裸片粘接構(gòu)造。與常見的使用納米顆粒施加高壓的接合方法相比有很多優(yōu)點,包
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        功率半導體市場蓬勃 并木精密攻研鉆石單晶襯底

        •   并木精密寶石株式會社(Namiki) 多年來為全球前5大藍寶石晶體生長及襯底加工廠, 此次于慕尼黑上海電子展暨國際電子電路展(SEMICON China展會)上并木精密寶石株式會社原田裕幸部長接受了媒體采訪,透露了并木精密寶石在2016年至2020年的發(fā)展策略。        雖然目前藍寶石市場混亂且未來應用規(guī)模尚不明朗,并木精密寶石因在技術(shù)及成本上具優(yōu)勢,2016年仍會維持產(chǎn)能規(guī)模,并持續(xù)加速改善熱場及工藝,使得單臺長晶爐產(chǎn)能再提高25%;同時面向市場上藍寶石手機屏幕片應用的殷切
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        新一代功率半導體氧化鎵,開始提供外延晶圓

        •   日本風險企業(yè)Novel Crystal Technology公司(總部:埼玉縣狹山市)將于2015年10月開始銷售新一代功率半導體材料之一——氧化鎵的外延晶圓(β型Ga2O3)。這款晶圓是日本信息通信研究機構(gòu)(NICT)、日本東京農(nóng)工大學和田村制作所等共同研究的成果。Novel Crystal Technology公司是從田村制作所分離出來的風險企業(yè),定位于“NICT技術(shù)轉(zhuǎn)移企業(yè)”。該公司的目標是2016年度實現(xiàn)銷售額6000萬日元,2020年
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        英飛凌連續(xù)12年蟬聯(lián)全球功率半導體市場第一

        •   英飛凌科技股份公司連續(xù)十二次蟬聯(lián)全球功率半導體市場領袖。今年年初收購美國國際整流器公司之后,現(xiàn)在英飛凌以高達19.2%的市場份額,成為當之無愧的市場領袖。而據(jù)美國市場調(diào)查機構(gòu)IHS公司2014年的調(diào)查結(jié)果,兩家公司2013年的市場份額總和約為17.5%。英飛凌最接近的競爭對手被遠遠拋開7個百分點。節(jié)能型功率半導體應用廣泛,從微波爐,一直到大型風電機組,各式各樣的設備中都能見到它們的身影。它們有助于高效地發(fā)電、輸電和轉(zhuǎn)換電力。IHS數(shù)據(jù)表明,2014年,全球功率半導體市場增長了6.3%,達到162億美元
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        矢野經(jīng)濟研究所:SiC功率半導體將在2016年形成市場

        •   矢野經(jīng)濟研究所2014年8月4日公布了全球功率半導體市場的調(diào)查結(jié)果。    ?   全球功率半導體市場規(guī)模的推移變化和預測(出處:矢野經(jīng)濟研究所) (點擊放大)   2013年全球功率半導體市場規(guī)模(按供貨金額計算)比上年增長5.9%,為143.13億美元。雖然2012年為負增長,但2013年中國市場的需求恢復、汽車領域的穩(wěn)步增長以及新能源領域設備投資的擴大等起到了推動作用。   預計2014年仍將繼續(xù)增長,2015年以后白色家電、汽車及工業(yè)設備領域的需求有望擴大。矢野經(jīng)濟研究
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        IC Insights:2015年功率半導體營收將創(chuàng)新高

        •   功率半導體(Power Transistor)市場將在今年開出紅盤。由于節(jié)能概念風行,并快速滲透至汽車、工業(yè)和無線通訊等領域,因而刺激大量功率半導體需求。IC Insights最新報告指出,功率半導體在過去6年因總體經(jīng)濟動蕩、系統(tǒng)廠庫存調(diào)整幅度較大等因素,銷售額劇烈變化,但今年受惠于嵌入式設計需求大爆發(fā),將開始恢復穩(wěn)定成長,并將以6%的年成長率,創(chuàng)下140億美元年營收新紀錄。   
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        茲發(fā)現(xiàn)Power Integrations再次侵權(quán)Fairchild專利

        •   全球領先的高性能功率半導體解決方案供應商Fairchild 今天宣布 Power Integrations, Inc 因繼續(xù)營銷并銷售其LinkSwitch II產(chǎn)品系列而侵犯了Fairchild的美國 7,259,972 號專利,盡管在2012年陪審團已經(jīng)裁定與這些產(chǎn)品電源轉(zhuǎn)換芯片違反了此專利。   美國特拉華州的地區(qū)法院陪審團在周五裁定,Power Integrations導致消費者侵犯了Fairchild的專利權(quán),并判決給付Fairchild 240萬美元的損失賠償。這一賠償數(shù)額約按進口到美國
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        工業(yè)、汽車應用推動功率半導體市場成長7%

        • 市場好轉(zhuǎn),功率半導體廠商未來之間競爭日益激烈,本土功率器件廠商應趁機崛起。
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        華人科學家首獲國際功率半導體先驅(qū)獎

        •   在第27屆國際功率半導體器件與集成電路年會上,電子科技大學教授、中國科學院院士陳星弼因在高壓功率MOSFET理論與設計的卓越貢獻,獲“國際功率半導體先驅(qū)獎”,成為首位獲得該獎項的華人科學家。   國際功率半導體器件與集成電路年會是功率半導體領域頂級學術(shù)年會,自1992年開始舉辦,每年一屆。至今僅有IGBT器件發(fā)明人C. Frank Wheatley和Resurf理論發(fā)明人Harry Vaes獲得該獎項。
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        2020年新一代功率半導體市場規(guī)模將擴大至13倍

