據(jù)稱，全球第一大半導(dǎo)體代工廠臺(tái)積電已經(jīng)完全取消了下一代32nm工藝，算上一直不順利的40nm工藝真可謂是屋漏偏逢連夜雨了。

　　臺(tái)積電方面尚未就此發(fā)表官方評(píng)論，不過(guò)已經(jīng)有多個(gè)消息來(lái)源確認(rèn)了這一點(diǎn)。

　　不過(guò)這并不意味著臺(tái)積電的新工藝研發(fā)就走進(jìn)了死胡同。

　　事實(shí)上，臺(tái)積電在今年八月底就已經(jīng)在全球首家成功使用28nm工藝試制了64Mb SRAM單元，并在三種不同工藝版本上實(shí)現(xiàn)了相同的良品率。

　　按照規(guī)劃，臺(tái)積電將在明年前三個(gè)季度分別開始試產(chǎn)28nm高性能高K金屬柵極(28HP)、28nm低功耗高K金屬柵極(28HPL)和 28nm低功耗氮氧化硅(28LP)三種新工藝，這樣就根本沒(méi)有32nm工藝的空間了，但是根據(jù)臺(tái)積電此前的說(shuō)法，在32nm工藝階段研發(fā)中取得的很多成果都會(huì)用于28nm，比如硅氧氮化物(SiON)/多晶硅(poly Si)材料。

　　另一方面，業(yè)界客戶對(duì)32nm工藝的需求并不高，但整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)對(duì)全代工藝28nm的熱情卻相當(dāng)高漲，既有臺(tái)積電，也有IBM技術(shù)聯(lián)盟、東芝和NEC等，只有Intel準(zhǔn)備獨(dú)自跨越到22nm，不過(guò)那是為其處理器產(chǎn)品準(zhǔn)備的。

　　如果這樣看，與其說(shuō)是臺(tái)積電取消了32nm，倒不如說(shuō)是跨過(guò)了這一階段。

　　當(dāng)然了，40nm工藝上的深刻教訓(xùn)也讓我們對(duì)臺(tái)積電缺乏足夠的信心，但愿在28nm工藝上能夠一切順利。