第三章 布局規(guī)劃

該設計采用flatten的方式進行布局規(guī)劃，使用2P/6M EE工藝，包含Hard Macros 94個，共占面積50.3mm2。其中有13種81個由memory compiler生成的memory、7個定制模擬/數(shù)?；旌夏K、2個PLL以及其它IP模塊。為兩個同為1.8v相互隔離的電壓域創(chuàng)建兩個floorplan，并使用polygon相關的命令為primary flloorplan創(chuàng)建多邊形形狀。另外，以data create cluster region命令將PMC模塊中除PLL部分外的其他邏輯以region的形式固定到布局的中央位置。

在IO布局上，除了由memory compiler生成的memory IP不需單獨供電，其余宏模塊均需單獨供電，其中為RTC供電定制的電源切換模塊所需的電源PAD的隔離還更加復雜。

由于需要單獨供電的模擬/數(shù)模混合模塊較多，電源域較多，在布局規(guī)劃階段就確定了各模擬/數(shù)?；旌夏K在芯片中的大致位置及其供電pad在pad環(huán)上的順序。

7個定制的模擬/數(shù)?；旌夏K及2個PLL均位于pad環(huán)和電源環(huán)之間；位于內(nèi)部的存儲器模塊和CPU core由于數(shù)量眾多，其位置的擺放首先考慮的是固定幾個尺寸較大的IP模塊的位置，并使用force plan clearance添加blockage；然后使用Magma Talus Vortex中的run place cluster命令來自動擺放余下較小存儲器，確定初步的布局規(guī)劃，而后微調(diào)各存儲器的相對位置，做到規(guī)則規(guī)整，控制各個存儲器模塊之間的布線通道的布局利用率，在較窄的地方不允許任何標準單元擺放，在一些較寬的布線通道我們設置了50%-100%不等的blockage利用率。最后的布局規(guī)劃如圖5所示：

圖5 布局規(guī)劃