半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)景氣復(fù)蘇超乎預(yù)期，國際半導(dǎo)體設(shè)備材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會(SEMI)上修今年晶圓廠設(shè)備支出至325億美元，調(diào)升2.84%，從原本預(yù)估微幅衰退到正成長。尤其下半年將出現(xiàn)大舉擴產(chǎn)潮，其中又以臺積電貢獻(xiàn)最大，明年整體晶圓廠設(shè)備支出將再創(chuàng)新高峰，預(yù)估將達(dá)410億美元，亦高于原本預(yù)估392億元的規(guī)模。

　　據(jù)SEMI最新全球晶圓廠預(yù)估報告《SEMIWorldFabForecast》指出，今年晶圓廠設(shè)備支出將達(dá)325億美元，較去年成長2%，優(yōu)于原預(yù)估將微幅衰退0.6%，同時預(yù)估明年將有23~27%的驚人成長率，達(dá)410億美元(1兆2265億元臺幣)，也將下創(chuàng)空前高點。

　　值得關(guān)注的是，今年下半年的晶圓廠設(shè)備支出預(yù)估將較上半年大幅增長32%，達(dá)185億美元，而晶圓廠設(shè)備支出的增加，歸功于今年下半年半導(dǎo)體需求增長以及晶片平均售價提升。

　　近年晶圓廠設(shè)備支出金額比較

　　產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇超乎預(yù)期

　　SEMI臺灣暨東南亞區(qū)總裁曹世綸表示，在18寸晶圓世代即將來臨、20奈米以下先進制程、半導(dǎo)體需求增加，以及晶片平均價格上升等等因素助益下，半導(dǎo)體制造設(shè)備市場今年下半年開始將先蹲后跳，明年更可以見到驚人兩位數(shù)成長。

　　SEMI產(chǎn)業(yè)研究資深經(jīng)理曾瑞榆表示，臺積電率先調(diào)高資本支出，為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)注入強心針，比較特別的是，儲存型快閃記憶體(NANDFlash)廠商下半年將著手規(guī)劃擴產(chǎn)動作，預(yù)估新增的產(chǎn)能將會于明年陸續(xù)開出。曾瑞榆表示，今年最大的動能仍來自于晶圓代工產(chǎn)業(yè)，將增長約21%，其中臺積電資本支出增加的貢獻(xiàn)最大，記憶體廠設(shè)備支出在去年下降35%后，今年逆勢成長1%。

　　另外，曾瑞榆表示，今年晶圓廠建廠支出最多的為臺積電和三星電子，各自計劃花費15~20億美元，而英特爾、格羅方德與聯(lián)華電子則緊跟在后。晶圓廠設(shè)備支出擴大也對半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)帶來利多，相關(guān)業(yè)者均樂觀看待今年接單展望，包括漢微科、弘塑、辛耘等。