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意法半導體:SiC新工廠今年投產,豐沛產能滿足井噴市場需求
- 回首2023，碳化硅和氮化鎵行業(yè)取得了哪些進步？出現了哪些變化？2024將迎來哪些新機遇和新挑戰(zhàn)？為更好地解讀產業(yè)格局，探索未來的前進方向，行家說三代半、行家極光獎聯合策劃了《行家瞭望——2024，火力全開》專題報道。本期嘉賓是意法半導體亞太區(qū)功率分立和模擬產品器件部市場和應用副總裁Francesco MUGGERI（沐杰勵）。全工序SiC工廠今年投產第4代SiC MOS即將量產行家說三代半：據《2023碳化硅（SiC）產業(yè)調研白皮書》統(tǒng)計，2023年全球新發(fā)布碳化硅主驅車型又新增了40多款，預計明年部分
- 關鍵字： 意法半導體 SiC
采用Corning? Gorilla? Armor，三星 Galaxy S24 Ultra開創(chuàng)耐用性和視覺清晰度新標準
- 康寧，紐約州——康寧公司（紐約證券交易所代碼：GLW）和三星電子有限公司于2024年1月17日宣布，三星的Galaxy S24 Ultra設備將采用康寧的新型Corning? Gorilla? Armor蓋板材料。大猩猩Armor具有無與倫比的耐用性和視覺清晰度，能在陽光下提供更豐富的顯示效果，并能更好地防止日常磨損造成的損壞?！翱祵幍拇笮尚?玻璃與Galaxy S系列一起推動了創(chuàng)新，并在實現更高的耐用性方面取得了重大進展，”三星電子執(zhí)行副總裁兼移動體驗業(yè)務機械研發(fā)團隊主管 Kwang
- 關鍵字： Corning 三星 Galaxy S24 Ultra 視覺清晰度
Transphorm發(fā)布兩款4引腳TO-247封裝器件，針對高功率服務器、可再生能源、工業(yè)電力轉換領域擴展產品線
- 加利福尼亞州戈萊塔 – 2024 年 1 月 17 日 — 全球領先的氮化鎵（GaN）功率半導體供應商 Transphorm, Inc.（納斯達克：TGAN）今日宣布推出兩款采用 4 引腳 TO-247 封裝（TO-247-4L）的新型 SuperGaN? 器件。新發(fā)布的 TP65H035G4YS 和 TP65H050G4YS FET 器件分別具有 35 毫歐和 50 毫歐的導通電阻，并配有一個開爾文源極端子，以更低的能量損耗為客戶實現更全面的開關功能。新
- 關鍵字： Transphorm 高功率服務器 工業(yè)電力轉換 氮化鎵場效應晶體管 碳化硅 SiC
安森美：緊握第三代半導體市場，助力產業(yè) 轉型與可持續(xù)發(fā)展
- 1 轉型成功的2023得益于成功的戰(zhàn)略轉型，在汽車和工業(yè)市場增長的 推動下，安森美在 2023 年前 3 季度的業(yè)績都超預期。 其中，第一季度由先進駕駛輔助系統(tǒng) (ADAS) 和能源基 礎設施終端市場帶來的收入均同比增長約 50%，在第 二季度汽車業(yè)務收入超 10 億美元，同比增長 35%，創(chuàng) 歷史新高，第三季度汽車和工業(yè)終端市場都實現創(chuàng)紀錄 收入。安森美大中華區(qū)銷售副總裁Roy Chia2 深入布局碳化硅領域在第三代半導體領域，安森美專注于 SiC，重點聚 焦于汽車、能源、電網基礎設施等應
- 關鍵字： 安森美 第三代半導體 碳化硅 SiC
SiC 長期供貨，理想簽協(xié)議
- 意法半導體與理想汽車簽署碳化硅長期供貨協(xié)議。
- 關鍵字： SiC
SiC MOSFET用于電機驅動的優(yōu)勢
- 低電感電機有許多不同應用，包括大氣隙電機、無槽電機和低泄露感應電機。它們也可被用在使用PCB定子而非繞組定子的新電機類型中。這些電機需要高開關頻率（50-100kHz）來維持所需的紋波電流。然而，對于50kHz以上的調制頻率使用絕緣柵雙極晶體管（IGBT）無法滿足這些需求，如果是380V系統(tǒng)，硅MOSFET耐壓又不夠，這就為寬禁帶器件開創(chuàng)了新的機會。在我們的傳統(tǒng)印象中，電機驅動系統(tǒng)往往采用IGBT作為開關器件，而SiC MOSFET作為高速器件往往與光伏和電動汽車充電等需要高頻變換的應用相關聯。但在特定的
- 關鍵字： 英飛凌 SiC MOSFET
SiC是否會成為下一代液晶
- 碳化硅作為下一代功率半導體的本命，進入了全面的市場拓展階段。加上面向再生能源的市場，汽車使用市場的增長比最初的預想早了一年多，功率半導體的投資增長也顯示出SiC的一方面。不久前，行業(yè)也有研究在300mm的SIC增產的動向。然而，解決SiC容量增強問題現在成為主流。這一趨勢不僅限于日本和歐洲的功率半導體制造商。美國和中國之間的摩擦導致了SiC的國產化和量產化，這也是影響SIC的一方面。據電子器件行業(yè)報道，2023年9月7日，該公司表示，“中國SiC市場全方位戰(zhàn)略已擴大工業(yè)化加速進入公司約100家?！敝袊鳶i
- 關鍵字： SIC，液晶，半導體
Power Integrations推出具有快速短路保護功能且適配62mm SiC和IGBT模塊的門極驅動器
- 美國加利福尼亞州圣何塞，2023年12月12日訊 – 深耕于中高壓逆變器應用門極驅動器技術領域的知名公司Power Integrations（納斯達克股票代號：POWI）今日推出全新系列的即插即用型門極驅動器，新驅動器適配額定耐壓在1700V以內的62mm碳化硅(SiC) MOSFET模塊和硅IGBT模塊，具有增強的保護功能，可確保安全可靠的工作。SCALE?-2 2SP0230T2x0雙通道門極驅動器可在不到2微秒的時間內部署短路保護功能，保護緊湊型SiC MOSFET免受過電流的損壞。新驅動器還具有高
- 關鍵字： Power Integrations 短路保護 SiC IGBT模塊 門極驅動器
Nexperia首款SiC MOSFET提高了工業(yè)電源開關應用的安全性、穩(wěn)健性和可靠性標準
- 奈梅亨，2023年11月30日：基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并發(fā)布兩款采用3引腳TO-247封裝的1200 V分立器件，RDS(on)分別為40 mΩ 和80 mΩ。NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是Nexperia SiC MOSFET產品組合中首批發(fā)布的產品，隨后Nexperia將持續(xù)擴大產品陣容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封裝和表面貼裝封裝供選擇。這次推出的兩款器件可用性高，可滿足電動
- 關鍵字： Nexperia SiC MOSFET 工業(yè)電源開關
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