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	碳化硅 mosfet
        

        
	
        
    	
        
    	  	
        
              	
        
                	
        碳化硅 mosfet 文章
                  進入碳化硅 mosfet技術社區(qū)  
                  
        
                
        
                                
        
                  

                                
        
                    
        總投資50億美元，Wolfspeed全球最大碳化硅工廠封頂
        
                                                            
          
                    	
        • 據Wolfspeed官微消息，全球碳化硅技術引領者Wolfspeed在位于美國北卡羅來納州查塔姆縣的“John Palmour 碳化硅制造中心”舉辦建筑封頂慶祝儀式。據悉，John Palmour 碳化硅制造中心總投資50億美元，占地445英畝，一期建設預計將于2024年底竣工。該制造中心將制造200mm碳化硅（SiC）晶圓，顯著擴大Wolfspeed材料產能，滿足對于能源轉型和AI人工智能至關重要的新一代半導體的需求。產能的爬坡將為近期簽訂的客戶協(xié)議（瑞薩、英飛凌、以及其他企業(yè)等）提供支持，推動具有重要
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        • 關鍵字：
                        Wolfspeed  碳化硅                          
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        Wolfspeed宣布其全球最大、最先進的碳化硅工廠封頂
        
                                                            
          
                    	
        • 2024年3月27日，Wolfspeed宣布，其在位于美國北卡羅來納州查塔姆縣的“John Palmour碳化硅制造中心”舉辦建筑封頂慶祝儀式。據官方介紹，“John Palmour碳化硅制造中心”總投資50億美元，獲得了來自公共部門和私營機構的支持，將助力從硅向碳化硅的產業(yè)轉型，提升對于能源轉型至關重要的材料的供應。該中心占地445英畝，一期建設預計將于2024年底竣工，該中心將制造200mm碳化硅（SiC）晶圓，顯著擴大Wolfspeed材料產能，滿足對于能源轉型和AI人工智能至關重要的新一代半導體的
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        • 關鍵字：
                        芯片制造  功率半導體  碳化硅                          
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        Wolfspeed 8英寸SiC襯底產線一期工程封頂
        
                                                            
          
                    	
        • 3月28日消息，當?shù)貢r間3月26日，Wolfspeed宣布第三座工廠——8英寸SiC襯底產線一期工程舉行了封頂儀式。據了解，該工廠位于貝卡萊納州查塔姆縣，總投資50億美元（約合人民幣356億元），占地面積445英畝，主要生產8英寸SiC單晶襯底。目前，該工廠已有一些長晶爐設備進場，預計2024年底將完成一期工程建設，2025年上半年開始生產，預計竣工達產后Wolfspeed的SiC襯底產量將擴大10倍。近期，Wolfspeed與瑞薩電子、英飛凌等公司簽署了客戶協(xié)議，查塔姆工廠的投建將為這些協(xié)議提供支持，同
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        • 關鍵字：
                        碳化硅  Wolfspeed  SiC  瑞薩  英飛凌                          
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        近年來對碳化硅（SiC）襯底需求的持續(xù)激增
        
                                                            
          
                    	
        • 隨著近年來對碳化硅（SiC）襯底需求的持續(xù)激增，市場研究公司TrendForce表示，對于SiC的成本降低呼聲越來越高，因為最終產品價格仍然是消費者的關鍵決定因素。SiC襯底的成本占整個成本結構的比例最高，約占50%。因此，襯底部分的成本降低和利用率提高尤為關鍵。由于其成本優(yōu)勢，大尺寸襯底逐漸開始被采用，市場對其寄予了很高的期望。中國SiC襯底制造商天科藍半導體計算，從4英寸升級到6英寸可以使單位成本降低50%，從6英寸升級到8英寸可以再次降低35%。與此同時，8英寸襯底可以生產更多的芯片，從而減少邊緣浪
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        • 關鍵字：
                        SiC  碳化硅                          
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        SEMICON2024收官，第三代半導體賽道競爭激烈！
        
                                                            
          
                    	
        • 3月20日，春分時期，萬物復蘇，SEMICON China 2024在上海新國際博覽中心拉開了序幕?，F(xiàn)場一片繁忙熱鬧，據悉本次展會面積達90000平方米，共有1100家展商、4500個展位和20多場會議及活動涉及了IC制造、功率及化合物半導體、先進材料、芯車會等多個專區(qū)。本次展會中，碳化硅、氮化鎵等第三代半導體產業(yè)鏈格外亮眼，據全球半導體觀察不完全統(tǒng)計，共有近70家相關企業(yè)帶來了一眾新品與最新技術，龍頭企業(yè)頗多，材料方面包括Resonac、天域半導體、天岳先進、天科合達等企業(yè)，設備端則如晶盛機電、中微公司
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        • 關鍵字：
                        碳化硅  氮化鎵  第三代半導體                          
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        英飛凌推出OptiMOS? 6 200 V MOSFET，以更高的功率密度和效率樹立行業(yè)新標準
        
