碳化硅 mosfet 文章 進入碳化硅 mosfet技術(shù)社區(qū)
如何優(yōu)化SiC MOSFET的柵極驅(qū)動？這款I(lǐng)C方案推薦給您
- 在高壓開關(guān)電源應(yīng)用中，相較傳統(tǒng)的硅MOSFET和IGBT，碳化硅（以下簡稱“SiC”）MOSFET有明顯的優(yōu)勢。使用硅MOSFET可以實現(xiàn)高頻（數(shù)百千赫茲）開關(guān)，但它們不能用于非常高的電壓（>1000 V）。而IGBT雖然可以在高壓下使用，但其 "拖尾電流 "和緩慢的關(guān)斷使其僅限于低頻開關(guān)應(yīng)用。SiC MOSFET則兩全其美，可實現(xiàn)在高壓下的高頻開關(guān)。然而，SiC MOSFET的獨特器件特性意味著它們對柵極驅(qū)動電路有特殊的要求。了解這些特性后，設(shè)計人員就可以選擇能夠提高器件可靠性
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ROHM開發(fā)出EcoGaN? Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”， 助力減少服務(wù)器和AC適配器等的損耗和體積！
- 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向數(shù)據(jù)服務(wù)器等工業(yè)設(shè)備和AC適配器等消費電子設(shè)備的一次側(cè)電源*1，開發(fā)出集650V GaN HEMT*2和柵極驅(qū)動用驅(qū)動器等于一體的Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”（BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB）。近年來，為了實現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展的社會，對消費電子和工業(yè)設(shè)備的電源提出了更高的節(jié)能要求。針對這種需求，GaN HEMT作為一種非常有助于提高功率轉(zhuǎn)換效率和實現(xiàn)器件小型化的器件被寄予厚望。然而，與Si MOSFET相
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安森美與博格華納擴大碳化硅戰(zhàn)略合作，協(xié)議總價值超10億美元
- 2023年7月19日--智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)先企業(yè)安森美(onsemi，美國納斯達克股票代碼：ON)與提供創(chuàng)新可持續(xù)的車行方案的全球領(lǐng)先供應(yīng)商博格華納(BorgWarner，紐約證交所股票代碼：BWA)，擴大碳化硅（SiC）方面的戰(zhàn)略合作，協(xié)議總價值超10億美元。博格華納計劃將安森美的EliteSiC 1200 V和750 V功率器件集成到其VIPER功率模塊中。長期以來，雙方已在廣泛的產(chǎn)品領(lǐng)域開展戰(zhàn)略合作，其中即包括EliteSiC器件。Viper 800V碳化硅逆變器安森美提供高性能的 Elit
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碳化硅如何最大限度提高可再生能源系統(tǒng)的效率
- 全球范圍內(nèi)正在經(jīng)歷一場能源革命。根據(jù)國際能源署的報告，到 2026 年，可再生能源將占全球能源增長量的大約 95%。太陽能將占到這 95% 中的一半以上。如今，在遠大的清潔能源目標和政府政策的驅(qū)動下，太陽能、電動汽車 (EV) 基礎(chǔ)設(shè)施和儲能領(lǐng)域不斷加快采用可再生能源。可再生能源的逐漸普及也為在工業(yè)、商業(yè)和住宅應(yīng)用中部署功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)提供了更多機會。采用碳化硅 (SiC) 等寬帶隙器件，可幫助設(shè)計人員平衡四大性能指標：效率、密度、成本和可靠性。SiC 相比傳統(tǒng)基于 IGBT 的電源應(yīng)用在可再生能源系統(tǒng)中的優(yōu)
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耗盡型功率MOSFET：被忽略的MOS產(chǎn)品
- 功率MOSFET最常用于開關(guān)型應(yīng)用中，發(fā)揮著開關(guān)的作用。然而，在諸如SMPS的啟動電路、浪涌和高壓保護、防反接保護或固態(tài)繼電器等應(yīng)用中，當柵極到源極的電壓VGS為零時，功率MOSFET需要作為常“開”開關(guān)運行。在VGS=0V時作為常 "開 "開關(guān)的功率MOSFET，稱為耗盡型(depletion-mode ) MOSFET。功率MOSFET最常用于開關(guān)型應(yīng)用中，發(fā)揮著開關(guān)的作用。然而，在諸如SMPS的啟動電路、浪涌和高壓保護、防反接保護或固態(tài)繼電器等應(yīng)用中，當柵極到源極的電壓VGS為零
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安森美(onsemi)M3S EliteSiC MOSFET讓車載充電器升級到800V電池架構(gòu)
- 自電動汽車 (EV) 在汽車市場站穩(wěn)腳跟以來，電動汽車制造商一直在追求更高功率的傳動系統(tǒng)、更大的電池容量和更短的充電時間。為滿足客戶需求和延長行駛里程，電動汽車制造商不斷增加車輛的電池容量。然而，電池越大，意味著充電的時間就越長。最常見的充電方法是在家充一整夜或白天到工作場所充電。這兩種情況對電動汽車的功率水平提出了不同的要求。使用家中的住宅電源插座可能無法在一整夜后就為電動汽車充滿電。工作場所提供的可能是中等功率的交流充電樁，如果汽車配備的是較低功率的車載充電器 (OBC)，那么充電樁使用時間可能會成為
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用于SiC MOSFET的隔離柵極驅(qū)動器使用指南
