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        EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅 mosfet

        碳化硅 mosfet 文章 進入碳化硅 mosfet技術社區(qū)

        輕松了解功率MOSFET的雪崩效應

        • 在關斷狀態(tài)下,功率MOSFET的體二極管結構的設計是為了阻斷最小漏極-源極電壓值。MOSFET體二極管的擊穿或雪崩表明反向偏置體二極管兩端的電場使得漏極和源極端子之間有大量電流流動。典型的阻斷狀態(tài)漏電流在幾十皮安到幾百納安的數(shù)量級。根據(jù)電路條件不同,在雪崩、MOSFET漏極或源極中,電流范圍可從微安到數(shù)百安。  額定擊穿電壓,也可稱之為“BV”,通常是在給定溫度范圍(通常是整個工作結溫范圍)內定義的MOSFET器件的最小阻斷電壓(例如30V)。數(shù)據(jù)表中的BVdss值是在低雪崩電流(通常為
        • 關鍵字: MOSFET  雪崩  電流  

        Nexperia在APEC 2024上發(fā)布拓寬分立式FET解決方案系列

        • 奈梅亨,2024年2月29日:Nexperia再次在APEC上展示產(chǎn)品創(chuàng)新,今天宣布發(fā)布幾款新型MOSFET,以進一步拓寬其分立開關解決方案的范圍,可用于多個終端市場的各種應用。此次發(fā)布的產(chǎn)品包括用于PoE、eFuse和繼電器替代產(chǎn)品的100 V 應用專用MOSFET (ASFET),采用DFN2020封裝,體積縮小60%,以及改進了電磁兼容性(EMC)的40 ?V NextPowerS3 MOSFETPoE交換機通常有多達48個端口,每個端口需要2個MOSFET提供保護。單個PCB上有多達96
        • 關鍵字: Nexperia  APEC 2024  拓寬分立式FET  MOSFET  

        MOSFET共源放大器介紹

        • 在本文中,我們介紹了具有不同負載類型的MOSFET共源放大器的基本行為。模擬電路隨處可見,放大器基本上是每個模擬電路的一部分。MOSFET能夠制造出卓越的放大器件,這就是為什么有多種基于它們的單級放大器拓撲結構的原因。根據(jù)哪個晶體管端子是輸入端和哪個晶體管端子是輸出端來區(qū)分它們。在本文中,我們將討論共用源極(CS)放大器,它使用柵極作為其輸入端子,使用漏極作為其輸出。在交流信號方面,源端子對于輸入和輸出都是公共的,因此得名為共源。圖1顯示了具有理想電流源的CS放大器。具有理想電流源負載的共源放大器。&nb
        • 關鍵字: MOSFET  共源放大器  

        ?MOSFET共源放大器介紹

        • 在本文中,我們介紹了具有不同負載類型的MOSFET共源放大器的基本行為。模擬電路隨處可見,放大器基本上是每個模擬電路的一部分。MOSFET能夠制造出卓越的放大器件,這就是為什么有多種基于它們的單級放大器拓撲結構的原因。根據(jù)哪個晶體管端子是輸入端和哪個晶體管端子是輸出端來區(qū)分它們。在本文中,我們將討論共用源極(CS)放大器,它使用柵極作為其輸入端子,使用漏極作為其輸出。在交流信號方面,源端子對于輸入和輸出都是公共的,因此得名為共源。圖1顯示了具有理想電流源的CS放大器。具有理想電流源負載的共源放大器。&nb
        • 關鍵字: MOSFET  共源放大器  

        內置1700V耐壓SiC MOSFET的AC-DC轉換器IC,助推工廠智能化

        • 本文的關鍵要點各行各業(yè)的工廠都在擴大生產(chǎn)線的智能化程度,在生產(chǎn)線上的裝置和設備旁邊導入先進信息通信設備的工廠越來越多。要將高壓工業(yè)電源線的電力轉換為信息通信設備用的電力,需要輔助設備用的高效率電源,而采用內置1700V耐壓SiC MOSFET的AC-DC轉換器IC可以輕松構建這種高效率的輔助電源。各行各業(yè)加速推進生產(chǎn)線的智能化如今,從汽車、半導體到食品、藥品和化妝品等眾多行業(yè)的工廠,既需要進一步提升生產(chǎn)效率和產(chǎn)品品質,還需要推進無碳生產(chǎn)(降低功耗和減少溫室氣體排放)。在以往的制造業(yè)中,提高工廠的生產(chǎn)效率和
        • 關鍵字: 電力轉換  SiC  MOSFET  

        瘋狂的碳化硅,國內狂追!

