3nm 芯片 文章 進(jìn)入3nm 芯片技術(shù)社區(qū)
NVIDIA全球布局受美國出口管制影響
- 據(jù)CNBC報道，美國商務(wù)部工業(yè)安全局（BIS）發(fā)布新指南，進(jìn)一步限制先進(jìn)AI芯片的出口與使用。新措施包括禁止華為升騰AI芯片在全球任何地點的使用，加強對NVIDIA等美國AI芯片出口中國的管制，阻止中國AI資產(chǎn)擴(kuò)張至海外市場，禁止云端基礎(chǔ)設(shè)施即服務(wù)（IaaS）供應(yīng)商為敵對國提供AI算力資源，以及要求美企審查合作伙伴以防范技術(shù)轉(zhuǎn)移風(fēng)險。面對這些限制，NVIDIA采取了推出“降規(guī)版”芯片的策略，例如H20、L40等產(chǎn)品，以吸引中國市場同時規(guī)避美國管制。畢竟，中國每年高達(dá)500億美元規(guī)模的AI芯片市場對NVID
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小米官宣！自研手機SoC芯片本月發(fā)布
- 5月15日晚間，小米集團(tuán)創(chuàng)始人雷軍發(fā)布微博稱，小米自主研發(fā)設(shè)計的手機SoC芯片名字叫“玄戒O1”，將在5月下旬發(fā)布。這不是小米第一次嘗試芯片自研，早在2017年就有推出過澎湃 S1。這次玄戒芯片的回歸，不僅是一次技術(shù)層面的補位，更像是小米正式向“高端自主可控”陣營邁出的一步。自研芯片不僅是技術(shù)競賽，更是對產(chǎn)業(yè)鏈話語權(quán)的爭奪，若玄戒能站穩(wěn)腳跟，國產(chǎn)手機廠商或?qū)⒂瓉韽摹附M裝創(chuàng)新」到「底層定義」的質(zhì)變 —— 比如供應(yīng)鏈自主可控、軟硬協(xié)同優(yōu)化、國產(chǎn)技術(shù)鏈反哺等，或?qū)⑽齇PPO、vivo等廠商加速自研芯片投入，進(jìn)
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英偉達(dá)數(shù)十萬芯片+亞馬遜50億美元豪賭沙特
- 5月14日消息，美國政府正醞釀宣布一項面向沙特、阿聯(lián)酋等中東國家的重要協(xié)議，將為該地區(qū)提供更廣泛獲取先進(jìn)人工智能芯片的渠道。該協(xié)議預(yù)計將顯著提升這些國家從美國科技企業(yè)——包括英偉達(dá)、AMD、Groq等采購AI芯片的能力，以加速其人工智能生態(tài)系統(tǒng)的發(fā)展。與此同時，亞馬遜、OpenAI等美國科技巨頭也在中東擴(kuò)建數(shù)據(jù)中心。1.英偉達(dá)、AMD為沙特AI公司Humain提供先進(jìn)芯片英偉達(dá)首席執(zhí)行官黃仁勛在沙特首都利雅得舉行的“沙特—美國投資論壇”上宣布，英偉達(dá)將向沙特人工智能企業(yè)Humain提供先進(jìn)半導(dǎo)體芯片，用于
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半導(dǎo)體芯片封裝工藝的基本流程
- 半導(dǎo)體芯片封裝是半導(dǎo)體制造過程中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，它不僅為芯片提供了物理保護(hù)，還實現(xiàn)了芯片與外部電路的有效連接。封裝工藝的優(yōu)劣直接影響芯片的性能、可靠性和成本。以下是半導(dǎo)體芯片封裝工藝的基本流程分析：01 晶圓準(zhǔn)備與預(yù)處理在封裝工藝開始之前，需要對晶圓進(jìn)行清洗和預(yù)處理，去除表面的雜質(zhì)和污染物，確保晶圓表面的平整度和清潔度。這一步驟對于后續(xù)工藝的順利進(jìn)行至關(guān)重要。02?晶圓鋸切晶圓鋸切是將經(jīng)過測試的晶圓切割成單個芯片的過程。首先，需要對晶圓背面進(jìn)行研磨，使其厚度達(dá)到封裝工藝的要求。隨后，沿著晶圓上的劃片
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英偉達(dá)計劃7月推出降級版H20芯片
