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        EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> epc gan fet

        基于RFID的EPC中間件的設(shè)計(jì)

        • 摘要:本文簡(jiǎn)述了物聯(lián)網(wǎng)EPC技術(shù)并分析了Savant中間件軟件系統(tǒng)的主要功能和框架結(jié)構(gòu)。在深入研究EPCgloabal后,借鑒EPCgloabl的中間件標(biāo)準(zhǔn)ALE,給出了一種Savant中間件軟件系統(tǒng)的設(shè)計(jì)思路,并從邏輯上驗(yàn)證了該系統(tǒng)的完
        • 關(guān)鍵字: 設(shè)計(jì)  中間件  EPC  RFID  基于  

        TDK-EPC:服務(wù)鐵路應(yīng)用的產(chǎn)品與解決方案

        • TDK-EPC:服務(wù)鐵路應(yīng)用的產(chǎn)品與解決方案2009年生產(chǎn)電子元件的兩大巨頭日本TDK與德國(guó)愛(ài)普科斯合并,TDK在消費(fèi)電...
        • 關(guān)鍵字: TDK  EPC  

        MOS-FET與電子管OTL功放的制作

        MOS—FET末級(jí)無(wú)負(fù)反饋蓄電池供電甲類6瓦功率放大器

        • MOS—FET末級(jí)無(wú)負(fù)反饋蓄電池供電甲類6瓦功率放大器
        • 關(guān)鍵字: 功率放大器  MOS—FET  

        MOS—FET甲乙類功率放大器

        TI 小貼士:圖例理FET知識(shí)

        • 您可以通過(guò)周期性地收集大量的ADC輸出轉(zhuǎn)換采樣來(lái)生成FFT圖。一般而言,ADC廠商們將一種單音、滿量程模擬...
        • 關(guān)鍵字: FET  

        手把手教你讀懂FET選取合適器件

        • 現(xiàn)在;一臺(tái)臺(tái)電源,幾乎都能發(fā)現(xiàn)FET的影子。幾乎每個(gè)電源工程師都用過(guò)這東西,或用來(lái)逆變;或用來(lái)整流;或就當(dāng)個(gè)開(kāi)關(guān)...
        • 關(guān)鍵字: FET  

        CISSOID推出高溫度30V小訊號(hào)P-FET場(chǎng)效應(yīng)管

        •   CISSOID,在高溫半導(dǎo)體方案的領(lǐng)導(dǎo)者推出了一個(gè)行星家族(高溫度晶體管及開(kāi)關(guān))的新成員.火星是一個(gè)高溫度30V小訊號(hào)P-FET場(chǎng)效應(yīng)管, 適合于-55 ° C至+225° C高溫可靠運(yùn)作. 由于它耐于極端溫度,只有14pF的輸入電容值及于+225° C下最高只有400nA閘極漏電流. 所以這30V晶體管非常適合于高溫度傳感器介面,例如壓電傳感器或保護(hù)放大器.   
        • 關(guān)鍵字: CISSOID  P-FET  

        一種GaN寬禁帶功率放大器的設(shè)計(jì)

        • 氮化鎵(GaN)作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表之一,由于其寬帶隙、高擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度等特點(diǎn),被認(rèn)為是高頻功率半導(dǎo)體器件的理想材料。為研究GaN功率放大器的特點(diǎn),基于Agilent ADS仿真軟件,利用負(fù)載/源牽引方法設(shè)計(jì)制作了一種S波段GaN寬禁帶功率放大器(10W)。詳細(xì)說(shuō)明了設(shè)計(jì)步驟并對(duì)放大器進(jìn)行了測(cè)試,數(shù)據(jù)表明放大器在2.3~2.4 GHz范圍內(nèi)可實(shí)現(xiàn)功率超過(guò)15W,附加效率超過(guò)67%的輸出。實(shí)驗(yàn)結(jié)果證實(shí),GaN功率放大器具有高增益、高效率的特點(diǎn)。
        • 關(guān)鍵字: 設(shè)計(jì)  功率放大器  GaN  一種  

