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英飛凌攜高能效增強(qiáng)模式和共源共柵配置硅基板GaN平臺組合亮相2015年應(yīng)用電力電子會議暨展覽會（APEC）
- 英飛凌科技股份公司今日宣布擴(kuò)充其硅基氮化鎵(GaN)技術(shù)和產(chǎn)品組合。目前，英飛凌提供專為要求超高能效的高性能設(shè)備而優(yōu)化的增強(qiáng)模式和級聯(lián)模式GaN平臺，包括服務(wù)器、電信設(shè)備、移動電源等開關(guān)電源應(yīng)用以及諸如Class D音頻系統(tǒng)的消費(fèi)電子產(chǎn)品。GaN技術(shù)可以大幅地縮小電源的尺寸和減輕電源的重量，這將為GaN產(chǎn)品在諸如超薄LED電視機(jī)等終端產(chǎn)品市場開辟新的機(jī)會。 英飛凌科技股份公司電源管理及多元化市場事業(yè)部總裁Andreas Urschitz表示：“英飛凌的硅基GaN產(chǎn)品組合，結(jié)合公司了所
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英飛凌將與松下電器聯(lián)袂 雙雙推出常閉型600VGaN功率器件
- 英飛凌科技股份公司和松下電器公司宣布，兩家公司已達(dá)成協(xié)議，將聯(lián)合開發(fā)采用松下電器的常閉式(增強(qiáng)型)硅基板氮化鎵(GaN)晶體管結(jié)構(gòu)，與英飛凌的表貼(SMD)封裝的GaN器件。在此背景下，松下電器向英飛凌授予了使用其常閉型GaN晶體管結(jié)構(gòu)的許可。按照這份協(xié)議的規(guī)定，兩家公司均可生產(chǎn)高性能GaN器件。由此帶來的益處是客戶可以從兩條渠道獲得采用可兼容封裝的GaN功率開關(guān)。迄今為止，沒有任何其他硅基板GaN器件提供了這樣的供貨組合，雙方商定不披露任何其他合同細(xì)節(jié)。 作為新一代化合物半導(dǎo)體技術(shù)，硅基板Ga
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TI發(fā)布業(yè)內(nèi)首款80V半橋GaN FET模塊
- 近日，德州儀器推出了業(yè)內(nèi)首款80V、10A集成氮化鎵 (GaN) 場效應(yīng)晶體管 (FET) 功率級原型機(jī)。此次原型機(jī)由位于四方扁平無引線 (QFN) 封裝內(nèi)的一個高頻驅(qū)動器和兩個采用半橋配置的GaN FET組成，使之非常易于設(shè)計(jì)。如需了解更多信息，敬請?jiān)L問www.ti.com.cn/lmg5200-pr-cn。 全新的LMG5200 GaN FET功率級原型機(jī)將有助于加快下一代GaN電源轉(zhuǎn)換解決方案的市場化，此方案為空間有限且高頻的工業(yè)應(yīng)用和電信應(yīng)用提供更高的功率密度和效率。 TI高壓電源
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英飛凌將與松下電器聯(lián)袂，雙雙推出常閉型600V GaN功率器件
- 英飛凌科技股份公司和松下電器公司宣布，兩家公司已達(dá)成協(xié)議，將聯(lián)合開發(fā)采用松下電器的常閉式(增強(qiáng)型)硅基板氮化鎵(GaN)晶體管結(jié)構(gòu)，與英飛凌的表貼(SMD)封裝的GaN器件。在此背景下，松下電器向英飛凌授予了使用其常閉型GaN晶體管結(jié)構(gòu)的許可。按照這份協(xié)議的規(guī)定，兩家公司均可生產(chǎn)高性能GaN器件。由此帶來的益處是客戶可以從兩條渠道獲得采用可兼容封裝的GaN功率開關(guān)。迄今為止，沒有任何其他硅基板GaN器件提供了這樣的供貨組合。雙方商定不披露任何其他合同細(xì)節(jié)。 作為新一代化合物半導(dǎo)體技術(shù)，硅基板Ga
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GaN在射頻功率領(lǐng)域會所向披靡嗎？
- 氮 化鎵(GaN)這種寬帶隙材料將引領(lǐng)射頻功率器件新發(fā)展并將砷化鎵(GaAs)和LDMOS(橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體)器件變成昨日黃花?看到一些媒體 文章、研究論文、分析報(bào)告和企業(yè)宣傳文檔后你當(dāng)然會這樣認(rèn)為，畢竟，GaN比一般材料有高10倍的功率密度，而且有更高的工作電壓(減少了阻抗變換損 耗)，更高的效率并且能夠在高頻高帶寬下大功率射頻輸出，這就是GaN，無論是在硅基、碳化硅襯底甚至是金剛石襯底的每個應(yīng)用都表現(xiàn)出色!帥呆了! 至少現(xiàn)在看是這樣，讓我們回顧下不同襯底風(fēng)格的GaN：硅基、碳化硅(S
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一種基于PMM8731和SI-7300的步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動電路設(shè)計(jì)
- 1 PMM8713的功能特點(diǎn) PMM8713是日本三洋電機(jī)公司生產(chǎn)的步進(jìn)電機(jī)脈沖分配器。該器件采用DIP16封裝，適用于二相或四相步進(jìn)電機(jī)。PMM8713在控制二相或四相步進(jìn)電機(jī)時都可選擇三種勵磁方式(1相勵磁，2相勵磁，1-2相勵磁三種勵磁方式之一)，每相最小的拉電流和灌電流為20mA，它不但可滿足后級功率放大器的要求，而且在所有輸入端上均內(nèi)嵌有施密特觸發(fā)電路，抗干擾能力很強(qiáng)，其原理框圖如圖1所示。 在PMM8713的內(nèi)部電路中，時鐘選通部分用于設(shè)定步進(jìn)電機(jī)的正反轉(zhuǎn)脈沖輸入法。PMM8713有兩種脈