        •   日本富士經(jīng)濟的一份調(diào)查報告稱,按銷售金額計算,功率半導體的全球市場規(guī)模到2020年將達到33009億日元。與2014年的24092億日元相比,將增長約37%。   其中,增長率較高的是SiC、GaN、氧化鎵等新一代功率半導體。預計到2020年,新一代功率半導體的銷售額將達到1665億日元,約為2014年(129億日元)的約13倍。富士經(jīng)濟認為,SiC功率元件市場將在2016年正式形成。   此外,富士經(jīng)濟還公布了功率半導體生產(chǎn)設備的全球市場規(guī)模。2014年這一市場的銷售額為1462億日元,預測20
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        晶電發(fā)表新技術(shù) 插旗功率半導體市場

        •   LED磊晶大廠晶電(2448)發(fā)表最新技術(shù),概念燈泡的電源模組采用矽基氮化鎵(GaN-on-Si)功率半導體,可將電源模組體積大幅縮小75%。如果量產(chǎn)成功,晶電將從LED領域跨足功率半導體,拉出市場新戰(zhàn)線。初期這項技術(shù)用于晶電自家LED燈泡,未來可望延伸至手機、筆電、甚至冰箱、洗衣機等的電源。   全球都在開發(fā)功率半導體的新材料,近年較熱門的是矽基氮化鎵(GaN-on-Si,在矽基板上生長氮化鎵),包括美國麻省理工學院、韓國三星、日本東芝都在積極研發(fā)。晶電是全球LED磊晶龍頭,原本就擅長在藍寶石基板
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        用于電動汽車的功率半導體模塊設計

        •   汽車行業(yè)目前正在經(jīng)歷一個重大的技術(shù)變革時期,這已經(jīng)是個不爭的事實。過去100多年里,內(nèi)燃機引擎中都在使用燃油泵和活塞,而現(xiàn)在正在被鋰離子電池、逆變器和IGBT所取代。簡言之,汽車正在變得更加電子化。汽車的第一次電子化可能僅僅被看作是增加其電子含量的演練,或在適應現(xiàn)有的非汽車系統(tǒng)(如高壓工業(yè)驅(qū)動器),最終適應汽車中的應用。然后,采用這種方法將會大大低估可能面臨的挑戰(zhàn)。在功率和電壓等級方面,就目前的相似度而言,它們都與相關(guān)的工業(yè)離線應用類似。在汽車世界里,空間和重量都受到限制,而且環(huán)境也很惡劣,0ppm(
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        功率半導體用創(chuàng)新技術(shù)發(fā)展踐行綠色環(huán)保理念

        •   在諸多科幻作品當中,最多的描述,都來自于對未來世界的憧憬,人們使用各種方便清潔的能源,利用率高,清潔高效,甚至有可能是完全免費的能源。但是在我們可以預見的未來里,我們還將依賴目前使用最廣,能量轉(zhuǎn)換最為方便的—電能。雖然目前的電子設備正在朝著綠色和低能耗的方向發(fā)展,但在石化能源變?yōu)殡娏Φ耐瑫r,產(chǎn)生的污染也越來越受到重視。在這樣的趨勢下,能夠在電子設備里降低電路損耗,提高電能使用率方面發(fā)揮自己的作用。        功率半導體的運作介于弱電控制與強電之間,是僅次于大規(guī)模集成
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        散熱表現(xiàn)將成功率半導體業(yè)者決勝關(guān)鍵

        •   隨著英飛凌宣布并購IR之后,使得全球功率半導體市場的氛圍更顯緊張,但盡管如此,既有的高功率應用仍然有著相當高度的進入門檻,相關(guān)的功率半導體業(yè)者仍然持續(xù)推動新技術(shù)到市場上,快捷半導體(Fairchild)即是一例。    ?   快捷半導體臺灣區(qū)總經(jīng)理暨業(yè)務應用工程資深總監(jiān)李偉指出,功率半導體方案的發(fā)展方向并不是提升轉(zhuǎn)換效率而已,散熱表現(xiàn)也是功率半導體相當重要的因素。所以不管是在新一代的功率模組或是高壓切換元件,都將提升散熱的表現(xiàn)的設計加以導入。   首先是智慧功率模組,該款產(chǎn)品的
        • 關(guān)鍵字: 英飛凌  功率半導體  散熱  

        Fairchild全新1200V智能功率模塊在工業(yè)電機控制中所展現(xiàn)的熱性能令人贊嘆

        •   全球領先的高性能功率半導體解決方案供應商Fairchild今日發(fā)布1200V Motion SPM? 2模塊,該產(chǎn)品適用于開發(fā)高電壓工業(yè)應用的客戶。電機耗能占全球能源總耗的40%以上,面對這一局勢,此款新型智能功率模塊產(chǎn)品設計簡單可靠、熱性能表現(xiàn)卓越,可為使用大型三相變頻電機的系統(tǒng)提供全面保護,實現(xiàn)超高能效,為創(chuàng)造更潔凈、更智能世界這一目標而不斷努力。   Fairchild最新的智能功率模塊 (SPM) 集成了重要的電源管理硅元件,以此節(jié)省電路板空間和散熱片尺寸,打造出緊湊的一體化解決方案
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        功率半導體介紹

          《功率半導體 器件 與應用》基于前兩章的半導體物理基礎,詳細介紹了目前最主要的幾類功率半導體器件,包括pin二極管、晶閘管、門極關(guān)斷晶閘管、門極換流晶閘管、功率場效應晶體管和絕緣柵雙極型晶體管。 [ 查看詳細 ]

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