                                                            
          
                    	
        • 英飛凌科技股份公司近日推出OptiMOS? 6 200 V MOSFET產品系列，使電機驅動應用取得了飛躍性的進展。這一全新產品組合將為電動摩托車、微型電動汽車和電動叉車等應用提供出色的性能。新 MOSFET產品的導通損耗和開關性能均有所改善，降低了電磁干擾（EMI）和開關損耗，有益于用于服務器、電信、儲能系統(tǒng)（ESS）、音頻、太陽能等用途的各種開關應用。此外，憑借寬安全工作區(qū)（SOA）和業(yè)界領先的RDS(on)，該產品系列非常適合電池管理系統(tǒng)等靜態(tài)開關應用。全新推出的英飛凌OptiMOS? 6 200 
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        • 關鍵字：
                        英飛凌  OptiMOS  MOSFET                          
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        英飛凌推出OptiMOS? 6200V MOSFET
        
                                                            
          
                    	
        • 英飛凌科技股份公司近日出OptiMOS? 6 200 V MOSFET產品系列，使電機驅動應用取得了飛躍性的進展。這一全新產品組合將為電動摩托車、微型電動汽車和電動叉車等應用提供出色的性能。新MOSFET產品的導通損耗和開關性能均有所改善，降低了電磁干擾（EMI）和開關損耗，有益于用于服務器、電信、儲能系統(tǒng)（ESS）、音頻、太陽能等用途的各種開關應用。此外，憑借寬安全工作區(qū)（SOA）和業(yè)界領先的RDS(on)，該產品系列非常適合電池管理系統(tǒng)等靜態(tài)開關應用。全新推出的英飛凌OptiMOS? 6 200 V產
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        • 關鍵字：
                        英飛凌  OptiMOS  6200V  MOSFET                          
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        功率MOSFET的UIS(UIL)特性知多少？
        
                                                            
          
                    	
        • 在關斷狀態(tài)下，功率MOSFET的體二極管結構的設計是為了阻斷最小漏極-源極電壓值。MOSFET體二極管的擊穿或雪崩表明反向偏置體二極管兩端的電場使得漏極和源極端子之間有大量電流流動。典型的阻斷狀態(tài)漏電流在幾十皮安到幾百納安的數(shù)量級。之前我們討論過功率MOSFET的雪崩效應，今天，我們將繼續(xù)分享相關UIS (UIL)數(shù)據表的額定值。除了Ipk vs tav圖之外，大多數(shù)功率MOSFET數(shù)據表還包含一個UIS能量額定值，通常列在最大值表中。這有點誤導，因為很明顯 (E=0.5Vav*Ipk*tav) 功率 M
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        • 關鍵字：
                        安森美  MOSFET  UIS                          
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        全球加速碳化硅產能擴充
        
                                                            
          
                    	
        • 受惠于下游應用市場的強勁需求，碳化硅產業(yè)正處于高速成長期。據TrendForce集邦咨詢預期，至2026年SiC功率元件市場規(guī)模可望達53.3億美元，其主流應用仍倚重電動汽車及可再生能源。近期，備受關注的碳化硅市場又有了新動態(tài)，涉及三菱電機、美爾森、芯粵能等企業(yè)。三菱電機SiC工廠預計4月開建據日經新聞近日報道，三菱電機將于今年4月，在日本熊本縣開工建設新的8英寸SiC工廠，并計劃于2026年4月投入運營。2023年3月，三菱電機宣布，計劃在5年內投資約1000億日元（折合人民幣約48.56億元）建設一個
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        • 關鍵字：
                        新能源汽車  碳化硅  第三代半導體                          
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        Vishay的新款80V對稱雙通道MOSFET的RDS(ON)達到業(yè)內先進水平，可顯著提高功率密度、能效和熱性能
        
                                                            
          
                    	
        • 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新型80 V對稱雙通道n溝道功率MOSFET---SiZF4800LDT，將高邊和低邊TrenchFET? Gen IV MOSFET組合在3.3 mm x 3.3 mm PowerPAIR? 3x3FS單體封裝中。Vishay Siliconix SiZF4800LDT適用于工業(yè)和通信應用功率轉換，在提高功率密度和能效的同時，增強熱性能，減少元器件數(shù)量并簡化設計。日前發(fā)布的雙通道MOSFET可用來取代兩個PowerPAK 1
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        • 關鍵字：
                        Vishay  MOSFET  對稱雙通道                          
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        芯動半導體與與意法半導體達成SiC合作
        
