根據(jù)IHS公司近日發(fā)布的DRAM市場(chǎng)報(bào)告，隨著DRAM價(jià)格降到了極低的水平，如果廠(chǎng)商不轉(zhuǎn)向效率更高的3x/2x納米制程，可能面臨重大虧損，三星電子等領(lǐng)先的內(nèi)存供應(yīng)商已經(jīng)采用了上述制程。

　　三星第三季度采用3x/2x制程進(jìn)行的晶圓生產(chǎn)已占到29%，在所有主要DRAM廠(chǎng)商中處于最高水平。第三季度DRAM價(jià)格從一年多以前的6.50美元以上降到了1.60美元，如果廠(chǎng)商不趕緊轉(zhuǎn)向3x納米工藝，則在銷(xiāo)售2GB DDR3時(shí)可能遭受虧損。2GB DDR3是目前的主流DRAM類(lèi)型。

　　三星的韓國(guó)同業(yè)者海力士半導(dǎo)體聲稱(chēng)，其18%的DRAM生產(chǎn)也采用了同樣的3x/2x納米工藝。日本爾必達(dá)緊隨其后，該比例是16%。這些數(shù)字表明，其它廠(chǎng)商都在奮起直追，盡管海力士和爾必達(dá)在轉(zhuǎn)向新制程方面尚未接近三星那樣的高效率。按營(yíng)業(yè)收入份額排名，海力士和爾必分別是第二及第三大DRAM廠(chǎng)商。

　　全球五大DRAM廠(chǎng)商中，有些廠(chǎng)商在采用新制程的步伐顯然非常落后，比如美國(guó)美光和臺(tái)灣南亞科技，二者采用3x/2x納米工藝的生產(chǎn)僅占1%。

　　三星將保持業(yè)內(nèi)領(lǐng)先地位，到2012年底，它將把將近80%的晶圓生產(chǎn)轉(zhuǎn)向3x納米或者更先進(jìn)的制程。海力士想趕上來(lái)，但將落后一個(gè)季度。爾必達(dá)也努力快速追趕，盡管其25納米產(chǎn)品仍處于早期的驗(yàn)證階段。

　　目前處于落后地位的美光和南亞科技，將在明年底以前不斷追趕。這兩家公司的主要產(chǎn)品目前都依賴(lài)仍然可行的42納米工藝，該工藝的成本可行性可能只保持到今年，然后必須加快向3x納米的遷移速度，以保持競(jìng)爭(zhēng)力。

　　由于目前DRAM價(jià)格處于低位，力晶等業(yè)內(nèi)仍然在采用4x/5x納米工藝的其它廠(chǎng)商，收回現(xiàn)金成本的可能性將不斷下降。目前31納米2GB DDR3封裝裸片的單位現(xiàn)金成本是0.68美元，但48納米工藝就會(huì)上升到1.34美元。預(yù)計(jì)DRAM平均銷(xiāo)售價(jià)格會(huì)進(jìn)一步下滑，第四季度可能降到 1.25美元，所以繼續(xù)采用4x納米工藝將面臨災(zāi)難。

　　出路很明顯：在不斷下滑的價(jià)格前面，廠(chǎng)商必須迅速采取行動(dòng)并轉(zhuǎn)向更先進(jìn)的工藝。不幸的是，此舉也有副作用：隨著業(yè)內(nèi)廠(chǎng)商努力縮小制程，單位晶圓將生產(chǎn)出更多的DRAM，最終會(huì)進(jìn)一步打壓價(jià)格。

　　然而，其它趕超方法很少。美光采取的一種策略，包括讓客戶(hù)基礎(chǔ)多樣化，以化解一些價(jià)格風(fēng)險(xiǎn)。但是，不是所有廠(chǎng)商都能采用這種方法，也不是所有廠(chǎng)商都能涉足多樣化市場(chǎng)。由于落后者的利潤(rùn)繼續(xù)蒸發(fā)，這些廠(chǎng)商最終可能被收購(gòu)甚至被淘汰。