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凌華智能全球首發(fā)Intel Core? Ultra COM-HPC Mini模塊：95mm×70mm小尺寸迸發(fā)強悍算力
- 超強性能，精巧尺寸，適應各種空間限制重點摘要：●? ?三合一超強架構：搭載Intel??Core??Ultra處理器，最高14核CPU+8核Xe GPU+集成NPU，AI算力與能效雙優(yōu)●? ?軍工級緊湊設計：95mm×70mm迷你尺寸，板載64GB LPDDR5x內存（7467MT/s），支持-40°C至85°C寬溫運行（特定型號）●? ?豐富工業(yè)級接口：集成16通道PCIe、2個SATA、2個2.5GbE網口及DDI/USB
- 關鍵字： 凌華智能 Intel Core Ultra COM-HPC Mini
SiC MOSFET如何提高AI數據中心的電源轉換能效
- 如今所有東西都存儲在云端，但云究竟在哪里？答案是數據中心。我們對圖片、視頻和其他內容的無盡需求，正推動著數據中心行業(yè)蓬勃發(fā)展。國際能源署 (IEA) 指出，[1]人工智能 (AI) 行業(yè)的迅猛發(fā)展正導致數據中心電力需求激增。預計在 2022 年到 2025 年的三年間，數據中心的耗電量將翻一番以上。 這不僅增加了運營成本，還給早已不堪重負的老舊電力基礎設施帶來了巨大的壓力，亟需大規(guī)模的投資升級。隨著數據中心耗電量急劇增加，行業(yè)更迫切地需要能夠高效轉換電力的功率半導體。這種需求的增長一方面是為了降低運營成本
- 關鍵字： SiC MOSFET AI數據中心 電源轉換能效
是什么讓SiC開始流行？
- 碳化硅是一種眾所周知的堅硬和復雜的材料。用于制造 SiC 功率半導體的晶圓生產利用制造工藝、規(guī)格和設備的密集工程來實現商業(yè)質量和成本效益。必要性與發(fā)明寬禁帶半導體正在改變電力電子領域的游戲規(guī)則，使系統級效率超越硅器件的實際限制，并帶來額外的技術特定優(yōu)勢。在碳化硅 （SiC） 的情況下，導熱性、耐溫能力和擊穿電壓與通道厚度的關系優(yōu)于硅，從而簡化了系統設計并確保了更高的可靠性。由于它們的簡單性，SiC 的孕育使二極管領先于 MOSFET 進入市場?，F在，隨著技術進步收緊工藝控制、提高良率并
- 關鍵字： SiC
新版DeepSeek V3悄然發(fā)布 外媒：很強但少了"人味"
- 3月25日消息，中國人工智能初創(chuàng)公司DeepSeek悄然發(fā)布了一款新的大語言模型，在人工智能行業(yè)引發(fā)震動。這不僅因為其強大的能力，還因為其獨特的發(fā)布方式。這個大小為641GB的模型名為DeepSeek-V3-0324，于周一悄然出現在人工智能資源庫Hugging Face上，幾乎沒有任何官方公告，延續(xù)了該公司低調卻影響深遠的發(fā)布風格。此次發(fā)布尤其值得關注的是，該模型采用MIT許可（允許免費商用），并且有報道稱它可以直接在消費者級“硬件”上運行，尤其是配備M3 Ultra芯片的蘋果Mac Studio。人工
- 關鍵字： 新版 DeepSeek V3 人工智能 Hugging Face M3 Ultra AI
Nexperia推出采用行業(yè)領先頂部散熱型封裝X.PAK的1200V SiC MOSFET
- Nexperia正式推出一系列性能高效、穩(wěn)定可靠的工業(yè)級1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。該系列器件在溫度穩(wěn)定性方面表現出色，采用創(chuàng)新的表面貼裝?(SMD)?頂部散熱封裝技術X.PAK。X.PAK封裝外形緊湊，尺寸僅為14 mm ×18.5 mm，巧妙融合了SMD技術在封裝環(huán)節(jié)的便捷優(yōu)勢以及通孔技術的高效散熱能力，確保優(yōu)異的散熱效果。此次新品發(fā)布精準滿足了眾多高功率（工業(yè)）應用領域對分立式SiC MOSFET不斷增長的需求，該系列器件借助頂部散熱技術的優(yōu)勢，得以實現卓越的熱性
- 關鍵字： Nexperia SiC MOSFET
英偉達正式發(fā)布Blackwell Ultra，黃仁勛預告下一代超級芯片
