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力科發(fā)布了SI Studio軟件包以增強(qiáng)其分析和仿真能力
- ??????? 力科公司，作為示波器、協(xié)議分析儀、串行數(shù)據(jù)測(cè)試解決方案和網(wǎng)絡(luò)分析儀領(lǐng)導(dǎo)廠商，今天宣布推出其信號(hào)完整性產(chǎn)品線的創(chuàng)新產(chǎn)品：信號(hào)完整性工作室(SI Studio)。SI Studio是力科SPARQ應(yīng)用軟件包的附加產(chǎn)品，它不但可以和SPARQ串行網(wǎng)絡(luò)分析儀協(xié)同工作，還可以作為一個(gè)獨(dú)立的軟件使用。 可完成信號(hào)完整性分析、建模和仿真的功能 SI Studio針對(duì)信號(hào)完整性工程師而開發(fā)，可讓工程師使用一個(gè)軟件包就能完成對(duì)
- 關(guān)鍵字： 力科 軟件包 SI-Studio
GaN基量子阱紅外探測(cè)器的設(shè)計(jì)
- 摘要：為了實(shí)現(xiàn)GaN基量子阱紅外探測(cè)器，利用自洽的薛定諤-泊松方法對(duì)GaN基多量子阱結(jié)構(gòu)的能帶結(jié)構(gòu)進(jìn)行了研究?？紤]了GaN基材料中的自發(fā)極化和壓電極化效應(yīng)，通過設(shè)計(jì)適當(dāng)?shù)牧孔于褰Y(jié)構(gòu)，利用自發(fā)極化和壓電極化的互補(bǔ)
- 關(guān)鍵字： 設(shè)計(jì) 探測(cè)器 紅外 量子 GaN
一種GaN寬禁帶功率放大器的設(shè)計(jì)
- 氮化鎵(GaN)作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表之一，由于其寬帶隙、高擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度等特點(diǎn)，被認(rèn)為是高頻功率半導(dǎo)體器件的理想材料。為研究GaN功率放大器的特點(diǎn)，基于Agilent ADS仿真軟件，利用負(fù)載／源牽引方法設(shè)計(jì)制作了一種S波段GaN寬禁帶功率放大器(10W)。詳細(xì)說明了設(shè)計(jì)步驟并對(duì)放大器進(jìn)行了測(cè)試，數(shù)據(jù)表明放大器在2．3～2．4 GHz范圍內(nèi)可實(shí)現(xiàn)功率超過15W，附加效率超過67％的輸出。實(shí)驗(yàn)結(jié)果證實(shí)，GaN功率放大器具有高增益、高效率的特點(diǎn)。
- 關(guān)鍵字： 設(shè)計(jì) 功率放大器 GaN 一種
Quamtum-SI DDR3仿真解析
- Automated DDR3 Analysis
Quantum-SI 2008.04 automates signal integrity and timing analysis of DDR3 interfaces. Enhancements include new DDR3-specific waveform quality checks and modeling of dynam - 關(guān)鍵字： Quamtum-SI DDR3 仿真
GaN功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將迅速增長(zhǎng)，2013年市場(chǎng)規(guī)模達(dá)1.8億
- 美國iSuppli公布了關(guān)于GaN(氮化鎵)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將迅速增長(zhǎng)的調(diào)查報(bào)告)。報(bào)告顯示，2010年的市場(chǎng)規(guī)模近乎為零，但3年后到2013年將猛增至1.836億美元。各廠商將以替代現(xiàn)有功率MOSFET的方式，不斷擴(kuò)大市場(chǎng)規(guī)模。iSuppli預(yù)測(cè)，該產(chǎn)品在高性能服務(wù)器、筆記本電腦、手機(jī)及有線通信設(shè)備等方面的應(yīng)用將取得進(jìn)展。 目前，GaN功率半導(dǎo)體正處于在研究室評(píng)測(cè)階段，或者剛開始商用化的階段。不過，GaN功率半導(dǎo)體與采用Si(硅)的功率MOSFET相比，具有導(dǎo)通電阻較低等優(yōu)點(diǎn)，可提高電源電路的轉(zhuǎn)
- 關(guān)鍵字： GaN MOSFET
用LXI構(gòu)建合成儀器(05-100)
- 合成儀器(SI)由模塊化組件構(gòu)建并啟用高速處理器和近代總線技術(shù),有望給測(cè)試用戶帶來更多的功能與靈活性,較低廉的總成本、更高速操作、更小的物理占用面積以及較長(zhǎng)的使用壽命。然而,生產(chǎn)廠家和用戶共同面臨的一個(gè)問題是缺乏統(tǒng)一的,能滿足體系結(jié)構(gòu)和商品化要求的設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)。PXI和VXI模塊儀器是這類應(yīng)用的最佳候選,但對(duì)SI設(shè)計(jì)人員亦有諸多限制,最終形成具有專用接口與控制模塊包裝的混合系統(tǒng)。
- 關(guān)鍵字： 測(cè)試測(cè)量 SI LXI
IR推出革命性氮化鎵基功率器件技術(shù)平臺(tái)
- 國際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 宣布，成功開發(fā)出一種革命性的GaN功率器件技術(shù)平臺(tái)。與此前最先進(jìn)的硅基技術(shù)平臺(tái)相比，該技術(shù)平臺(tái)可將關(guān)鍵特定設(shè)備的品質(zhì)因子 (FOM) 提高1/10，顯著提高計(jì)算和通信、汽車和電器等終端設(shè)備的性能，并降低能耗。 開拓性GaN功率器件技術(shù)平臺(tái)是IR基于該公司的GaN器件專利技術(shù)，歷經(jīng)5年研發(fā)而成的成果。 IR的GaN功率器件技術(shù)平臺(tái)有助于實(shí)現(xiàn)電源轉(zhuǎn)換解決方案的革命性進(jìn)步。通過有效利用公司60年來在電源轉(zhuǎn)換專業(yè)知識(shí)方面
- 關(guān)鍵字： IR 功率器件 GaN 終端
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