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        三星改進DRAM芯片明年應用于生產

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        作者: 時間:2005-10-27 來源: 收藏
          全球最大的內存芯片生產商電子宣布,已經(jīng)成功采用70納米生產工藝制造出第一塊DRAM芯片。一旦這種生產工藝廣泛應用于該公司的生產線,從同一硅片上生產的芯片數(shù)量將會翻倍。 

          芯片上的晶體管越多,它們之間的距離就越近,芯片性能也將得到提升。對于、美光和英飛凌等廠商,開發(fā)新技術對于削減成本以及增加銷量是至關重要的。 

          DRAM芯片在線票據(jù)交換所宣稱,應用最廣泛的DRAM芯片的價格今年下跌了1/3,目前每塊的價格僅為2.53美元。由于生產商大量的需求,現(xiàn)貨市場上的DRAM如同原油和小麥一樣火爆。 

          同時預計,與目前DRAM產品生產線采用的90納米生產工藝相比,采用新的生產技術之后,從相同一塊硅片上生產的芯片數(shù)量起碼要增加1倍。用于生產芯片的硅片大小與盤子相當,每塊硅片可以生產出數(shù)千塊芯片。 

          三星發(fā)言人表示,“我們定于明年下半年將70納米生產工藝廣泛應用到DRAM芯片生產中?!蹦壳埃摴疽呀?jīng)將這種工藝用于NAND閃存芯片的生產,但DRAM芯片仍主要采用80和90納米生產工藝。該公司同時發(fā)表聲明稱,為了突破70納米生產技術的局限性并改進數(shù)據(jù)刷新功能,公司仍有必要進行技術革新。 

          三星是在去年中期開始采用90納米生產工藝進行DRAM芯片生產的,并從今年下半年開始采用80納米生產工藝。三星表示,從明年中期開始,將采用70納米生產工藝,生產容量為512Mb、1Gb以及2Gb的DRAM芯片。


        關鍵詞: 三星 存儲器

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