- 為提高高壓電源系統能源效率，半導體業(yè)者無不積極研發(fā)經濟型高性能功率場效應電晶體（FET）；其中，采用Cascode結構的...
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Cascode GaN 場效應管
- GaN被認為是下一代的功率元件，被賦予了代替SiC的神圣使命。但是近日，來自英飛凌的MarkMuenzer表示，其前景雖好，但是還沒到廣泛使用的時候，因它還有很多未被探索出來的部分。
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GaN.功率元件
- 與現在的Si功率半導體相比，SiC及GaN等新一代功率半導體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競爭。
SiC功率半導體方面，在柵極設有溝道的溝道型MOSFET的開發(fā)在2013年大幅加速。以前推出的SiC MOSFET只有平面型，尚未推出溝道型。溝道型MOSFET的導通電阻只有平面型的幾分之一，因此可以進一步降低損耗。導通電阻降低后，采用比平面型更小的芯片面積即可獲得相同載流量。也
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SiC GaN
- 與現在的Si功率半導體相比，SiC及GaN等新一代功率半導體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競爭。
SiC功率半導體方面，在柵極設有溝道的溝道型MOSFET的開發(fā)在2013年大幅加速。以前推出的SiCMOSFET只有平面型，尚未推出溝道型。溝道型MOSFET的導通電阻只有平面型的幾分之一，因此可以進一步降低損耗。導通電阻降低后，采用比平面型更小的芯片面積即可獲得相同載流量。也就
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GaN 功率半導體
- 韓國蔚山科技大學(UNIST)的研究人員們宣稱開發(fā)出一種可大量生產硼/氮共摻雜石墨烯奈米微板的方法，從而可實現基于石墨烯的場效電晶體(FET)制造與設計。
由Jong-BeomBaek主導的研究團隊們采用一種BBr3/CCl4/N2的簡單溶劑熱反應，大量生產硼/氮共摻雜石墨烯奈米管，即「硼-碳-氮-石墨烯」(BCN-石墨烯)。
石墨烯自2004年經由實驗發(fā)現后，已經開發(fā)出各種方法來制造基于石墨烯的FET，包括摻雜石墨烯打造成石墨烯狀的奈米帶，以及利用氮化硼作為支柱。在各種控制石墨烯
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石墨烯 FET
- 為了限制油耗，一些汽車制造商在其新一代車型中應用了“啟動/停止”(Start/Stop)功能。當汽車停下來時，這些創(chuàng)新的新系統關閉發(fā)動機;而當駕駛人的腳從剎車踏板移向油門踏板時，就自動重新啟動發(fā)動機。這就幫助降低市區(qū)駕車及停停走走式的交通繁忙期時的油耗。
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MOSFET 二極管 PCB 穩(wěn)壓器 P-FET
- 電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
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反向轉換器 FET 關斷電壓 緩沖 漏極電感
- 發(fā)光二極體(LED)的發(fā)光效率遠高于傳統光源，耗電量僅約同亮度傳統光源的20%，并具有體積小、壽命長、效率高、不...
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GaN on GaN LED
- 陽光電源公司發(fā)布2013年三季度業(yè)績預告：歸屬于母公司凈利潤1.05~1.18億元,同比增漲70~90%,前三季度EPS為0.32~0.36元,非經常性損益0.42億,主要包括募集資金利息收入及政府補助。第三季度EPS為0.15~0.19元。
點評分析：
公司三季度業(yè)績超市場預期。主要原因是在8月底國內光伏補貼政策落實,并且明確西部地區(qū)的集中式電站標桿電價將在明年下調,西部地面電站出現搶裝潮,對國內公司逆變器及電站EPC兩大主業(yè)都有非常強的拉動作用。
由于四季度仍然是全年收入確認高峰
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EPC 逆變器
- GaN和SiC將區(qū)分使用 2015年，市場上或許就可以穩(wěn)定采購到功率元件用6英寸SiC基板。并且，屆時GaN類功率元件 ...
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功率 半導體 SiC GaN
- 中國科學院近日發(fā)布的一份報告稱，中國研究人員利用應變工程已將150mA的電流注入了530nm發(fā)光的二極管（LED），光的...
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LED GaN MOCVD
- 2013年9月5日，首屆“第三代半導體材料及應用發(fā)展國際研討會”在深圳成功召開，來自中科院半導體研究所、南...
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Si基 GaN 功率器件
- 傳統的氮化鎵（GaN）LED元件通常以藍寶石或碳化硅（SiC）為襯底，因為這兩種材料與GaN的晶格匹配度較好，襯底常用尺寸為...
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GaN LED 光萃取技術
- GaN是什么?
什么是GaN?GaN中文名：氮化嫁，用化學元素來解釋就是V族化合物。六方晶系鉛鋅礦型結構，為直接帶隙半導體。室溫禁帶寬度3.39eV。電子和空穴有效慣性質量分別為0.19和0.6。電阻率>107Ω·m，電子遷移率 (1.25～1.50)×10-2m2/(V·s)。采用化學氣相淀積法制備。
GaN材料的研究與應用是全球半導體研究的熱點，是研制微電子器件、光電子器件的新型半導體材料，并與SIC、金剛石等半導體材料一起，被
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GaN 功率器件
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