                                                            
          
                    	
        • 3月13日消息，日前，芯動半導體官微宣布，已與意法半導體簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議，雙方將就SiC芯片業(yè)務展開合作。此次與意法半導體就SiC芯片業(yè)務簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議，也將進一步推動長城汽車垂直整合，穩(wěn)定供應鏈發(fā)展。公開資料顯示，芯動半導體于2022年11月成立于江蘇無錫，由長城汽車與穩(wěn)晟科技合資成立，以開發(fā)第三代功率半導體SiC模組及應用解決方案為目標。目前，芯動半導體位于無錫的第三代半導體模組封測制造基地項目已完成建設。該項目總投資8億元，規(guī)劃車規(guī)級模組年產能為120萬套，預計本月正式量產。除了碳化硅模塊外，芯動
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        • 關鍵字：
                        ST  芯動  碳化硅                          
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        英飛凌推出全新CoolSiC? MOSFET 2000 V，在不影響系統(tǒng)可靠性的情況下提供更高功率密度
        
                                                            
          
                    	
        • 英飛凌科技股份公司近日推出采用TO-247PLUS-4-HCC封裝的全新CoolSiC??MOSFET?2000?V。這款產品不僅能夠滿足設計人員對更高功率密度的需求，而且即使面對嚴格的高電壓和開關頻率要求，也不會降低系統(tǒng)可靠性。CoolSiC? MOSFET具有更高的直流母線電壓，可在不增加電流的情況下提高功率。作為市面上第一款擊穿電壓達到2000 V的碳化硅分立器件，CoolSiC? MOSFET采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，爬電距離為14 mm，電氣間隙為5
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        • 關鍵字：
                        英飛凌  CoolSiC  MOSFET                          
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        英飛凌推出新一代碳化硅技術CoolSiC? MOSFET G2，推動低碳化的高性能系統(tǒng)
        
                                                            
          
                    	
        • 英飛凌科技股份公司近日推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術，開啟功率系統(tǒng)和能量轉換的新篇章。與上一代產品相比，?英飛凌全新的CoolSiC? MOSFET 650 V和1200 V Generation 2技術在確保質量和可靠性的前提下，將MOSFET的主要性能指標（如能量和電荷儲量）提高了20%，不僅提升了整體能效，更進一步推動了低碳化進程。CoolSiC? MOSFET Generation 2 (G2)?技術繼續(xù)發(fā)揮碳化硅的性能優(yōu)勢，通過降低能量損耗來提高功率轉換過程
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        • 關鍵字：
                        英飛凌  碳化硅  CoolSiC  MOSFET                          
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        晶盛機電披露碳化硅進展
        
                                                            
          
                    	
        • 近日，晶盛機電在接受機構調研時表示，目前公司已基本實現(xiàn)8-12英寸大硅片設備的全覆蓋并批量銷售，6英寸碳化硅外延設備實現(xiàn)批量銷售且訂單量快速增長，成功研發(fā)出具有國際先進水平的8英寸單片式碳化硅外延生長設備，實現(xiàn)了成熟穩(wěn)定的8英寸碳化硅外延工藝。同時公司基于產業(yè)鏈延伸，開發(fā)出了應用于8-12英寸晶圓及封裝端的減薄設備、外延設備、LPCVD設備、ALD設備等。晶盛機電自2017年開始碳化硅產業(yè)布局，聚焦碳化硅襯底片和碳化硅外延設備兩大業(yè)務。公司已掌握行業(yè)領先的8英寸碳化硅襯底技術和工藝，量產晶片的核心位錯達到
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        • 關鍵字：
                        半導體設備  晶盛機電  碳化硅                          
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        ?MOSFET共源放大器的頻率響應
        
                                                            
          
                    	
        • 在本文中，我們通過研究MOSFET共源放大器的s域傳遞函數(shù)來了解其頻率響應。之前，我們了解了MOSFET共源放大器的大信號和小信號行為。這些分析雖然有用，但僅適用于低頻操作。為了了解共用源（CS）放大器在較高頻率下的功能，我們需要更詳細地研究其頻率響應。在本文中，我們將在考慮MOSFET寄生電容的情況下導出CS放大器的全傳遞函數(shù)。然而，在我們這么做之前，讓我們花點時間回顧頻域中更為普遍的傳遞函數(shù)（TF）分析。s域傳輸函數(shù)TF是表示如何由線性系統(tǒng)操縱輸入信號（x）以產生輸出信號（y）的方程式。其形式為：&n
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        • 關鍵字：
                        MOSFET  共源放大器                          
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