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	epc gan fet
        

        
	
        
    	
        
    	  	
        
              	
                                
        
                  

                                
        
                    
        LTE/EPC網(wǎng)絡(luò)信令風(fēng)暴的抑制方案
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 0 前言無(wú)線網(wǎng)絡(luò)架構(gòu)演進(jìn)到LTE/EPC架構(gòu)時(shí)，網(wǎng)絡(luò)變得更加得扁平，信令消息直接在eNodeB和MME之間傳遞，沒(méi)有RNC來(lái)收斂匯聚，隨著LTE部署規(guī)模的擴(kuò)大，一個(gè)MME要控制上萬(wàn)個(gè)eNodeB，和這么多eNodeB進(jìn)行信令交互，MME的壓力
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        • 關(guān)鍵字：
                        方案  抑制  風(fēng)暴  網(wǎng)絡(luò)  LTE/EPC                          
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        功放為智能手機(jī)提供最佳效率
        
                                                            
          
                    	
        • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
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        • 關(guān)鍵字：
                        智能手機(jī)  功放  最佳效率  TD-LTE  GaN                          
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        將光電FET光耦用作一個(gè)線性壓控電位器
        
                                                            
          
                    	
        • 光電FET可以用作一只可變電阻，或與一只固定電阻一起用作電位器。H11F3M光電FET有7.5kV的隔離電壓，因此能夠安全地控制高壓電路參數(shù)。但這些器件的非線性傳輸特性可能成為問(wèn)題(圖1)。為了校正這種非線性，可以采用一
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        • 關(guān)鍵字：
                        FET  光電  電位器  光耦                            
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        基于優(yōu)化變換器的FET開(kāi)關(guān)來(lái)改善能量效率
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 　在計(jì)算和消費(fèi)電子產(chǎn)品中，效率已經(jīng)有了顯著的提高，重點(diǎn)是AC/DC轉(zhuǎn)換上。不過(guò)，隨著80 PLUS，Climate Savers以及EnergyStar 5等規(guī)范的出現(xiàn)，設(shè)計(jì)人員開(kāi)始認(rèn)識(shí)到，AC/DC和DC/DC功率系統(tǒng)都需要改進(jìn)。　　AC/DC平均系統(tǒng)
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        • 關(guān)鍵字：
                        改善  能量  效率  開(kāi)關(guān)  FET  優(yōu)化  變換器  基于                          
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        設(shè)計(jì)主電源和備用電源之間的FET-OR電路開(kāi)關(guān)
        
                                                            
          
                    	
        • 圖1為一具有“二極管或”功能的電路，用于主電源和備用電源之間必須自動(dòng)切換的場(chǎng)合，包括電池供電存儲(chǔ)器電...
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        • 關(guān)鍵字：
                        主電源  備用電源  FET-OR                          
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        “主流GaN”的發(fā)展和未來(lái)
        
                                                            
          
                    	
        • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
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        • 關(guān)鍵字：
                        GaN  恩智浦  氮化鎵  射頻功率晶體管                          
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        科銳推出突破性GaN基固態(tài)放大器平臺(tái)
        
                                                            
          
                    	
        • 科銳公司(Nasdaq: CREE)宣布推出具有革新性功率與帶寬性能的全新Ku波段40V、0.25微米碳化硅襯底氮化鎵基(GaN-on-SiC)裸芯片產(chǎn)品系列。該創(chuàng)新型產(chǎn)品系列能夠使得固態(tài)放大器替代行波管，從而提高效率和可靠性。
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        • 關(guān)鍵字：
                        科銳  放大器  GaN                          
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        對(duì)反向轉(zhuǎn)換器的FET關(guān)斷電壓進(jìn)行緩沖的方法
        
                                                            
          
                    	
        • 圖 1 顯示了反向轉(zhuǎn)換器功率級(jí)和一次側(cè) MOSFET 電壓波形。該轉(zhuǎn)換器將能量存儲(chǔ)于一個(gè)變壓器主繞組電感中并在 MOSFET 關(guān)閉時(shí)將其釋放到次級(jí)繞組。由于變壓器的漏極電感會(huì)使漏電壓升至反射輸出電壓 (Vreset) 以上，因此 
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        • 關(guān)鍵字：
                        緩沖  方法  進(jìn)行  電壓  FET  關(guān)斷  轉(zhuǎn)換器                          
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        技術(shù)講座：用氧化鎵能制造出比SiC性價(jià)比更高的功率元件（一）
        
