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        英飛凌與飛兆半導體達成功率MOSFET兼容協(xié)議

        作者: 時間:2010-04-27 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

          科技股份公司與公司近日宣布,兩家公司就采用Power Stage 3x3和MLP 3x3 (Power33™)封裝的功率達成封裝合作伙伴協(xié)議。

        本文引用地址:http://www.antipu.com.cn/article/108422.htm

          兼容協(xié)議旨在保證供貨穩(wěn)定性,同時滿足對同級最佳的DC-DC轉(zhuǎn)換效率和熱性能的需求。這項協(xié)議利用了兩家企業(yè)的專業(yè)技術(shù),為3A至20A的DC-DC應用提供非對稱、雙和單MOSFET。

          低壓MOSFET產(chǎn)品總監(jiān)兼產(chǎn)品線經(jīng)理Richard Kuncic表示:“我們的客戶將從功率產(chǎn)品封裝標準化中獲益,因為我們減少了市場上‘獨特’封裝的數(shù)量,同時還能提供比上代產(chǎn)品外形更小但性能提升的解決方案。”

          低壓產(chǎn)品高級副總裁John Bendel指出:“實現(xiàn)了封裝引腳的標準化,并在性能水平方面相輔相成,為滿足客戶在計算、電信和服務器市場的高效設計需求提供了雙重來源。封裝標準化旨在為客戶提供采用多來源行業(yè)標準封裝的性能領先產(chǎn)品。”



        關(guān)鍵詞: 英飛凌 MOSFET 飛兆半導體

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