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世強(qiáng)啟動Silicon Labs 2014創(chuàng)新技術(shù)巡回研討會
- 由中國最大本土分銷企業(yè)世強(qiáng)攜手業(yè)界領(lǐng)先的高性能混合信號IC供應(yīng)商Silicon?Labs舉辦的創(chuàng)新技術(shù)巡回研討會將于近期全面啟動。本次研討會主要針對在職研發(fā)工程師，Silicon?Labs的資深技術(shù)專家將親臨現(xiàn)場，帶來處于創(chuàng)新最前沿的設(shè)計(jì)技術(shù)?！ ”敬螘h主題涉及： 1、應(yīng)用全球最節(jié)能的ARM?Cortex?MCU實(shí)現(xiàn)超低功耗設(shè)計(jì)(最低待機(jī)功耗900nA) 2、100MIPS?的8位MCU創(chuàng)新設(shè)計(jì)與應(yīng)用 3、使用任意頻點(diǎn)可編程時鐘縮短產(chǎn)品上市時間
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NEC斥資1億美元收購萬向集團(tuán)蓄電系統(tǒng)業(yè)務(wù)
- 3月24日，IT&通信巨頭NEC公司宣布以1億美元收購中國萬向集團(tuán)旗下A123Systems公司的蓄電系統(tǒng)集成部門(A123?Energy?Solutions)，此次世界頂級蓄電SI和ICT的強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合，目標(biāo)瞄準(zhǔn)的是全球能源市場。憑借此舉，NEC將成為世界領(lǐng)先的蓄電系統(tǒng)供應(yīng)商，并有助于其實(shí)現(xiàn)全球智慧能源戰(zhàn)略?！ ?jù)悉，NEC集團(tuán)將于今年6月成立?“NEC能源解決方案”新公司，通過整合A123的蓄電系統(tǒng)集成和NEC公司世界領(lǐng)先的信息通信技術(shù)?(ICT)，以及
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導(dǎo)入Cascode結(jié)構(gòu) GaN FET打造高效率開關(guān)
- 為提高高壓電源系統(tǒng)能源效率，半導(dǎo)體業(yè)者無不積極研發(fā)經(jīng)濟(jì)型高性能功率場效應(yīng)電晶體（FET）；其中，采用Cascode結(jié)構(gòu)的...
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英飛凌：GaN功率元件前景雖好，但采用為時尚早
- GaN被認(rèn)為是下一代的功率元件，被賦予了代替SiC的神圣使命。但是近日，來自英飛凌的MarkMuenzer表示，其前景雖好，但是還沒到廣泛使用的時候，因它還有很多未被探索出來的部分。
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新一代SiC和GaN功率半導(dǎo)體競爭激烈
- 與現(xiàn)在的Si功率半導(dǎo)體相比，SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競爭。 SiC功率半導(dǎo)體方面，在柵極設(shè)有溝道的溝道型MOSFET的開發(fā)在2013年大幅加速。以前推出的SiC MOSFET只有平面型，尚未推出溝道型。溝道型MOSFET的導(dǎo)通電阻只有平面型的幾分之一，因此可以進(jìn)一步降低損耗。導(dǎo)通電阻降低后，采用比平面型更小的芯片面積即可獲得相同載流量。也
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元件開發(fā)競爭激烈 亞洲企業(yè)紛紛涉足
- 與現(xiàn)在的Si功率半導(dǎo)體相比，SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競爭。 SiC功率半導(dǎo)體方面，在柵極設(shè)有溝道的溝道型MOSFET的開發(fā)在2013年大幅加速。以前推出的SiCMOSFET只有平面型，尚未推出溝道型。溝道型MOSFET的導(dǎo)通電阻只有平面型的幾分之一，因此可以進(jìn)一步降低損耗。導(dǎo)通電阻降低后，采用比平面型更小的芯片面積即可獲得相同載流量。也就
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Vishay推出針對新能源應(yīng)用的增強(qiáng)型卡扣式功率鋁電容器
- 2013 年 12 月19 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，將其159 PUL-SI系列卡扣式功率鋁電容器在+105℃下的額定電壓提升至500V。這些增強(qiáng)型器件是針對太陽能光伏逆變器、工業(yè)電機(jī)控制和電源而設(shè)計(jì)的，具有長使用壽命和高紋波電流，在100Hz下的紋波電流達(dá)2.80A，工作溫度為+105℃，最大ESR低至150mΩ。
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