英飛凌科技股份公司和松下電器公司宣布，兩家公司已達成協(xié)議，將聯(lián)合開發(fā)采用松下電器的常閉式(增強型)硅基板氮化鎵(GaN)晶體管結構，與英飛凌的表貼(SMD)封裝的GaN器件。在此背景下，松下電器向英飛凌授予了使用其常閉型GaN晶體管結構的許可。按照這份協(xié)議的規(guī)定，兩家公司均可生產(chǎn)高性能GaN器件。由此帶來的益處是客戶可以從兩條渠道獲得采用可兼容封裝的GaN功率開關。迄今為止，沒有任何其他硅基板GaN器件提供了這樣的供貨組合，雙方商定不披露任何其他合同細節(jié)。

　　作為新一代化合物半導體技術，硅基板GaN技術備受關注。一方面，它可以實現(xiàn)很高的功率密度，從而縮小設備的外形尺寸(如電源和適配器);另一方面，它是提高能效的關鍵。一般而言，基于硅基板GaN技術的功率器件適用于各種領域，從高壓工業(yè)設備，如服務器電源(這也是600V GaN器件的潛在應用領域之一)，到低壓設備，如直流-直流轉換器(如在高端消費電子產(chǎn)品中)。IHS發(fā)布的市場研究報告顯示，與硅基板GaN技術相關的功率半導體市場，將以高達50%以上的復合年增長率(CAGR)增長，也就是說，到2023年，其市場容量將從2014年的1500萬美元，增至8億美元。