        如何對(duì)反向轉(zhuǎn)換器的FET關(guān)斷電壓進(jìn)行緩沖

        •   圖 1 顯示了反向轉(zhuǎn)換器功率級(jí)和一次側(cè) MOSFET 電壓波形。該轉(zhuǎn)換器將能量存儲(chǔ)于一個(gè)變壓器主繞組電感中并在 MOSFET 關(guān)閉時(shí)將其釋放到次級(jí)繞組。由于變壓器的漏極電感會(huì)使漏電壓升至反射輸出電壓 (Vreset) 以上,因
        • 關(guān)鍵字: 進(jìn)行  緩沖  電壓  關(guān)斷  轉(zhuǎn)換器  FET  如何  

        LTE EPC:預(yù)集成框架的推動(dòng)因素和優(yōu)點(diǎn)

        • 目錄市場(chǎng)趨勢(shì)OEM面臨的挑戰(zhàn)與要求流量模型RADISYS的LTE就緒平臺(tái)OEM...
        • 關(guān)鍵字: LTE  EPC  

        基于Si襯底的功率型GaN基LED制造技術(shù)

        • 目前國(guó)際上商品化的GaN基LED均是在藍(lán)寶石襯底或SiC襯底上制造的。但藍(lán)寶石由于硬度高、導(dǎo)電性和導(dǎo)熱性差等原因,對(duì)后期器件加工和應(yīng)用帶來(lái)很多不便,SiC同樣存在硬度高且成本昂貴的不足之處,而價(jià)格相對(duì)便宜的Si襯底由于有著優(yōu)良的導(dǎo)熱導(dǎo)電性能和成熟的器件加工工藝等優(yōu)勢(shì),因此Si襯底GaN基LED制造技術(shù)受到業(yè)界的普遍關(guān)注。
        • 關(guān)鍵字: GaN  LED  襯底  功率型    

        MOS-FET開(kāi)關(guān)電路

        • MOS-FET雖然與JFET結(jié)構(gòu)不同,但特性極為相似,N溝道和P溝道各分增強(qiáng)型和耗盡型,可在許多電路中代替J-FET,如圖5.4-97所示,電路用MOS-FET代替J-FET更簡(jiǎn)單,如釁5.4-100所示短路開(kāi)關(guān)對(duì)應(yīng)圖5.4-96中的A、C、D三個(gè)電路
        • 關(guān)鍵字: MOS-FET  開(kāi)關(guān)電路    

        J-FET開(kāi)關(guān)電路工作原理

        • 1、簡(jiǎn)單開(kāi)關(guān)控制電路圖5.4-97為簡(jiǎn)單J-FET開(kāi)關(guān)電路。當(dāng)控制電壓VC高于輸入電壓V1時(shí),VGS=0,J-FET導(dǎo)通,傳輸信號(hào)至VO;當(dāng)VC比V1足夠負(fù),VD導(dǎo)通而J-FET截止,VO=0。2、改進(jìn)的J-FET開(kāi)關(guān)電路圖5.4-98電路是圖5.4-97電路的
        • 關(guān)鍵字: J-FET  開(kāi)關(guān)電路  工作原理    

        與萬(wàn)用表結(jié)合使用的FET VP、VOO檢驗(yàn)器

        • 電路的功能場(chǎng)效晶體管漏極飽和電流IDSS和夾斷電壓VP等有很大差別,所以確定置偏很麻煩。雖然在生產(chǎn)廠已分了幾種等級(jí),但一個(gè)等級(jí)內(nèi)仍有差別,如果在組裝電路之前測(cè)量實(shí)際工作電流狀態(tài)下的VP和VOS則比較方便。測(cè)量時(shí),
        • 關(guān)鍵字: VOO  檢驗(yàn)  VP  FET  結(jié)合  使用  萬(wàn)用表  
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        epc gan fet介紹

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