        • 近幾日,英飛凌在碳化硅合作與汽車半導體方面合作動態(tài)頻頻,再度引起業(yè)界對碳化硅材料關注。1月23日,英飛凌與Wolfspeed宣布擴大并延伸現(xiàn)有的長期150mm碳化硅晶圓供應協(xié)議(原先的協(xié)議簽定于2018年2月)。延伸后的合作將包括一個多年期產(chǎn)能預留協(xié)議。這將有助于保證英飛凌整個供應鏈的穩(wěn)定,同時滿足汽車、太陽能、電動汽車充電應用、儲能系統(tǒng)等領域對于碳化硅半導體不斷增長的需求。據(jù)英飛凌科技首席執(zhí)行官 JochenHanebeck 消息,為了滿足不斷增長的碳化硅器件需求,英飛凌正在落實一項多供應商戰(zhàn)略,從而在
        • 關鍵字: 碳化硅  英飛凌  晶圓  

        2000V 12-100mΩ CoolSiC? MOSFET

        • CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列采用TO-247PLUS-4-HCC封裝,規(guī)格為12-100mΩ。由于采用了.XT互聯(lián)技術,CoolSiC?技術的輸出電流能力強,可靠性提高。產(chǎn)品型號:???IMYH200R012M1H???IMYH200R024M1H???IMYH200R050M1H???IMYH200R075M1H???IMYH200R0100M1H產(chǎn)品特點■ VDSS=2000V,可用于最高母線電壓為1500VDC系統(tǒng)■ 開關損
        • 關鍵字: MOSFET  CoolSiC  Infineon  

        談談SiC MOSFET的短路能力

        • 在電力電子的很多應用,如電機驅動,有時會出現(xiàn)短路的工況。這就要求功率器件有一定的扛短路能力,即在一定的時間內承受住短路電流而不損壞。目前市面上大部分IGBT都會在數(shù)據(jù)手冊中標出短路能力,大部分在5~10us之間,例如英飛凌IGBT3/4的短路時間是10us,IGBT7短路時間是8us。而 大 部 分 的 SiC MOSFET 都 沒 有 標 出 短 路 能 力 , 即 使 有 , 也 比 較 短 , 例 如 英 飛 凌 的CoolSiCTM MOSFET單管封裝器件標稱短路時間是3us,EASY封裝器件標
        • 關鍵字: infineon  MOSFET  

        臻驅科技擬投超6億元新增SiC功率模塊項目

        • 2月1日消息,近日,浙江嘉興平湖市政府公示了“年產(chǎn)90萬片功率模塊、45萬片PCBA板和20萬臺電機控制器”建設項目規(guī)劃批前公告。據(jù)披露,該項目建設單位為臻驅科技的全資子公司——臻驅半導體(嘉興)有限公司,臻驅半導體擬投約資6.45億元在平湖市經(jīng)濟技術開發(fā)區(qū)新明路南側建造廠房用于生產(chǎn)及研發(fā)等,項目建筑面積達45800m2。公開資料顯示,臻驅科技成立于2017年,是一家提供國產(chǎn)功率半導體及新能源汽車驅動解決方案的公司,總部位于上海浦東,在上海臨港、廣西柳州、浙江平湖及德國亞?。ˋachen)等地布局了多家子
        • 關鍵字: 功率模塊  碳化硅  SiC  

        用于模擬IC設計的小信號MOSFET模型

        • MOSFET的小信號特性在模擬IC設計中起著重要作用。在本文中,我們將學習如何對MOSFET的小信號行為進行建模。正如我們在上一篇文章中所解釋的那樣,MOSFET對于現(xiàn)代模擬IC設計至關重要。然而,那篇文章主要關注MOSFET的大信號行為。模擬IC通常使用MOSFET進行小信號放大和濾波。為了充分理解和分析MOS電路,我們需要定義MOSFET的小信號行為。什么是小信號分析?當我們說“小信號”時,我們的確切意思是?為了定義這一點,讓我們參考圖1,它顯示了逆變器的輸出傳遞特性。逆變器的傳輸特性。 圖
        • 關鍵字: MOSFET  模擬IC  

