連接在ECV引腳上的電動防眩目元器件的電壓被控制在目標電壓值內(nèi)(0..1.2V)，電壓值用六個內(nèi)部數(shù)據(jù)位設(shè)定?？刂骗h(huán)路由一個片上差分放大器和一個外部MOS源隨器組成，源隨器的柵級連接ECDR引腳，驅(qū)動ECV引腳上的EC鏡電壓。OUT10引腳為外部MOS晶體管的漏極供電。芯片上放置一個從ECV引腳(陽極)到ECDR引腳(陰極)的二極管，以保護外部MOS源隨器。為提高閉環(huán)穩(wěn)定性，在ECDR引腳上增加了一個至少5 nF的外部電容器。

　　目標電壓采用二進制編碼，電壓全程范圍1.5V。如果內(nèi)部控制寄存器的某一個位被置“1”，則最大控制器輸出電壓被限制到1.2V，無需修改相關(guān)控制位的分辨率。當把目標電壓設(shè)置到0V且ECVLS驅(qū)動器被設(shè)置成通態(tài)時，一個1.6Ω的下橋臂開關(guān)將ECV引腳上的電壓拉到地線電壓(快速放電)。該芯片還有對EC單元的‘過高’和‘過低’電壓控制：這兩個功能有助于檢測EC單元的異常電壓特性。電壓控制環(huán)路和診斷功能的狀態(tài)信息通過SPI接口傳送給微控制器。

　　與最初的EC控制拓撲相比，新拓撲只有一個元器件(車門區(qū)元器件的外面)消耗控制鏡面所需的功率。因為始終工作在線性區(qū)，導(dǎo)通電阻不是一個重要的參數(shù)，所以這個元器件的成本不高。那個小MOSFET必須選擇封裝能夠處理目標功耗的產(chǎn)品。ST推薦使用STD18NF03L：一款BVdss 為30V的50mΩ MOSFET。該產(chǎn)品采用人們耳聞能詳?shù)纳钍芷嚟h(huán)境歡迎的DPAK封裝。