                                                            
          
                    	
        • 與SiC和GaN相比，β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導(dǎo)體元件，因而引起了極大關(guān)注。契機(jī)源...
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        • 關(guān)鍵字：
                        SiC  功率元件  GaN  導(dǎo)通電阻                          
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        用智能MOSFET提升醫(yī)療設(shè)計(jì)可靠性及性能
        
                                                            
          
                    	
        • 所有關(guān)于醫(yī)療應(yīng)用的產(chǎn)品在要求高可靠性的同時(shí)，仍然需要提供終端用戶想要的新技術(shù)與功能。由于各醫(yī)療設(shè)備...
          • 
                    	                        
        • 關(guān)鍵字：
                        智能MOSFET  醫(yī)療電子  FET                          
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        基于FET輸入型OP放大器的長(zhǎng)時(shí)間模擬定時(shí)電路介紹
        
                                                            
          
                    	
        • 電路的功能定時(shí)器專用IC有NE555和C-MOS單穩(wěn)態(tài)多批振蕩器4538B等。然后用FET輸入型OP放大器也可用途長(zhǎng)時(shí)間定時(shí)電路。本電路采用其他模擬電路中使用的雙OP放大器余下的一個(gè)來(lái)組成定時(shí)器，這樣可以減少IC的數(shù)量，事先了
          • 
                    	                        
        • 關(guān)鍵字：
                        FET  輸入  OP放大器  模擬                            
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        硅上GaN LED分析
        
                                                            
          
                    	
        • 硅上GaN LED不必受應(yīng)力的影響，一定量的應(yīng)力阻礙了輸出功率。英國(guó)一個(gè)研究小組通過(guò)原位工具監(jiān)測(cè)溫度和晶片曲率，制備出低位錯(cuò)密度的扁平型150mm外延片，并將這些芯片安裝到器件中，使得內(nèi)量子效率接近40%。硅襯底在
          • 
                    	                        
        • 關(guān)鍵字：
                        GaN  LED  分析                            
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        用于VCA或幅度調(diào)制的FET乘法運(yùn)算電路介紹
        
                                                            
          
                    	
        • 電路的功能本電路是一種使用雙FET的2象限乘法電路最大輸入電壓為10V，2象限乘法運(yùn)算與幅度調(diào)制（AM）等效，可作為低頻調(diào)制電路使用。電路工作原理本電路利用了FET的溝道電阻變化，以TT15、TT16特性相同為前提條件，O
          • 
                    	                        
        • 關(guān)鍵字：
                        VCA  FET  幅度調(diào)制  乘法運(yùn)算                            
          • 
                   	
        
                    
        
                
        
                                
        
                    
        20W-50W單端FET純甲類功放的設(shè)計(jì)制作
        
                                                            
          
                    	
        • 音響發(fā)燒友在孜孜不倦的追求目標(biāo)，就是自己的音響器材有更純真更自然的音質(zhì)表現(xiàn)，單端純甲類功放，音質(zhì)醇厚,偶次 ...
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        • 關(guān)鍵字：
                        單端  FET  甲類  功放                          
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        與萬(wàn)用表結(jié)合使用的FET VP、VOO檢驗(yàn)器電路
        
                                                            
          
                    	
        • 電路的功能場(chǎng)效晶體管漏極飽和電流IDSS和夾斷電壓VP等有很大差別，所以確定置偏很麻煩。雖然在生產(chǎn)廠已分了幾種等級(jí)，但一個(gè)等級(jí)內(nèi)仍有差別，如果在組裝電路之前測(cè)量實(shí)際工作電流狀態(tài)下的VP和VOS則比較方便。測(cè)量時(shí)，
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        • 關(guān)鍵字：
                        VOO  檢驗(yàn)  電路  VP  FET  結(jié)合  使用  萬(wàn)用表                          
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        epc gan fet介紹
        
      			
        
		      	
        
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