為滿足客戶對(duì)AI應(yīng)用的強(qiáng)勁需求，臺(tái)積電不斷強(qiáng)調(diào)，正擴(kuò)大其先進(jìn)制程與先進(jìn)封裝產(chǎn)能，以滿足客戶需求，近日也宣布2025年將新增9座廠，包括位于臺(tái)灣的6座晶圓廠與1座先進(jìn)封裝廠，以及2座位于美日的晶圓廠。

然而，值得注意的是，臺(tái)積電2025年海外新增廠房，并未計(jì)入先前揭露的美國(guó)2座先進(jìn)封裝廠。

按美國(guó)總統(tǒng)特朗普所高舉的「美國(guó)制造」大旗，臺(tái)積電似乎至年底仍無法達(dá)標(biāo)，其美國(guó)已量產(chǎn)的首座4納米廠，承接蘋果（Apple）與NVIDIA等大客戶訂單，接下來在何地進(jìn)行后段測(cè)試與封裝，運(yùn)回臺(tái)灣的成本高昂，費(fèi)工又耗時(shí)，或?qū)⒊蔀榫绹?guó)制造的最大矛盾。

臺(tái)積電日前宣布，增加1,000億美元投資于美國(guó)先進(jìn)半導(dǎo)體制造。 此前，臺(tái)積電正在進(jìn)行650億美元于亞利桑那州廠的投資項(xiàng)目，以此為基礎(chǔ)，在美國(guó)的總投資金額預(yù)計(jì)將達(dá)到1,650億美元，這項(xiàng)投資將包含共6座晶圓廠、2座先進(jìn)封裝設(shè)施，以及一間研發(fā)團(tuán)隊(duì)中心。

15日更進(jìn)一步說明2025年將新增9座廠，包括位于臺(tái)灣的6座晶圓廠與1座先進(jìn)封裝設(shè)施，以及2座位于美國(guó)與日本的晶圓廠。

3月時(shí)，特朗普和臺(tái)積電董事長(zhǎng)魏哲家在白宮舉行記者會(huì)，宣布臺(tái)積電擴(kuò)大在美投資設(shè)廠，助力美國(guó)打造最先進(jìn)的半導(dǎo)體制造設(shè)施，達(dá)成重建美國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)的目標(biāo)，加速美國(guó)制造回流，特朗普同時(shí)也說，臺(tái)積電主要是也是因?yàn)槊绹?guó)的關(guān)稅政策才會(huì)擴(kuò)大投資，否則「他們就必須支付非?？捎^的關(guān)稅?！?/p>

令外界感到困惑的是，承受巨大壓力的臺(tái)積電，助力實(shí)現(xiàn)美國(guó)制造大計(jì)，但最新宣布的海外2座新增晶圓廠，并未有規(guī)劃的2座先進(jìn)封裝廠，也就是已開始承接蘋果、NVIDIA等大客戶訂單的美國(guó)首座4納米廠，后段測(cè)試與封裝要在何處進(jìn)行？

事實(shí)上，包括專業(yè)封測(cè)代工（OSAT）日月光集團(tuán)、艾克爾（Amkor），或是英特爾（Intel）等，應(yīng)該心有余而力不足，若臺(tái)積電把晶圓運(yùn)回臺(tái)灣，完成后段先進(jìn)封裝作業(yè)，這樣的流程，明顯至年底，甚至2026年，都難以完全實(shí)現(xiàn)真正的「美國(guó)制造」目標(biāo)。

其中，臺(tái)積電大客戶NVIDIA先前表態(tài)，全力實(shí)現(xiàn)制造回流、讓美國(guó)再次偉大目標(biāo)，正與供應(yīng)鏈合作設(shè)計(jì)及建置工廠，預(yù)期未來4年內(nèi)，透過與臺(tái)積電、鴻海、緯創(chuàng)、Amkor及矽品的合作，在美國(guó)生產(chǎn)高達(dá)5,000億美元規(guī)模的AI基礎(chǔ)設(shè)施。

另外，目前采用4納米制程的Blackwell芯片已于臺(tái)積電位于亞利桑那州的晶圓廠進(jìn)行生產(chǎn)。

業(yè)者分析，Blackwell芯片使用的是CoWoS-L先進(jìn)封裝，產(chǎn)能建置都在臺(tái)灣，盡管被迫釋出給英特爾代工，再怎么樣排除萬難，也需要至少1年時(shí)間。

供應(yīng)鏈業(yè)者坦言，特朗普的美國(guó)制造大計(jì)上路，時(shí)間實(shí)在太過倉(cāng)促，現(xiàn)實(shí)面來看，臺(tái)積電與大客戶蘋果、NVIDIA等難以執(zhí)行，言行難以一致。

臺(tái)積電先前已明確全球建廠計(jì)劃，臺(tái)灣目前有11個(gè)生產(chǎn)線正在建設(shè)中，位于新竹的晶圓20廠與高雄的晶圓22廠是N2量產(chǎn)的基地，均于2022年開始興建，并預(yù)計(jì)2025年進(jìn)入量產(chǎn)，臺(tái)中晶圓25廠將于2025年底動(dòng)工，計(jì)劃采用超越N2的先進(jìn)制程。

日本JASM采用22納米技術(shù)的第1座晶圓廠已于2024年開始量產(chǎn)，第2座晶圓廠已建置中，另于德國(guó)德勒斯登建造1座采用16納米與28納米技術(shù)的晶圓廠，已于2024年動(dòng)工。

在先進(jìn)封裝部署方面，臺(tái)積電預(yù)期，2022年至2026年，3D晶圓堆棧的SoIC技術(shù)，產(chǎn)能增長(zhǎng)的年復(fù)合成長(zhǎng)率（CAGR）將超過100%，CoWoS產(chǎn)能增長(zhǎng)的CAGR將超過80%。

臺(tái)積電近年大擴(kuò)先進(jìn)封裝產(chǎn)能，除了既有的龍?zhí)丁⒅衲吓c臺(tái)中外，重心進(jìn)一步擴(kuò)大至南科AP8，亦即群創(chuàng)舊廠，以及計(jì)劃建置P1~P6共6座廠的嘉義AP7，P1廠以WMCM（晶圓級(jí)多晶片模組）為主，正在建置的P2廠則鎖定SoIC。

其中，以WMCM為主的嘉義P1廠，預(yù)計(jì)最快2026年量產(chǎn)，且傳出由蘋果包下產(chǎn)能，主要先應(yīng)用在采用2納米iPhone 18的A20晶片，取代過往的InFo-PoP技術(shù)。

臺(tái)積電另預(yù)估，2025年與AI相關(guān)產(chǎn)品的晶圓出貨量預(yù)計(jì)將是2021年的12倍，2025年大尺寸芯片的產(chǎn)品出貨量預(yù)計(jì)將是2021年的8倍。 芯片尺寸愈大，管理生產(chǎn)良率的挑戰(zhàn)就愈高。