新的失效保護(hù)方法
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時(shí)間：2009-06-18
來(lái)源：電子產(chǎn)品世界
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解決方案
本文引用地址：http://www.antipu.com.cn/article/95416.htm該解決方案是實(shí)現(xiàn)一個(gè)能夠仿真熔斷器的I2-t特性的智能電路保護(hù)算法。這個(gè)概念可轉(zhuǎn)化為“曲線(xiàn)下面積”。在下圖(圖 7)中，曲線(xiàn)下面積(A區(qū))是保護(hù)算法的I2-t界限內(nèi)。B區(qū)所示是在一段時(shí)間內(nèi)的恒定超負(fù)載條件，其中，超負(fù)載電流小于智能開(kāi)關(guān)的限流值。在這個(gè)圖中，當(dāng)限流值超過(guò)曲線(xiàn)時(shí)，智能開(kāi)關(guān)不會(huì)被閉鎖。當(dāng)B區(qū)突破A區(qū)時(shí)，器件閉鎖。 這個(gè)原則適用于超負(fù)載在開(kāi)關(guān)激活后存在很長(zhǎng)時(shí)間的狀況。
圖7：超負(fù)載與功率限制區(qū)比較
評(píng)論