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gan-on-si 文章進(jìn)入gan-on-si技術(shù)社區(qū)

富士通明年計劃量產(chǎn)氮化鎵功率器件

富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司日前宣布采用其基于硅基板的氮化鎵 (GaN) 功率器件的服務(wù)器電源單元成功實現(xiàn)2.5kW的高輸出功率，富士通半導(dǎo)體計劃將于2013年下半年開始量產(chǎn)這些GaN功率器件。這些器件可廣泛用于電源增值應(yīng)用，對實現(xiàn)低碳社會做出重大貢獻(xiàn)。
關(guān)鍵字：富士通功率器 GaN

功放為智能手機(jī)提供最佳效率

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字：智能手機(jī) 功放最佳效率 TD-LTE GaN

基于Si1000多路無線遙控開關(guān)的設(shè)計

摘要：針對現(xiàn)有遙控電器開關(guān)的節(jié)電性不好、使用壽命短等缺點，文中采用低功耗芯片Si1000，設(shè)計了一種新的可編程無線遙控多路開關(guān)，以實現(xiàn)對多路照明燈的遙控控制。詳細(xì)闡述了整個電路的軟硬件設(shè)計，并對其進(jìn)行了實驗
關(guān)鍵字： Si 多路無線遙控開關(guān)

大面積單結(jié)集成型a－Si:H太陽電池的結(jié)構(gòu)與制備的實現(xiàn)

1引言眾所周知，利用太陽能有許多優(yōu)點，光伏發(fā)電將為人類提供主要的能源，但目前來講，要使太陽能發(fā)電具有較大的市場，被廣大的消費者接受，提高太陽電池的光電轉(zhuǎn)換效率，降低生產(chǎn)成本應(yīng)該是我們追求的最大目標(biāo)，從目
關(guān)鍵字：結(jié)構(gòu) 制備實現(xiàn) 電池太陽結(jié)集成型 Si:H 大面積

“主流GaN”的發(fā)展和未來

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字： GaN 恩智浦氮化鎵射頻功率晶體管

科銳推出突破性GaN基固態(tài)放大器平臺

科銳公司(Nasdaq: CREE)宣布推出具有革新性功率與帶寬性能的全新Ku波段40V、0.25微米碳化硅襯底氮化鎵基(GaN-on-SiC)裸芯片產(chǎn)品系列。該創(chuàng)新型產(chǎn)品系列能夠使得固態(tài)放大器替代行波管，從而提高效率和可靠性。
關(guān)鍵字：科銳放大器 GaN

技術(shù)講座：用氧化鎵能制造出比SiC性價比更高的功率元件（一）

與SiC和GaN相比，β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導(dǎo)體元件，因而引起了極大關(guān)注。契機(jī)源...
關(guān)鍵字： SiC 功率元件 GaN 導(dǎo)通電阻

硅上GaN LED分析

硅上GaN LED不必受應(yīng)力的影響，一定量的應(yīng)力阻礙了輸出功率。英國一個研究小組通過原位工具監(jiān)測溫度和晶片曲率，制備出低位錯密度的扁平型150mm外延片，并將這些芯片安裝到器件中，使得內(nèi)量子效率接近40%。硅襯底在
關(guān)鍵字： GaN LED 分析

低溫p-Si薄膜的制備研究

引言近年來，有源液晶顯示技術(shù)在液晶顯示產(chǎn)業(yè)和研究領(lǐng)域都獨占鰲頭。在有源液晶顯示技術(shù)中，多晶硅薄膜因高遷移率展現(xiàn)出獨特的優(yōu)勢，它的器件尺寸小，可以獲得更高的開口率和分辨率；由于遷移率的提高可以將周邊驅(qū)動
關(guān)鍵字：研究制備薄膜 p-Si 低溫

利用氬氣改善p型GaN LED的性能

如果你想要得到顯著的摻雜剖面結(jié)構(gòu)及低阻值的p型GaN，那么就要考慮把你的載體氣體由氫氣置換成氬氣。作者：Vla...
關(guān)鍵字： GaN LED

采用GaN LED的便攜式DNA分析儀

在當(dāng)今社會，DNA分析的重要性毋庸置疑。就拿上個月發(fā)生的案例來說：英國倫敦一位名叫DamilolaTaylor的十歲男孩...
關(guān)鍵字： GaN LED

大功率LED關(guān)鍵材料GaN開始侵食硅功率MOSFET市場

超級半導(dǎo)體材料GaN(氮化鎵)的時代正開啟。它比傳統(tǒng)的硅和GaAs(砷化鎵)更加耐壓，已成為大功率LED的關(guān)鍵材料之...
關(guān)鍵字： LED GaN MOSFET

基于PMM8731和SI-7300的步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動電路

PMM8731是日本三洋電機(jī)公司生產(chǎn)的步進(jìn)電機(jī)脈沖分配器。而SI-7300則是日本三青公司生產(chǎn)的高性能步進(jìn)電機(jī)集成功率放大器。它們和單片機(jī)一起可構(gòu)成一種高效電機(jī)控制驅(qū)動電路。文中介紹了PMM8713與SI-7300的功能，給出了
關(guān)鍵字：驅(qū)動電路電機(jī) 步進(jìn) PMM8731 SI-7300 基于

硅襯底LED芯片主要制造工藝解析

1993年世界上第一只GaN基藍(lán)色LED問世以來，LED制造技術(shù)的發(fā)展令人矚目。目前國際上商品化的GaN基LED均是...
關(guān)鍵字： LED芯片硅襯底 GaN

硅襯底上GaN基LED的研制進(jìn)展

Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體材料廣泛用于紫、藍(lán)、綠和白光發(fā)光二極管，高密度光學(xué)存儲用的紫光激光器，紫外光探測器，...
關(guān)鍵字： MOCVD GaN LED芯片

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使用高壓 GaN 器件提高電源可靠性
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所謂SiC-SBD－與Si-PND的正向電壓比較

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