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速看！SiC JFET并聯(lián)設計白皮書完整版
- 隨著Al工作負載日趨復雜和高耗能，能提供高能效并能夠處理高壓的可靠SiC JFET將越來越重要。在第一篇文章(SiC JFET并聯(lián)難題大揭秘，這些挑戰(zhàn)讓工程師 “頭禿”！http://www.antipu.com.cn/article/202503/467642.htm)和第二篇文章(SiC JFET并聯(lián)的五大難題，破解方法終于來了！http://www.antipu.com.cn/article/202503/467644.htm)中我們重點介紹了SiC JFET并聯(lián)設計的挑戰(zhàn)，本文將介紹演示和測試結果。演
- 關鍵字： SiC JFET 并聯(lián)設計
小米SU7 Ultra將首次亮相巴展
- 3月2日晚，小米在西班牙巴塞羅那召開小米15系列全球發(fā)布會，小米15?Ultra全球同步發(fā)售，歐洲起售價1499歐元。小米15標準版也正式在海外市場發(fā)售，起售價為999歐元。此外，本次發(fā)布會還帶來了小米澎湃OS2、小米平板7 Pro、小米Buds5 Pro、小米手表S4、小米電動滑板車5 Max等多款「人車家全生態(tài)」新品。小米集團合伙人、集團總裁盧偉冰在發(fā)布會上表示：“推動我們在高端市場的發(fā)展，比以往任何時候都更加重要?！毙∶仔夹∶譙U7 Ultra和小米15 Ultra將在3月3日同步亮相2
- 關鍵字： 小米 小米15 Ultra 小米SU7 Ultra MWC
800V與碳化硅成為新能源汽車電驅的新寵，器件性能與可靠性還有上升空間
- 1 我國能源汽車已突破1000萬輛，今年將增長24%據賽迪顧問 2024 年 12 月發(fā)布的數據預測顯示，我國新能源汽車的新車全球市占率有望穩(wěn)居七成以上，我國從汽車大國邁向汽車強國的步伐更加堅實。據中國汽車工業(yè)協(xié)會的統(tǒng)計數據顯示，2024年我國汽車產銷分別完成3128.2萬輛和3143.6萬輛，同比分別增長3.7％和4.5％，繼續(xù)保持在3000萬輛以上規(guī)模，產銷總量連續(xù)16年穩(wěn)居全球第一。其中，新能源汽車產銷首次突破1000萬輛，分別達到1288.8萬輛和1286.6萬輛，同比分別增長34.4％和35.5
- 關鍵字： 電驅 碳化硅 SiC 新能源汽車 800V
小米 SU7 Ultra 汽車開售 2 小時，大定過 1 萬臺
- 2 月 28 日消息，小米汽車官方剛剛宣布，SU7 Ultra 開售 2 小時，大定過 1 萬臺，達成一個關鍵目標。今日早些時候，該車已官宣大定 10 分鐘突破 6900 臺。IT之家注意到，小米 SU7 Ultra 定金 20000 元，按 10000 臺進行計算，定金約2 億元。按照入門版 52.99 萬元計算，10000 臺新車最終銷售額至少約52.99 億元。小米 SU7 Ultra 目標成為地表最快的四門量產車，搭載小米超級三電機系統(tǒng)，標配賽道版散熱系統(tǒng)、制動系統(tǒng)，紐北調校底盤系統(tǒng)，標準版就能直
- 關鍵字： 小米 SU7 Ultra 電動汽車 國產汽車
格力：SiC工廠整套環(huán)境設備均為自主制造
- 自央視頻官方獲悉，格力電器董事長董明珠在紀錄片中，再次回應外界對格力造芯片質疑，并談到了格力建設的芯片工廠，直言“是大家把芯片看得太神秘”。董明珠表示，造芯片不是格力電器孤勇地冒險，是作為中國制造企業(yè)的責任與擔當。格力做了亞洲第一座全自動化的碳化硅工廠，整個芯片的制造過程是自己完成的。而在芯片工廠制造的過程中，格力解決了一個最大的問題?！皞鹘y(tǒng)的芯片工廠用的環(huán)境設備都是進口的，比如恒溫狀態(tài)，而這正好是格力強項。所以我們自主制造了整套系統(tǒng)的環(huán)境設備，要比傳統(tǒng)的降溫模式更節(jié)能，而這可以降低企業(yè)的成本?！倍髦橐?/li>
- 關鍵字： 格力電器 SiC 芯片工廠