- SiC MOSFET 在功率半導(dǎo)體市場中正迅速普及，因為它最初的一些可靠性問題已得到解決，并且價位已達到非常有吸引力的水平。隨著市場上的器件越來越多，必須了解 SiC MOSFET 與 IGBT 之間的共性和差異，以便用戶充分利用每種器件。本系列文章概述了安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的關(guān)鍵特性及驅(qū)動條件對它的影響，作為安森美提供的全方位寬禁帶生態(tài)系統(tǒng)的一部分，還將提供 NCP51705（用于 SiC MOSFET 的隔離柵極驅(qū)動器）的使用指南。本文為第三部分，將重點介紹NCP517
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具有更高效率與優(yōu)勢的碳化硅技術(shù)
- 碳化硅（SiC）技術(shù)具有比傳統(tǒng)的硅（Si）、絕緣柵雙極晶體管（IGBT）等技術(shù)具有更多優(yōu)勢，包括更高的開關(guān)頻率，更低的工作溫度，更高的電流和電壓容量，以及更低的損耗，進而可以實現(xiàn)更高的功率密度、可靠性和效率。本文將為您介紹SiC的發(fā)展趨勢與在儲能系統(tǒng)（ESS）上的應(yīng)用，以及由Wolfspeed推出的SiC電源解決方案。大幅降低儲能系統(tǒng)成本與提升效率的SiC技術(shù)當前的SiC技術(shù)已經(jīng)相當成熟，可以適用在從千瓦到兆瓦功率的工業(yè)應(yīng)用范圍中，影響了能源、工業(yè)和汽車等眾多領(lǐng)域。由于SiC器件運作時的溫度較低，及較小的
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Nexperia擴充NextPower 80/100 V MOSFET產(chǎn)品組合的封裝系列
- 奈梅亨，2023年6月21日：基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今日宣布擴充NextPower 80/100 V MOSFET產(chǎn)品組合的封裝系列。此前該產(chǎn)品組合僅提供LFPAK56E封裝，而現(xiàn)在新增了LFPAK56和LFPAK88封裝設(shè)計。這些器件具備高效率和低尖峰特性，適用于通信、服務(wù)器、工業(yè)、開關(guān)電源、快充、USB-PD和電機控制應(yīng)用。 長期以來，品質(zhì)因數(shù)Qg*RDSon一直是半導(dǎo)體制造商提高MOSFET開關(guān)效率的重點。然而，一味地降低該品質(zhì)因數(shù)導(dǎo)致產(chǎn)生了意外后果
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228億涌入國內(nèi)碳化硅賽道
- 三安光電與意法半導(dǎo)體 32 億美元合資建廠。
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采用SiC MOSFET的高性能逆變焊機設(shè)計要點
- 近年來，為了更好地實現(xiàn)自然資源可持續(xù)利用，需要更多節(jié)能產(chǎn)品，因此，關(guān)于焊機能效的強制性規(guī)定應(yīng)運而生。經(jīng)改進的碳化硅CoolSiC? MOSFET 1200V采用基于.XT擴散焊技術(shù)的TO-247封裝，其非常規(guī)封裝和熱設(shè)計方法通過改良設(shè)計提高了能效和功率密度。逆變焊機通常是通過IGBT功率模塊解決方案設(shè)計來實現(xiàn)更高輸出功率，從而幫助降低節(jié)能焊機的成本、重量和尺寸[1]。在焊機行業(yè)，諸如提高效率、降低成本和增強便攜性（即，縮小尺寸并減輕重量）等趨勢一直是促進持續(xù)發(fā)展的推動力。譬如，多個標準法規(guī)已經(jīng)或即將強制規(guī)
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干貨 | MOSFET結(jié)構(gòu)及其工作原理詳解
- 01?概述MOSFET的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體），F(xiàn)ET（Field Effect Transistor場效應(yīng)晶體管），即以金屬層（M）的柵極隔著氧化層（O）利用電場的效應(yīng)來控制半導(dǎo)體（S）的場效應(yīng)晶體管。功率場效應(yīng)晶體管也分為結(jié)型和絕緣柵型,但通常主要指絕緣柵型中的MOS型（Metal Oxide Semiconductor FET）,簡稱功率MOSFET（Power MOSFET）。結(jié)型功率場效應(yīng)晶體管一般稱作靜電感應(yīng)晶體管（Sta
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意法半導(dǎo)體、三安光電將成立碳化硅合資制造廠
- ·? ?意法半導(dǎo)體和三安光電將成立一家合資制造廠，進行8英寸碳化硅 (SiC)器件大規(guī)模量產(chǎn)·? ?該合資廠將有助于滿足中國汽車電氣化、工業(yè)電力和能源等應(yīng)用對意法半導(dǎo)體 SiC器件日益增長的需求·? ?三安光電還將單獨建造一個8英寸 SiC襯底制造廠，以滿足該合資廠的襯底需求?2023年6月7日，中國 -- 服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：ST
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用于車載充電器應(yīng)用的1200 V SiC MOSFET模塊使用指南
- 隨著電動汽車的車載充電器 (OBC) 迅速向更高功率和更高開關(guān)頻率發(fā)展，對 SiC MOSFET 的需求也在增長。許多高壓分立 SiC MOSFET 已經(jīng)上市，工程師也在利用它們的性能優(yōu)勢設(shè)計 OBC 系統(tǒng)。要注意的是，PFC 拓撲結(jié)構(gòu)的變化非常顯著。設(shè)計人員正在采用基于 SiC MOSFET 的無橋 PFC 拓撲，因為它有著卓越的開關(guān)性能和較小的反向恢復(fù)特性。眾所周知，使用 SiC MOSFET 模塊可提供電氣和熱性能以及功率密度方面的優(yōu)勢。安森美 (onsemi) 在使用 Si MOSFET 技術(shù)的汽
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