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以GaN打造的功率放大器為5G鋪路
- 德國弗勞恩霍夫應用固體物理研究所(Fraunhofer IAF)近日開發(fā)出實現(xiàn)5G網(wǎng)路不可或缺的建構模組：以氮化鎵(GaN)技術制造的高功率放大器電晶體... 下一代行動無線網(wǎng)路——5G，將為需要極低延遲的間和/或高達10Gbps資料傳輸速率的創(chuàng)新應用提供平臺。德國弗勞恩霍夫應用固體物理研究所(Fraunhofer Institute for Applied Solid State Physics，F(xiàn)raunhofer IAF)近日開發(fā)出實現(xiàn)5G網(wǎng)路不可或缺的一種建構模組
- 關鍵字： GaN 5G
學好嵌入式系統(tǒng)電路入門之——二極管/晶體管/FET
- 導電能力介于導體與絕緣體之間的物質 - 半導體 硅和鍺是位于銀、鋁等導體和石英、陶瓷等絕緣體之間，用于制造半導體器件的原材料，具有一定電阻率。不同的物質其產(chǎn)生的不同電阻率是由于可移動的電子量不同引起的。這種可移動電子叫“自由電子”。一般我們把可以通過向其摻入雜質來改變自由電子的數(shù)量，并可控制電流動的物質稱為半導體。 根據(jù)電流流動的構造，可將半導體分為N型和P型兩類。 半導體的電流流通原理 (1) N型半導體 圖1是在硅晶
- 關鍵字： 嵌入式系統(tǒng) FET
諾貝爾獎后 日本GaN產(chǎn)學應用新動態(tài)
- 當諾貝爾獎委員會在2014年宣布物理獎得主是發(fā)明藍光LED而得獎的日本學者赤崎勇、天野浩與中村修二三位學者后，掀起日本人對LED及氮化鎵(GaN)注意，也讓相關研究單位及研究計劃獲得更多的支持與關注。 比方2015年以諾貝爾獎得主天野浩帶頭的新單位─名古屋大學GaN聯(lián)盟，便有29家企業(yè)、14所大學、與2個技術研發(fā)基金會加入;日本產(chǎn)業(yè)技術總和研究所(AIST)與名古屋大學(NagoyaUniversity)合作，在2016年成立產(chǎn)總研名大氮化鎵半導體先進零組件開創(chuàng)研究實驗室(GaN-OIL)，都是
- 關鍵字： GaN LED
諾貝爾獎后 日本GaN產(chǎn)學應用新動態(tài)
- 當諾貝爾獎委員會在2014年宣布物理獎得主是發(fā)明藍光LED而得獎的日本學者赤崎勇、天野浩與中村修二三位學者后，掀起日本人對LED及氮化鎵(GaN)注意，也讓相關研究單位及研究計劃獲得更多的支持與關注。 比方2015年以諾貝爾獎得主天野浩帶頭的新單位─名古屋大學GaN聯(lián)盟，便有29家企業(yè)、14所大學、與2個技術研發(fā)基金會加入;日本產(chǎn)業(yè)技術總和研究所(AIST)與名古屋大學(Nagoya University)合作，在2016年成立產(chǎn)總研名大氮化鎵半導體先進零組件開創(chuàng)研究實驗室(GaN-OIL)，都
- 關鍵字： GaN 藍光LED
基于GaN FET的CCM圖騰柱無橋PFC
- 氮化鎵 (GaN) 技術由于其出色的開關特性和不斷提升的品質，近期逐漸得到了電力轉換應用的青睞。具有低寄生電容和零反向恢復的安全GaN可實現(xiàn)更高的開關頻率和效率，從而為全新應用和拓撲選項打開了大門。連續(xù)傳導模式 (CCM)圖騰柱PFC就是一個得益于GaN優(yōu)點的拓撲。與通常使用的雙升壓無橋PFC拓撲相比，CCM圖騰柱無橋PFC能夠使半導體開關和升壓電感器的數(shù)量減半，同時又能將峰值效率推升到95%以上。本文分析了AC交叉區(qū)域內(nèi)出現(xiàn)電流尖峰的根本原因，并給出了相應的解決方案。一個750W圖騰柱PFC原型機被
- 關鍵字： GaN PFC
TI的600V GaN FET功率級革命性地提升高性能電力轉換效能
- 基于數(shù)十年的電源管理創(chuàng)新經(jīng)驗，德州儀器(TI)近日宣布推出一款600V氮化鎵(GaN)70 mù場效應晶體管(FET)功率級工程樣片，從而使TI成為首家，也是唯一一家能夠向公眾提供集成有高壓驅動器的GaN解決方案的半導體廠商。與基于硅材料FET的解決方案相比，這款全新的12A LMG3410功率級與TI的模擬與數(shù)字電力轉換控制器組合在一起，能使設計人員創(chuàng)造出尺寸更小、效率更高并且性能更佳的設計。而這些優(yōu)勢在隔離式高壓工業(yè)、電信、企業(yè)計算和可再生能源應用中都特別重要。如需了解更多信息
- 關鍵字： TI GaN
宜普電源轉換公司（EPC）的可靠性測試報告記錄了超過170億小時測試器件的可靠性的現(xiàn)場數(shù)據(jù)，結果表明器件的失效率很低
- EPC公司的第七階段可靠性報告表明eGaN?FET非常可靠，為工程師提供可信賴及可 替代采用傳統(tǒng)硅基器件的解決方案?！ ∫似针娫崔D換公司發(fā)布第七階段可靠性測試報告，展示出在累計超過170億器件-小時的測試后的現(xiàn)場數(shù)據(jù)的分布結果，以及提供在累計超過700萬器件-小時的應力測試后的詳盡數(shù)據(jù)。各種應力測試包括間歇工作壽命[(IOL)[、早期壽命失效率[(ELFR)、高濕偏置、溫度循環(huán)及靜電放電等測試。報告提供受測產(chǎn)品的復合0.24 FIT失效率的現(xiàn)場數(shù)據(jù)。這個數(shù)值與我們直至目前為止所取得
- 關鍵字： 宜普電源 FET
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