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        臺積電稱其已解決造成40nm制程良率不佳的工藝問題

        作者: 時間:2010-01-21 來源:digitimes 收藏

          據(jù)公司高級副總裁劉德音最近在一次公司會議上表示,制程工藝的良率已經(jīng)提升至與現(xiàn)有制程相同的水平,他并表示公司已經(jīng)完美解決了先前造成制程良率不佳的工藝腔匹配(Chamber matching)問題.

        本文引用地址:http://www.antipu.com.cn/article/105371.htm

         

          19日舉辦了一場慶祝Phase5新廠房完工的慶典儀式,這間廠房隸屬于新竹科技園區(qū)的臺積電Fab12工廠.據(jù)悉新完工的Phase5廠房將于今年第三季度起開始批量投產(chǎn)28nm制程產(chǎn)品。

          另據(jù)劉德音表示,臺積電正在計劃興建Fab12 Phase6廠房,這座Phase6廠房將用于生產(chǎn)22nm制程產(chǎn)品。



        關(guān)鍵詞: 臺積電 40nm 65nm

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