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gan-on-si 文章 進(jìn)入gan-on-si技術(shù)社區(qū)
Cree推出用于5GHzWiMAX的GaN HEMT三極管

- Cree發(fā)布了兩款突破性的GaN HEMT三極管,用于覆蓋4.9-5.8GHz頻帶的WiMAX。新款三極管CGH55015F與CGH55030F是首次發(fā)布的特定工作在5.8GHz的GaN HEMT WiMAX產(chǎn)品,其性能級(jí)別進(jìn)一步證實(shí)了Cree在GaN技術(shù)上的的領(lǐng)導(dǎo)地位。 新款15-watt與30-watt器件的重要潛在特性包括: 1. 相比于類似功率級(jí)的GaAs MOSFET器件,效率增加四倍 2. 相比于商業(yè)可用硅LDMOS,提高了工作頻率 3. 在免授權(quán)的5.8G
- 關(guān)鍵字: 三極管 WiMAX Cree GaN
研究人員公布低成本GaN功率器件重大進(jìn)展
- 研究人員介紹,他們第一次在200mm硅(111)晶圓上沉積了無(wú)裂縫的AlGaN/GaN結(jié)構(gòu)。高清晰XRD測(cè)量顯示出很高的晶體質(zhì)量,并且研究人員還報(bào)告了“出色的”表面形貌和均勻性。AlGaN和GaN薄膜是在Aixtron應(yīng)用實(shí)驗(yàn)室的300mmCRIUS金屬-有機(jī)化學(xué)氣相外延(MOVPE)反應(yīng)腔中生長(zhǎng)的。??????? “對(duì)實(shí)現(xiàn)在大尺寸硅晶圓上制作GaN器件的目標(biāo)來(lái)說(shuō),在200mm硅晶圓上生長(zhǎng)出
- 關(guān)鍵字: 硅晶圓 GaN 200mm MEMC
如何測(cè)試具備UMA/GAN功能的移動(dòng)電話

- 要預(yù)測(cè)客戶對(duì)一款手機(jī)性能的接受程度,從而預(yù)測(cè)手機(jī)設(shè)計(jì)的品質(zhì),需要進(jìn)行實(shí)際使用測(cè)試。使用測(cè)試是一種很有價(jià)值的工具,本文將介紹如何進(jìn)行此類測(cè)試。 UMA/GAN是一種能讓移動(dòng)電話在傳輸話音、數(shù)據(jù)、既有話音也有數(shù)據(jù)或既無(wú)話音也無(wú)數(shù)據(jù)時(shí)在蜂窩網(wǎng)絡(luò)(例如 GERAN--GSM/EDGE 無(wú)線接入網(wǎng))和IP接入網(wǎng)絡(luò)(例如無(wú)線 LAN)之間無(wú)縫切換的系統(tǒng)。作為網(wǎng)絡(luò)融合發(fā)展過(guò)程中一項(xiàng)里程碑式的技術(shù),UMA/GAN能讓手機(jī)用戶得以享受固定寬帶網(wǎng)提供的服務(wù)。UMA/GAN最初叫做免許可移動(dòng)接入(UMA)網(wǎng),之后被3
- 關(guān)鍵字: 移動(dòng)電話 UMA GAN SEGW WLAN
中國(guó)首臺(tái)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)MOCVD設(shè)備問(wèn)世
- 由青島杰生電氣有限公司承擔(dān)的國(guó)家863半導(dǎo)體照明工程重點(diǎn)項(xiàng)目“氮化鎵-MOCVD深紫外”LED材料生長(zhǎng)設(shè)備研制取得突破,我國(guó)首臺(tái)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的并能同時(shí)生長(zhǎng)6片外延片的MOCVD設(shè)備研制成功。 該設(shè)備在高亮度的藍(lán)光發(fā)光二極管(LED)、激光器(LD)、紫外光電探測(cè)器、高效率太陽(yáng)能電池、高頻大功率電子器件領(lǐng)域具有廣泛應(yīng)用。MOCVD是半導(dǎo)體照明上游關(guān)鍵設(shè)備,目前國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)的研發(fā)和生產(chǎn)所需設(shè)備全部依賴進(jìn)口。在此之前,杰生電氣已先后研發(fā)出2英寸單片和2英寸3片的
- 關(guān)鍵字: 青島杰生電氣 MOCVD LED LD GaN
合成儀器技術(shù)(04-100)

