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        EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 工藝

        臺(tái)積電可能對(duì)1.6nm工藝晶圓漲價(jià)5成

        • 隨著臺(tái)積電準(zhǔn)備在今年晚些時(shí)候開(kāi)始采用其 N2(2nm 級(jí))工藝技術(shù)制造芯片,關(guān)于 N2 晶圓定價(jià)以及后續(xù)節(jié)點(diǎn)定價(jià)的傳言已經(jīng)出現(xiàn)。我們已經(jīng)知道,據(jù)報(bào)道,臺(tái)積電計(jì)劃對(duì)使用其 N30,000 技術(shù)加工的晶圓收取高達(dá) 2 美元的費(fèi)用,但現(xiàn)在《中國(guó)時(shí)報(bào)》報(bào)道稱(chēng),該公司將對(duì)“更先進(jìn)的節(jié)點(diǎn)”收取每片晶圓高達(dá) 45,000 美元的費(fèi)用,據(jù)稱(chēng)這指向該公司的 A16(1.6nm 級(jí))節(jié)點(diǎn)。2nm 生產(chǎn)成本高“臺(tái)積電的 2nm 芯片晶圓代工價(jià)格已飆升至每片晶圓 30,000 美元,據(jù)傳 [更多] 先進(jìn)節(jié)點(diǎn)將達(dá)到 45,000
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        芯片的先進(jìn)封裝會(huì)發(fā)展到4D?

        • 電子集成技術(shù)分為三個(gè)層次,芯片上的集成,封裝內(nèi)的集成,PCB板級(jí)集成,其代表技術(shù)分別為SoC,SiP和PCB(也可以稱(chēng)為SoP或者SoB)芯片上的集成主要以2D為主,晶體管以平鋪的形式集成于晶圓平面;同樣,PCB上的集成也是以2D為主,電子元器件平鋪安裝在PCB表面,因此,二者都屬于2D集成。而針對(duì)于封裝內(nèi)的集成,情況就要復(fù)雜得多。電子集成技術(shù)分類(lèi)的兩個(gè)重要依據(jù):1.物理結(jié)構(gòu),2.電氣連接(電氣互連)。目前先進(jìn)封裝中按照主流可分為2D封裝、2.5D封裝、3D封裝三種類(lèi)型。2D封裝012D封裝是指在基板的表
        • 關(guān)鍵字: 電子集成  工藝  制程  

        工藝沒(méi)搞定!蘋(píng)果取消iPhone 17 Pro系列屏幕抗刮抗反射涂層

        • 4月29日消息,據(jù)MacRumors報(bào)道,蘋(píng)果原計(jì)劃為iPhone 17 Pro的屏幕配備抗刮抗反射涂層,目前已經(jīng)取消。消息稱(chēng),蘋(píng)果在擴(kuò)大顯示屏涂層工藝方面遇到了問(wèn)題。此前考慮到Apple生產(chǎn)的數(shù)百萬(wàn)臺(tái)設(shè)備,為iPhone顯示屏添加防反射涂層的過(guò)程太慢了,因此即使它只計(jì)劃用于Pro機(jī)型,今年似乎仍然不可行。三星早在Galaxy S24 Ultra上就開(kāi)始使用Gorilla Glass Armor面板,也是同類(lèi)型技術(shù),可以將反射減少75%,在強(qiáng)光、燈光下保持屏幕清晰可見(jiàn)。目前市面上流行的一種AR貼膜就使用了
        • 關(guān)鍵字: 工藝  蘋(píng)果  iPhone 17 Pro  屏幕抗  刮抗  反射涂層  

        英特爾18A工藝雄心遇挫?旗艦2納米芯片據(jù)稱(chēng)將外包給臺(tái)積電生產(chǎn)