- 據(jù)路透社報道，英偉達(dá)已向字節(jié)跳動、阿里巴巴、騰訊等中國頭部客戶傳達(dá)重要計劃，表示擬于7月推出降級版H20芯片。盡管目前尚不清楚降級版H20芯片的具體性能參數(shù)，不過可以預(yù)見的是將在符合美國出口管制要求的前提下，對H20性能進(jìn)行調(diào)整，以尋求在有限政策空間內(nèi)繼續(xù)開拓中國市場。2023年10月收緊出口管制后，英偉達(dá)專門為中國市場推出的H200特供版本H20，其性能相比H200有大幅削減，但此前仍是英偉達(dá)在中國市場銷售的最強大人工智能芯片。然而上個月，英偉達(dá)被通知H20芯片出口至中國及相關(guān)地區(qū)需獲得出口許可證，這一
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高通新一代驍龍?zhí)幚砥骰虿捎门_積電3納米制程
- 據(jù)外媒wccftech報道，高通計劃在2025年9月舉辦的年度驍龍技術(shù)論壇上推出新一代旗艦處理器Snapdragon 8 Elite Gen 2。這款處理器預(yù)計采用臺積電第三代3納米節(jié)點制程N3P打造，相較于前代產(chǎn)品，其性能將有顯著提升。Snapdragon 8 Elite Gen 2將配備全新的Adreno 840 GPU和NPU，其中NPU的處理速度預(yù)計達(dá)到100TOPS，是Snapdragon X Elite NPU性能（45TOPS）的兩倍以上。性能提升的部分原因在于暫存內(nèi)存容量增加至16MB，使
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美國計劃強制追蹤英偉達(dá)AI芯片位置
- 據(jù)路透社報道，美國國會議員計劃在未來幾周內(nèi)正式提出一項新的立法提案，要求監(jiān)控英偉達(dá)等公司生產(chǎn)的人工智能（AI）芯片銷售后的實際位置，監(jiān)控芯片流向的舉措可以解決AI芯片大規(guī)模走私，違反美國出口管制規(guī)則的情況。據(jù)悉，該提案已經(jīng)得到了美國兩黨議員的支持。據(jù)了解，Bill Foster的立法提案一旦獲得通過，將會給予美國商務(wù)部6個月的時間來制定要求該技術(shù)的法規(guī)。英偉達(dá)芯片是創(chuàng)建AI系統(tǒng)（例如聊天機器人、圖像生成器等）的關(guān)鍵組件，無論是特朗普執(zhí)政時期，還是其前拜登任期內(nèi)，美國政府都在持續(xù)加強對英偉達(dá)芯片對華出口的管
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英偉達(dá)和聯(lián)發(fā)科技可能會在 Computex 上推出聯(lián)合開發(fā)的適用于 Windows PC 的“N1”Arm 芯片
- 據(jù) ComputerBase 稱，英偉達(dá)和聯(lián)發(fā)科預(yù)計將在 2025 年臺北國際電腦展上推出他們聯(lián)合開發(fā)的基于 Arm 的 PC 處理器。即將推出的芯片 N1X 和 N1 針對臺式機和筆記本電腦，標(biāo)志著 Nvidia 更深入地進(jìn)入 Windows-on-Arm 生態(tài)系統(tǒng)。然而，由于未解決的技術(shù)障礙，零售可用性可能會推遲到 2026 年，Heise 援引 SemiAccurate 的話說。兩家公司的首席執(zhí)行官 — 英偉達(dá)的黃仁勛和聯(lián)發(fā)科技的 Rick Tsai
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小米加速芯片自研
- 據(jù)外媒WCCFtech報道，小米旗下芯片部門玄戒「Xring」已獨立運營，團(tuán)隊規(guī)模達(dá)1000人，由高通前資深總監(jiān)秦牧云領(lǐng)導(dǎo)。有消息傳出，小米已完成首款3nm工藝SoC原型測試，進(jìn)入設(shè)計定案（tape out），預(yù)計會在今年發(fā)布。但該芯片將采用Arm現(xiàn)有的設(shè)計架構(gòu)，而非使用任何小米自研核心。根據(jù)代碼提交記錄及供應(yīng)鏈消息，玄戒芯片的硬件架構(gòu)已逐漸清晰，其采用“1+3+4”八核三叢集設(shè)計：采用1顆Cortex-X3超大核（主頻3.2GHz）、3顆Cortex-A715中核（主頻2.6GHz）、4顆Cortex-