- 當地時間周二（3月18日），英偉達CEO黃仁勛在GTC主題演講中推出了新產品“Blackwell Ultra”，并預告了公司的下一代芯片“Rubin”。黃仁勛稱，去年幾乎全世界都參與到了建設人工智能（AI）數據中心的浪潮之中，“計算需求——即AI縮放定律——更具彈性，速度也正在超快地增長?！薄癆I已實現巨大飛躍——推理和代理式AI需要數量級更高的計算性能。我們?yōu)檫@一刻設計了Blackwell Ultra，這是一個功能強大的單一平臺，能夠輕松高效地完成AI的預訓練、后訓練和推理任務?！睋ミ_官網介紹，Bl
- 關鍵字： 英偉達 Blackwell Ultra 黃仁勛
第17講：SiC MOSFET的靜態(tài)特性
- 商用的Si MOSFET耐壓普遍不超過900V，而SiC擁有更高的擊穿場強，在結構上可以減少芯片的厚度，從而較大幅度地降低MOSFET的通態(tài)電阻，使其耐壓可以提高到幾千伏甚至更高。本文帶你了解其靜態(tài)特性。1. 正向特性圖1顯示了SiC MOSFET的正向通態(tài)特性。由于MOSFET是單極性器件，沒有內建電勢，所以在低電流區(qū)域，SiC MOSFET的通態(tài)壓降明顯低于Si IGBT的通態(tài)壓降；在接近額定電流時，SiC MOSFET的通態(tài)壓降幾乎與Si IGBT相同。對于經常以低于額定電流工作的應用，使用SiC
- 關鍵字： 三菱電機 SiC MOSFET
UALink還是Ultra Ethernet，面向AI的數據中心協議
- AI 和 HPC 數據中心中的計算節(jié)點越來越需要擴展到芯片或封裝之外，以獲取額外的資源來處理不斷增長的工作負載。他們可能會征用機架中的其他節(jié)點（縱向擴展）或使用其他機架中的資源（橫向擴展）。問題是目前沒有開放的 Scale-up 協議。到目前為止，這項任務一直由專有協議主導，因為大部分最高性能的計算都是在大型數據中心使用定制芯片和架構完成的。雖然以太網在橫向擴展方面很受歡迎，但對于 AI 和高性能計算工作負載來說，它并不理想。但兩種新協議 UALink 和 Ultra Ethernet 旨在解決當前縱向擴
- 關鍵字： UALink Ultra Ethernet AI 數據中心
對蘋果生態(tài)用戶友好 小米SU7 Ultra支持iPhone互聯、后排iPad上車
- 3月14日消息，不僅是手機產品，小米在汽車領域也實現了與蘋果生態(tài)的深度融合。日前，小米汽車發(fā)文稱，小米SU7 Ultra全面支持蘋果生態(tài)產品，如iPhone、iPad等，其搭載的小米澎湃智能座艙有非常豐富的生態(tài)拓展能力，對蘋果生態(tài)用戶非常友好。小米汽車還提到，目前有超過50%的小米汽車車主都是蘋果用戶。據了解，小米SU7 Ultra支持無線蘋果CarPlay互聯，車主可享受iPhone中的音樂、導航等功能。在CarPlay連接狀態(tài)下，可以正常使用小愛同學，同時CarPlay也支持Siri語音喚醒。同時，小
- 關鍵字： 小米汽車 蘋果 SU7 Ultra
小米ultra的52.99萬元背后：當風口上的雷軍最終變成造風者
- 1987年，武漢大學計算機系的教室里，那個赤腳在寒冬機房編程的少年不會想到，三十八年后，他將在汽車工業(yè)史上刻下濃墨重彩的一筆。雷軍用兩年修完四年學分的狠勁，似乎早已預示著這個湖北小鎮(zhèn)青年將用"極致效率"改寫商業(yè)規(guī)則。從金山軟件CEO到天使投資人，從智能手機到智能汽車，這位永遠穿著牛仔褲的科技狂人，始終在用互聯網思維解構傳統行業(yè)。??2010年北京四月的一鍋小米粥，釀成了中國手機行業(yè)的颶風，一具摧毀了在我國根深蒂固的“山寨機”市場；2021年宣布造車的孤注一擲，則讓國
- 關鍵字： 小米汽車 新能源汽車 小米su7 ultra
東芝推出應用于工業(yè)設備的具備增強安全功能的SiC MOSFET柵極驅動光電耦合器
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，最新推出一款可用于驅動碳化硅（SiC）MOSFET的柵極驅動光電耦合器——“TLP5814H”。該器件具備＋6.8 A／–4.8 A的輸出電流，采用小型SO8L封裝并提供有源米勒鉗位功能。今日開始支持批量供貨。在逆變器等串聯使用MOSFET或IGBT的電路中，當下橋臂[2]關閉時，米勒電流[1]可能會產生柵極電壓，進而導致上橋臂和下橋臂[3]出現短路等故障。常見的保護措施有，在柵極關閉時，對柵極施加負電壓。對于部分SiC MOSFET而言，具有比硅（Si
- 關鍵字： 東芝 SiC MOSFET 柵極驅動 光電耦合器
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