從硅到碳化硅過渡，碳化硅Cascode JFET 為何能成為破局者？
- 電力電子器件高度依賴于硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）等半導體材料。雖然硅一直是傳統(tǒng)的選擇，但碳化硅器件憑借其優(yōu)異的性能與可靠性而越來越受歡迎。相較于硅，碳化硅具備多項技術優(yōu)勢（圖1），這使其在電動汽車、數據中心，以及直流快充、儲能系統(tǒng)和光伏逆變器等能源基礎設施領域嶄露頭角，成為眾多應用中的新興首選技術。圖1：硅器件（Si）與碳化硅（SiC）器件的比較什么是碳化硅Cascode JFET技術？眾多終端產品制造商已選擇碳化硅技術替代傳統(tǒng)硅技術，基于雙極結型晶體管（B
- 關鍵字： SiC Cascode JFET AC-DC
三代進化，安森美 EliteSiC MOSFET 技術發(fā)展解析
- SiC 器件性能表現(xiàn)突出，能實現(xiàn)高功率密度設計，有效應對關鍵環(huán)境和能源成本挑戰(zhàn)，也因此越來越受到電力電子領域的青睞。與硅 (Si) MOSFET 和 IGBT 相比，SiC 器件的運行頻率更高，有助于實現(xiàn)高功率密度設計、減少散熱、提高能效，并減輕電源轉換器的重量。其獨特的材料特性可以減少開關和導通損耗。與 Si MOSFET 相比，SiC 器件的電介質擊穿強度更高、能量帶隙更寬且熱導率更優(yōu)，有利于開發(fā)更緊湊、更高效的電源轉換器。安森美 (onsemi)的 1200V?分立器件和模塊中的 M3S
- 關鍵字： SiC 電源轉換
設計高壓SIC的電池斷開開關
- DC總線電壓為400 V或更大的電氣系統(tǒng)，由單相或三相電網功率或儲能系統(tǒng)（ESS）提供動力，可以通過固態(tài)電路保護提高其可靠性和彈性。在設計高壓固態(tài)電池斷開連接開關時，需要考慮一些基本的設計決策。關鍵因素包括半導體技術，設備類型，熱包裝，設備堅固性以及在電路中斷期間管理電感能量。本文討論了選擇功率半導體技術的設計注意事項，并為高壓，高電流電池斷開開關定義了半導體包裝，以及表征系統(tǒng)寄生電感和過度流動保護限制的重要性?！ 拵О雽w技術的優(yōu)勢需要仔細考慮以選擇的半導體材料以實現(xiàn)具有的狀態(tài)阻力，的離狀態(tài)泄漏電流，
- 關鍵字： SIC 電池斷開開關
基于SiC的高電壓電池斷開開關的設計注意事項
- 得益于固態(tài)電路保護，直流母線電壓為400V或以上的電氣系統(tǒng)（由單相或三相電網電源或儲能系統(tǒng)（ESS）供電）可提升自身的可靠性和彈性。在設計高電壓固態(tài)電池斷開開關時，需要考慮幾項基本的設計決策。其中關鍵因素包括半導體技術、器件類型、熱封裝、器件耐用性以及電路中斷期間的感應能量管理。在本文中，我們將討論在選擇功率半導體技術和定義高電壓、高電流電池斷開開關的半導體封裝時的一些設計注意事項，以及表征系統(tǒng)的寄生電感和過流保護限值的重要性。寬帶隙半導體技術的優(yōu)勢在選擇最佳半導體材料時，應考慮多項特性。目標是打造兼具最
- 關鍵字： SiC 高電壓電池 斷開開關
安森美將收購碳化硅JFET技術，以增強其針對AI數據中心的電源產品組合
- 安森美（onsemi）宣布已與Qorvo達成協(xié)議，以1.15億美元現(xiàn)金收購其碳化硅結型場效應晶體管(SiC JFET) 技術業(yè)務及其子公司United Silicon Carbide。該收購將補足安森美廣泛的EliteSiC電源產品組合，使其能應對人工智能（AI）數據中心電源AC-DC段對高能效和高功率密度的需求，還將加速安森美在電動汽車斷路器和固態(tài)斷路器(SSCB) 等新興市場的部署。SiC JFET的單位面積導通電阻超低，低于任何其他技術的一半。它們還支持使用硅基晶體管幾十年來常用的現(xiàn)成驅動器。綜合這
- 關鍵字： 安森美 碳化硅JFET SiC JFET 數據中心電源
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