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蘋果開啟新的供貨來源
- 蘋果首席執(zhí)行官蒂姆·庫克表示計劃今年在美國采購超過190億美元的芯片，將從臺積電在亞利桑那州的新工廠獲得數(shù)千萬顆先進(jìn)處理器，作為其全球供應(yīng)鏈調(diào)整的一部分。另外，蘋果還計劃將在未來四年內(nèi)在美國投資5000億美元。此外，在特朗普政府威脅對中國征收“對等關(guān)稅”的背景下，庫克還確認(rèn)了未來將減少iPhone在中國大陸的產(chǎn)量，把大部分面向美國市場的iPhone生產(chǎn)轉(zhuǎn)向印度的預(yù)期。蘋果與代工廠鴻海、塔塔（Tata）等印度代工廠緊急磋商，加速推動這項計劃，以應(yīng)對中國大陸可能被美國加征更高關(guān)稅的不確定性。目前，鴻海與塔塔在
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中國突豁免8項美制芯片125%關(guān)稅 CNN解密原因
- 中國低調(diào)撤銷對來自美國8種半導(dǎo)體產(chǎn)品的125%進(jìn)口關(guān)稅。 美媒消息指出，中國政府正試圖降低貿(mào)易爭端對其關(guān)鍵科技領(lǐng)域所造成的負(fù)面影響。 盡管中國大陸在半導(dǎo)體自主研發(fā)方面已有所突破，但其在芯片與半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備上，仍極度仰賴美國、韓國、日本以及荷蘭等地的供應(yīng)。CNN報道，位于深圳的三家進(jìn)口商于24日透露，他們獲知中國政府已取消對特定美國制造的半導(dǎo)體所征收的125%報復(fù)性關(guān)稅。 據(jù)悉，這些關(guān)稅豁免適用于集成電路產(chǎn)品，也就是通常所說的微芯片或半導(dǎo)體。 然而，目前為止，這項豁免措施尚未獲得大陸官方的正式回應(yīng)。進(jìn)口代理
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臺積電公布N2 2nm缺陷率：比3/5/7nm都要好
- 4月26日消息，在近日舉辦的北美技術(shù)論壇上，臺積電首次公開了N2 2nm工藝的缺陷率(D0)情況，比此前的7nm、5nm、3nm等歷代工藝都好的多。臺積電沒有給出具體數(shù)據(jù)，只是比較了幾個工藝缺陷率隨時間變化的趨勢。臺積電N2首次引入了GAAFET全環(huán)繞晶體管，目前距離大規(guī)模量產(chǎn)還有2個季度，也就是要等到年底。N2試產(chǎn)近2個月來，缺陷率和同期的N5/N4差不多，還稍微低一點，同時顯著優(yōu)于N7/N6、N3/N3P。從試產(chǎn)到量產(chǎn)半年的時間周期內(nèi)，N7/N6的綜合缺陷率是最高的，N3/N3P從量產(chǎn)開始就低得多了，
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未來的芯片將比以往任何時候都更熱
- 5多年來，在摩爾定律似乎不可避免的推動下，工程師們設(shè)法每兩年將他們可以封裝到同一區(qū)域中的晶體管數(shù)量增加一倍。但是，當(dāng)該行業(yè)追求邏輯密度時，一個不需要的副作用變得更加突出：熱量。在當(dāng)今的 CPU 和 GPU 等片上系統(tǒng) （SoC） 中，溫度會影響性能、功耗和能效。隨著時間的推移，過多的熱量會減慢關(guān)鍵信號在處理器中的傳播，并導(dǎo)致芯片性能的永久下降。它還會導(dǎo)致晶體管泄漏更多電流，從而浪費功率。反過來，增加的功耗會削弱芯片的能源效率，因為執(zhí)行完全相同的任務(wù)需要越來
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3nm 芯片介紹
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