- 合成儀器(SI)利用部件開(kāi)放結(jié)構(gòu)環(huán)境中所用的核心硬件和軟件構(gòu)建單元組合,合成傳統(tǒng)儀器中的激勵(lì)和/或測(cè)量功能。合成儀器概念在70年代末和80年代初,主要是集中在軍事項(xiàng)目研究中。此時(shí),其技術(shù)不能為商業(yè)提供可用性。所能實(shí)現(xiàn)的主要是集中在RF/微波應(yīng)用中的低頻模擬、數(shù)字和基帶中。 現(xiàn)代合成儀器發(fā)現(xiàn)它們的根是在過(guò)去10年通信革命和呈現(xiàn)出的軟件無(wú)線電(SDR)概念中。根據(jù)SDR的定義,SDR是由DSP、發(fā)送器、接收器把數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)變?yōu)闊o(wú)線通信用的調(diào)制無(wú)線電波和把調(diào)制無(wú)線電波變換為數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)。DSP提供無(wú)線電功能,
- 關(guān)鍵字: 合成儀器 SI SDR
Si整流器與SiC二極管:誰(shuí)與爭(zhēng)鋒
- 在當(dāng)今的電氣設(shè)備中,功率半導(dǎo)體和電抗式元件(電容和電感)隨處可見(jiàn)。它們?cè)谡9ぷ鬟^(guò)程中會(huì)在為其供電的交流電線上產(chǎn)生兩種不希望出現(xiàn)的副作用。 首先,這些器件會(huì)引起較小的功率因數(shù)。其次,它們會(huì)使線電流失真,引起電噪聲或者產(chǎn)生與線電壓之間的相位偏移。 功率因數(shù)是指實(shí)際使用的功率與交流線上產(chǎn)生的視在功率二者的比值。電氣設(shè)備中如果存在大電容或者電感就會(huì)導(dǎo)致視在功率大于實(shí)際使用的功率,出現(xiàn)較小的功率因數(shù)。 功率因數(shù)越小,在為設(shè)備供電的交流導(dǎo)線上損耗的電能就越多。如果設(shè)備中的功率半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)操作非常
- 關(guān)鍵字: 模擬技術(shù) 電源技術(shù) Si 整流器 二極管 元器件用材料
高速單片機(jī)硬件關(guān)鍵參數(shù)設(shè)計(jì)概述
- 摘要:隨著目前新技術(shù)、新工藝的不斷出現(xiàn),高速單片機(jī)的應(yīng)用越來(lái)越廣,對(duì)硬件的可靠性問(wèn)題便提出更高的要求。本文將從硬件的可靠性角度描述高速單片機(jī)設(shè)計(jì)的關(guān)鍵點(diǎn)。 關(guān)鍵詞:高速單片機(jī) 可靠性 特性阻抗 SI PI EMC 熱設(shè)計(jì) 引 言 隨著單片機(jī)的頻率和集成度、單位面積的功率及數(shù)字信號(hào)速度的不斷提高,而信號(hào)的幅度卻不斷降低,原先設(shè)計(jì)好的、使用很穩(wěn)定的單片機(jī)系統(tǒng),現(xiàn)在可能出現(xiàn)莫名其妙的錯(cuò)誤,分析原因,又找不出問(wèn)題所在。另外,由于市場(chǎng)的需求,產(chǎn)品需要采用高速單片
- 關(guān)鍵字: 高速單片機(jī) 可靠性 特性阻抗 SI PI EMC 熱設(shè)計(jì) MCU和嵌入式微處理器
OKI新型UV傳感器ML8511采用SI-CMOS制程
- 沖電氣(OKI)推出內(nèi)建運(yùn)算放大器的紫外線(UV)傳感器IC——ML8511。該產(chǎn)品運(yùn)用絕緣上覆硅(SOI)-CMOS,為該公司首款模擬電壓輸出、無(wú)濾光器的UV傳感器。OKI將從6月份開(kāi)始陸續(xù)針對(duì)可攜式等用途產(chǎn)品,提供新款UV傳感器樣品。 OKI的UV傳感器IC由于采用了容易高整合度的SOI-CMOS技術(shù),適合于數(shù)字及模擬電路。OKI表示,該公司未來(lái)將靈活運(yùn)用這一特長(zhǎng),加強(qiáng)與連接微處理器的數(shù)字輸出電路,進(jìn)而與感測(cè)式亮度控制傳感器(AmbientLightSensor)構(gòu)成單一芯片的商品陣容;未來(lái)
- 關(guān)鍵字: OKI SI-CMOS 傳感器 電源技術(shù) 模擬技術(shù) IC 制造制程
CISCO_服務(wù)器設(shè)計(jì)中的EMI和SI問(wèn)題
- 統(tǒng)時(shí)鐘設(shè)計(jì)和布線 (以減小時(shí)鐘傾斜(Skew)導(dǎo)致的時(shí)鐘余裕 (timing margin) 受損) 時(shí)鐘走線首先要注意避免阻抗不連續(xù),在驅(qū)動(dòng)器端的時(shí)鐘線設(shè)定阻抗為Z0為40Ω,然后每條線扇出成一對(duì)線,每條的Z0基本加倍,使信號(hào)反射減至最小。時(shí)鐘傾斜(timing skew)的問(wèn)題是通過(guò)仿真解決,并將走線布到同一層上,管腳上時(shí)序信息是經(jīng)過(guò)測(cè)試驗(yàn)證過(guò)的?! ?yōu)化電源層結(jié)構(gòu),防止電源的電磁輻射影響信號(hào)層 (減小耦合噪聲,△I噪聲,模式轉(zhuǎn)換噪聲mode conversion noise) 在開(kāi)始
- 關(guān)鍵字: CISCO EMI SI 服務(wù)器
AM OLED:OLED的“明日之星”
- 摘要: 本文對(duì)近期平板顯示市場(chǎng)的一些變化,如液晶的大幅降價(jià)對(duì)PMOLED(被動(dòng)式OLED)的沖擊,AMOLED(主動(dòng)式OLED)的最新變化及技術(shù)趨勢(shì)進(jìn)行了概括分析。關(guān)鍵詞: AM OLED;TFT;LTPS;a-Si 目前OLED市場(chǎng)上占據(jù)絕對(duì)優(yōu)勢(shì)的PM OLED,因局限于中小尺寸顯示屏市場(chǎng),并且在技術(shù)與價(jià)格上與LCD相比優(yōu)勢(shì)不明顯,受LCD降價(jià)沖擊很大,未來(lái)并不被業(yè)界看好。相反,AM OLED技術(shù)卻在市場(chǎng)一片叫好聲中,日漸成熟,蓄勢(shì)待發(fā)。三星SDI預(yù)計(jì)在2007年進(jìn)入市場(chǎng),開(kāi)始大規(guī)
- 關(guān)鍵字: 0612_A AM a-Si LTPS OLED TFT 消費(fèi)電子 雜志_關(guān)注焦點(diǎn) 有機(jī)發(fā)光二極管 OLED 消費(fèi)電子
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歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)gan-on-si的理解,并與今后在此搜索gan-on-si的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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