        • 財(cái)聯(lián)社4月23日訊(編輯 馬蘭)據(jù)媒體報(bào)道,英特爾正委托臺(tái)積電使用其2納米制程生產(chǎn)Nova Lake CPU??紤]到英特爾自己擁有18A工藝,且一直宣傳該工藝勝過(guò)臺(tái)積電的2納米技術(shù),這份代工合同可能透露出一些引人深思的訊號(hào)。英特爾聲稱(chēng)將為客戶(hù)提供最好的產(chǎn)品,而這可能是其將Nova Lake生產(chǎn)外包給臺(tái)積電的一個(gè)原因。但業(yè)內(nèi)也懷疑,既然18A工藝已經(jīng)投入了試生產(chǎn),英特爾將生產(chǎn)外包可能是由于產(chǎn)能需求的驅(qū)動(dòng),而不是性能或回報(bào)等方面的問(wèn)題。還有傳言稱(chēng),英特爾可能采取雙源戰(zhàn)略:既使用臺(tái)積電的2納米技術(shù)生產(chǎn)旗艦產(chǎn)品,
        • 關(guān)鍵字: 英特爾  18A  工藝  2納米芯片  臺(tái)積電  

        展望2nm工藝的可持續(xù)性

        • 隨著半導(dǎo)體制造復(fù)雜性的不斷增加,相關(guān)的排放量正在以驚人的速度增長(zhǎng)。TechInsights Manufacturing Carbon Module?數(shù)據(jù)顯示,位于俄勒岡州的下一代 2nm 晶圓廠(chǎng)將生產(chǎn) ~30 萬(wàn) MtCO2e 每年消耗超過(guò) 400 GWh 的電力。鑒于對(duì)電力和范圍 2 排放的依賴(lài),晶圓廠(chǎng)選址也起著重要作用,位于臺(tái)灣的同等晶圓廠(chǎng)每年產(chǎn)生的排放量幾乎是其三倍。有勝利。具有高晶體管密度的精細(xì)工藝可以大大減少每個(gè)晶體管的輻射。半導(dǎo)體制造的碳中和是可能的,但正如我們將要展示的那樣,這需要
        • 關(guān)鍵字: 2nm  工藝  202504  

        英特爾突破關(guān)鍵制程技術(shù):Intel 18A兩大核心技術(shù)解析

        • 半導(dǎo)體芯片制程技術(shù)的創(chuàng)新突破,是包括英特爾在內(nèi)的所有芯片制造商們?cè)谖磥?lái)能否立足AI和高性能計(jì)算時(shí)代的根本。年內(nèi)即將亮相的Intel 18A,不僅是為此而生的關(guān)鍵制程技術(shù)突破,同時(shí)還肩負(fù)著讓英特爾重回技術(shù)創(chuàng)新最前沿的使命。那么Intel 18A為何如此重要?它能否成為助力英特爾重返全球半導(dǎo)體制程技術(shù)創(chuàng)新巔峰的“天命人”?RibbonFET全環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)與PowerVia背面供電技術(shù)兩大關(guān)鍵技術(shù)突破,會(huì)給出世界一個(gè)答案。攻克兩大技術(shù)突破 實(shí)力出色RibbonFET全環(huán)繞柵極晶體管技術(shù),是破除半
        • 關(guān)鍵字: 英特爾  EDA  工藝  

        英特爾澄清:Intel 18A制程產(chǎn)品將于今年下半年如期發(fā)布

        • 據(jù)外媒報(bào)道,近日,英特爾投資者關(guān)系副總裁John Pitzer在公開(kāi)澄清了關(guān)于基于Intel 18A制程的首款產(chǎn)品——Panther Lake推遲發(fā)布的傳聞。他表示,Panther Lake仍按計(jì)劃于今年下半年發(fā)布,發(fā)布時(shí)間并未改變,且英特爾對(duì)于目前的進(jìn)展非常有信心。報(bào)道中稱(chēng),John Pitzer表示當(dāng)前Panther Lake的良率水平甚至比同期Meteor Lake開(kāi)發(fā)階段的表現(xiàn)還要略勝一籌。幾周前有技術(shù)論文指出, Intel 18A制程的SRAM密度表現(xiàn)已與臺(tái)積電N2工藝相當(dāng)。“雖然技術(shù)比較存在多
        • 關(guān)鍵字: 英特爾  芯片支撐  工藝  