        英飛凌與Wolfspeed延長多年期碳化硅150mm晶圓供應協(xié)議

        • 據(jù)外媒,1月23日,英飛凌與美國半導體制造商Wolfspeed發(fā)布聲明,宣布擴大并延長雙方2018年2月簽署的現(xiàn)有150mm碳化硅晶圓長期供應協(xié)議。根據(jù)聲明,雙方延長的的合作關系中包括一項多年期產(chǎn)能預留協(xié)議。新協(xié)議有助于提高英飛凌總體供應鏈的穩(wěn)定性,同時滿足汽車、太陽能和電動汽車應用以及儲能系統(tǒng)對碳化硅晶圓產(chǎn)品日益增長的需求。英飛凌科技首席執(zhí)行官Jochen Hanebeck表示,希望在全球范圍內保障對于150mm和200mm碳化硅晶圓的高品質、長期供應優(yōu)質貨源。
        • 關鍵字: 英飛凌  碳化硅  晶圓  Wolfspeed  

        利用低電平有效輸出驅動高端MOSFET輸入開關以實現(xiàn)系統(tǒng)電源循環(huán)

        • 摘要在無線收發(fā)器等應用中,系統(tǒng)一般處于偏遠地區(qū),通常由電池供電。由于鮮少有人能夠前往現(xiàn)場進行干預,此類應用必須持續(xù)運行。系統(tǒng)持續(xù)無活動或掛起后,需要復位系統(tǒng)以恢復操作。為了實現(xiàn)系統(tǒng)復位,可以切斷電源電壓,斷開系統(tǒng)電源,然后再次連接電源以重啟系統(tǒng)。 本文將探討使用什么方法和技術可以監(jiān)控電路的低電平有效輸出來驅動高端輸入開關,從而執(zhí)行系統(tǒng)電源循環(huán)。 簡介為了提高電子系統(tǒng)的可靠性和穩(wěn)健性,一種方法是實施能夠檢測故障并及時響應的保護機制。這些機制就像安全屏障,能夠減輕潛在損害,確保系統(tǒng)正常運行
        • 關鍵字: MOSFET  系統(tǒng)電源循環(huán)  ADI  

        致瞻科技采用意法半導體碳化硅技術,提高新能源汽車電動空調壓縮機控制器能效

        • 2024年1月18日,中國--服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM) 宣布,與聚焦于碳化硅(SiC)半導體功率模塊和先進電力電子變換系統(tǒng)的中國高科技公司致瞻科技合作,為致瞻科技電動汽車車載空調中的壓縮機控制器提供意法半導體第三代碳化硅 (SiC) MOSFET 技術。采用高能效的控制器可為新能源汽車帶來諸多益處,以動力電池容量60kWh~90kWh的中型電動汽車為例,續(xù)航里程可延長5到10公里,在夏冬
        • 關鍵字: 致瞻  意法半導體  碳化硅  新能源汽車  空調壓縮機控制器  

        Transphorm發(fā)布兩款4引腳TO-247封裝器件,針對高功率服務器、可再生能源、工業(yè)電力轉換領域擴展產(chǎn)品線

        • 加利福尼亞州戈萊塔 – 2024 年 1 月 17 日 — 全球領先的氮化鎵(GaN)功率半導體供應商 Transphorm, Inc.(納斯達克:TGAN)今日宣布推出兩款采用 4 引腳 TO-247 封裝(TO-247-4L)的新型 SuperGaN? 器件。新發(fā)布的 TP65H035G4YS 和 TP65H050G4YS FET 器件分別具有 35 毫歐和 50 毫歐的導通電阻,并配有一個開爾文源極端子,以更低的能量損耗為客戶實現(xiàn)更全面的開關功能。新
        • 關鍵字: Transphorm  高功率服務器  工業(yè)電力轉換  氮化鎵場效應晶體管  碳化硅  SiC  

        英飛凌已與碳化硅 (SiC) 供應商 SK Siltron CSS 達成協(xié)議

        • 據(jù)英飛凌官網(wǎng)消息,近日,英飛凌已與碳化硅 (SiC) 供應商 SK Siltron CSS 正式達成協(xié)議。據(jù)悉,SK Siltron CSS將為英飛凌提供具有競爭力的高質量150mm SiC晶圓,支持SiC半導體的生產(chǎn)。在后續(xù)階段,SK Siltron CSS將在協(xié)助英飛凌向200 mm 晶圓直徑過渡方面發(fā)揮重要作用。據(jù)了解,英飛凌首席采購官 Angelique van der Burg 表示:“對于英飛凌來說,供應鏈彈性意味著實施多供應商戰(zhàn)略,并在逆境中蓬勃發(fā)展,創(chuàng)造新的增長機會并推
        • 關鍵字: 英飛凌  碳化硅  SK Siltron CSS  晶圓  
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        碳化硅 mosfet介紹

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