由青島杰生電氣有限公司承擔(dān)的國家863半導(dǎo)體照明工程重點項目“氮化鎵-MOCVD深紫外”LED材料生長設(shè)備研制取得突破，我國首臺具有自主知識產(chǎn)權(quán)的并能同時生長6片外延片的MOCVD設(shè)備研制成功。 　　

　　該設(shè)備在高亮度的藍(lán)光發(fā)光二極管(LED)、激光器(LD)、紫外光電探測器、高效率太陽能電池、高頻大功率電子器件領(lǐng)域具有廣泛應(yīng)用。MOCVD是半導(dǎo)體照明上游關(guān)鍵設(shè)備，目前國內(nèi)半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)的研發(fā)和生產(chǎn)所需設(shè)備全部依賴進(jìn)口。在此之前，杰生電氣已先后研發(fā)出2英寸單片和2英寸3片的氮化鎵基外延材料生長設(shè)備，已獲國家發(fā)明專利該系列設(shè)備，在藍(lán)寶石Sapphire晶片和碳化硅SiC晶片生長出各種結(jié)構(gòu)的GaN基材料。 　　

　　成立于2001年的杰生電氣，專門從事氮化鎵外延生長“金屬有機物氣相淀積法”設(shè)備（MOCVD SYSTEM）的研制開發(fā)和生產(chǎn)，杰生電氣以研發(fā)和生產(chǎn)高質(zhì)量GaN-MOCVD SYSTEM為起點，開發(fā)具有完全自主知識產(chǎn)權(quán)的從研究型到生產(chǎn)型MOCVD SYSTEM，是國內(nèi)目前唯一的GaN-MOCVD設(shè)備生產(chǎn)制造廠家。