        三星 SF4X 工藝獲 IP 生態(tài)支持:Blue Cheetah 流片 D2D 互聯(lián) PHY

        • 1 月 22 日消息,半導(dǎo)體互聯(lián) IP 企業(yè) Blue Cheetah 美國(guó)加州當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日表示,其新一代 BlueLynx D2D 裸晶對(duì)裸晶互聯(lián) PHY 物理層芯片在三星 Foundry 的 SF4X 先進(jìn)制程上成功流片(Tape-Out)。Blue Cheetah 在三星 SF4X 上制得的 D2D PHY 支持高級(jí) 2.5D 和標(biāo)準(zhǔn) 2D 芯粒封裝,總吞吐量突破 100 Tbps 大關(guān),同時(shí)在面積和功耗表現(xiàn)上處于業(yè)界領(lǐng)先水平,將于 2025 年第二季度初在封裝應(yīng)用中接受硅特性分析。Blue Che
        • 關(guān)鍵字: 三星  SF4X 工藝  Blue Cheetah  流片  D2D  互聯(lián)  PHY  

        高通驍龍 8 至尊版 2 芯片曝料:?jiǎn)魏似?4000 分,多核提升超 20%

        • 11 月 12 日消息,消息源 Jukanlosreve 昨日(11 月 11 日)在 X 平臺(tái)發(fā)布推文,曝料稱(chēng)高通第二代驍龍 8 至尊版芯片在 GeekBench 6 單核成績(jī)突破 4000 分,多核性能比初代驍龍 8 至尊版提升 20%。援引消息源信息,高通第二代驍龍 8 至尊版芯片(高通驍龍 8Gen 5)將混合使用三星的 SF2 代工和臺(tái)積電的 N3P 工藝。消息源還透露高通第二代驍龍 8 至尊版芯片和聯(lián)發(fā)科天璣 9500 芯片均支持可擴(kuò)展矩陣擴(kuò)展(Scalable Matrix Extensio
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        半導(dǎo)體行業(yè)最高性能!Eliyan 推出芯?;ミB PHY:3nm 工藝、64Gbps / bump

        • IT之家 10 月 12 日消息,Eliyan 公司于 10 月 9 日發(fā)布博文,宣布在美國(guó)加州成功交付首批 NuLink?-2.0 芯粒互連 PHY,該芯片采用 3nm 工藝制造。這項(xiàng)技術(shù)不僅實(shí)現(xiàn)了 64Gbps / bump 的行業(yè)最高性能,還在多芯粒架構(gòu)中提供了卓越的帶寬和低功耗解決方案,標(biāo)志著半導(dǎo)體互連領(lǐng)域的一次重大突破。IT之家注:芯?;ミB PHY 是一種用于連接多個(gè)芯片小塊(chiplet)的物理層接口,旨在實(shí)現(xiàn)高帶寬、低延遲和低功耗的數(shù)據(jù)傳輸。Eliyan 的芯片互連 P
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        不再執(zhí)著制造工藝 華為:以系統(tǒng)設(shè)計(jì)工程建設(shè)消除芯片代差

        • 多年來(lái)持續(xù)試跨越芯片制造工藝代差的華為公司29日表示,通過(guò)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)和工程建設(shè)能解決算力與分析能力的問(wèn)題,從而消除在芯片上的代差。未來(lái)芯片創(chuàng)新不應(yīng)只在單點(diǎn)的芯片工藝上,而是應(yīng)該在系統(tǒng)架構(gòu)上,要用空間、帶寬、能源來(lái)?yè)Q取芯片工藝上的缺陷。據(jù)《快科技》報(bào)導(dǎo),在今天的數(shù)據(jù)大會(huì)上,華為常務(wù)董事張平安就芯片技術(shù)發(fā)展發(fā)言指出,「通過(guò)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)和工程建設(shè)可以解決我們整體數(shù)字中心的能力、算力和分析能力問(wèn)題,可以消除我們?cè)谛酒系拇睢!箯埰桨舱f(shuō),「在華為看來(lái),AI數(shù)據(jù)中心耗能非常大,人工智能耗能更多,需要數(shù)能結(jié)合。」在這之
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        臺(tái)積電高管張曉強(qiáng):不在乎摩爾定律是死是活

        • 近日,臺(tái)積電業(yè)務(wù)發(fā)展高級(jí)副總裁張曉強(qiáng)博士在接受采訪(fǎng)時(shí)被問(wèn)到,如何看待“摩爾定律已死”的說(shuō)法,而他的回答非常直接:“很簡(jiǎn)單,不在乎。只要我們能繼續(xù)推動(dòng)工藝進(jìn)步,我就不在乎摩爾定律是活著,還是死了。”在張曉強(qiáng)看來(lái),臺(tái)積電的優(yōu)勢(shì)在于,每年都能投產(chǎn)一種新的制程工藝,為客戶(hù)改進(jìn)性能、功耗和面積 (PPA)指標(biāo)進(jìn)。比如說(shuō)最近十年來(lái),蘋(píng)果一直是臺(tái)積電的頭號(hào)客戶(hù),而蘋(píng)果A/M系列處理器的演進(jìn),正好反映了臺(tái)積電工藝的變化。此外,AMD Instinct MI300X / MI300A、NVIDIA H100/B200/GB
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        Intel 3 “3nm 級(jí)”工藝技術(shù)正在大批量生產(chǎn)

        • 英特爾周三表示,其名為Intel 3的3nm級(jí)工藝技術(shù)已在兩個(gè)工廠(chǎng)進(jìn)入大批量生產(chǎn),并提供了有關(guān)新生產(chǎn)節(jié)點(diǎn)的一些額外細(xì)節(jié)。新工藝帶來(lái)了更高的性能和更高的晶體管密度,并支持1.2V的電壓,適用于超高性能應(yīng)用。該節(jié)點(diǎn)針對(duì)的是英特爾自己的產(chǎn)品以及代工客戶(hù)。它還將在未來(lái)幾年內(nèi)發(fā)展。英特爾代工技術(shù)開(kāi)發(fā)副總裁Walid Hafez表示:“我們的英特爾3正在俄勒岡州和愛(ài)爾蘭的工廠(chǎng)進(jìn)行大批量生產(chǎn),包括最近推出的Xeon 6'Sierra Forest'和'Granite Rapids'處理器
        • 關(guān)鍵字: Intel 3  3nm   工藝  

        谷歌已經(jīng)與臺(tái)積電達(dá)成合作:首款芯片為T(mén)ensor G5,選擇3nm工藝制造

        • 此前有報(bào)道稱(chēng),明年谷歌可能會(huì)改變策略,在用于Pixel 10系列的Tensor G5上更換代工廠(chǎng),改用臺(tái)積電代工,至少在制造工藝上能與高通和聯(lián)發(fā)科的SoC處于同一水平線(xiàn)。為了更好地進(jìn)行過(guò)渡,谷歌將擴(kuò)大在中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)的研發(fā)中心。隨后泄露的數(shù)據(jù)庫(kù)信息表明,谷歌已經(jīng)開(kāi)始與臺(tái)積電展開(kāi)合作,將Tensor G5的樣品發(fā)送出去做驗(yàn)證。據(jù)Wccftech報(bào)道,谷歌與臺(tái)積電已達(dá)成了一項(xiàng)協(xié)議,后者將為Pixel系列產(chǎn)品線(xiàn)生產(chǎn)完全定制的Tensor G系列芯片。谷歌希望新款SoC不再受到良品率的困擾,而Tenso
        • 關(guān)鍵字: 谷歌  臺(tái)積電  Tensor G5  3nm  工藝  

        全新芯片技術(shù)亮相:不增加功耗 / 熱量提高 CPU 性能最高 100 倍

        • IT之家 6 月 19 日消息,名為 Flow Computing 的芬蘭公司宣布新的研究成果,成功研發(fā)出全新的芯片,可以讓 CPU 性能翻倍,而且可以通過(guò)軟件優(yōu)化性能提高最多 100 倍。Flow Computing 演示了全新的并行處理單元(PPU),該公司聯(lián)合創(chuàng)始人兼首席執(zhí)行官 Timo Valtonen 認(rèn)為這項(xiàng)技術(shù)有著廣泛的應(yīng)用前景:“CPU 是計(jì)算中最薄弱的環(huán)節(jié)。它無(wú)法勝任自己的任務(wù),這一點(diǎn)需要改變?!痹撔酒夹g(shù)涉及一個(gè)配套芯片,不產(chǎn)生額外功耗或者更多熱量的情況下,能實(shí)時(shí)優(yōu)化處理任務(wù)
        • 關(guān)鍵字: CPU  工藝  荷蘭  
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