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        博客專欄

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        國家獎項(xiàng)公布:華潤微/士蘭微等集成電路A股企業(yè)上榜

        發(fā)布人:芯股嬸 時間:2024-07-02 來源:工程師 發(fā)布文章

        近日,全國科技大會、國家科學(xué)技術(shù)獎勵大會、兩院院士大會召開,會上揭曉了2023年度國家科學(xué)技術(shù)獎,共評選出250個項(xiàng)目,包括49項(xiàng)國家自然科學(xué)獎,62項(xiàng)國家技術(shù)發(fā)明獎,139項(xiàng)國家科技進(jìn)步獎。

        據(jù)悉,在2023國家科學(xué)技術(shù)獎全名單中,有不少集成電路領(lǐng)域的企業(yè)上榜,包括華海清科、三安集成、華潤微、士蘭微等多家上市公司亦出現(xiàn)在此次獲獎名單中。

        國家技術(shù)發(fā)明獎方面,一等獎由《集成電路化學(xué)機(jī)械拋光關(guān)鍵技術(shù)與裝備》等項(xiàng)目摘得,二等獎項(xiàng)目包括《CMOS毫米波大規(guī)模集成平板相控陣技術(shù)及產(chǎn)業(yè)化》、《集成光場3D顯示關(guān)鍵技術(shù)及應(yīng)用》、《新型顯示器件高分辨率噴印制造技術(shù)與裝備》、《高壓大容量直流開斷半導(dǎo)體器件、關(guān)鍵技術(shù)與系列化直流斷路器》等。

        其中,《集成電路化學(xué)機(jī)械拋光關(guān)鍵技術(shù)與裝備》項(xiàng)目由華海清科股份有限公司和清華大學(xué)等共同完成。

        化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)是先進(jìn)集成電路制造前道工序、先進(jìn)封裝等環(huán)節(jié)必需的關(guān)鍵制程工藝,華海清科以清華大學(xué)科技成果轉(zhuǎn)化的CMP技術(shù)成果為基礎(chǔ),進(jìn)行CMP裝備產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用的核心技術(shù)研發(fā),推出國內(nèi)首臺擁有自主知識產(chǎn)權(quán)12英寸CMP裝備,實(shí)現(xiàn)了國內(nèi)市場CMP裝備領(lǐng)域的國產(chǎn)替代。

        華海清科表示,公司將持續(xù)加大自主研發(fā)力度,推出多款CMP商業(yè)化機(jī)型,并依托穩(wěn)定的性能和良好的售后服務(wù)優(yōu)勢,批量進(jìn)入行業(yè)知名芯片制造企業(yè),國內(nèi)市場占有率達(dá)到較高水平。


        圖片來源:拍信網(wǎng)

        國家科技進(jìn)步獎方面,《射頻系統(tǒng)設(shè)計自動化關(guān)鍵技術(shù)與應(yīng)用》、《高能效超寬帶氮化鎵功率放大器關(guān)鍵技術(shù)及在5G通信產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用》等項(xiàng)目榮獲一等獎?!栋雽?dǎo)體材料高質(zhì)高效磨粒加工關(guān)鍵技術(shù)與應(yīng)用》、《面向高性能芯片的高密度互連封裝制造關(guān)鍵技術(shù)及裝備》、《功率MOS與高壓集成芯片關(guān)鍵技術(shù)及應(yīng)用》、《工業(yè)級高功率光纖激光器關(guān)鍵技術(shù)及產(chǎn)業(yè)化》等項(xiàng)目則獲得二等獎。

        其中,《高能效超寬帶氮化鎵功率放大器關(guān)鍵技術(shù)及在5G通信產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用》項(xiàng)目由西安電子科技大學(xué),華為技術(shù)有限公司,中興通訊股份有限公司,中國電子科技集團(tuán)公司第十三研究所,廈門市三安集成電路有限公司等作為主要完成單位合作完成。

        該項(xiàng)目通過各方協(xié)作攻克了5G移動通信****用寬帶、高效、高線性功率放大器核心工藝技術(shù),形成了自主知識產(chǎn)權(quán)氮化鎵功放芯片制造工藝技術(shù)解決方案,并通過了5G組件和系統(tǒng)的應(yīng)用驗(yàn)證,實(shí)現(xiàn)了在客戶端的穩(wěn)定批量出貨。

        該項(xiàng)目成果即有效地滿足了我國5G****對高性能氮化鎵功放的迫切需求,為我國在新一代移動通信技術(shù)領(lǐng)域的國際領(lǐng)先地位奠定了重要基礎(chǔ)。

        《功率MOS與高壓集成芯片關(guān)鍵技術(shù)與應(yīng)用》項(xiàng)目由電子科技大學(xué),上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司,華潤微電子控股有限公司,杭州士蘭微電子股份有限公司等作為主要單位合作完成。

        該項(xiàng)目在國家重大重點(diǎn)項(xiàng)目支持下,建立了功率MOS器件電荷平衡新理論,突破了功率高壓MOS集成耐壓瓶頸,創(chuàng)建了三類具有國際先進(jìn)水平的功率半導(dǎo)體制造量產(chǎn)工藝平臺,為全球200余家企業(yè)提供了芯片制造服務(wù),有效提升我國功率高端芯片國際競爭力。

        《半導(dǎo)體材料高質(zhì)高效磨粒加工關(guān)鍵技術(shù)與應(yīng)用》項(xiàng)目由鄭州磨料磨具磨削研究所有限公司,華僑大學(xué),青島高測科技股份有限公司,華天科技(西安)有限公司,鄭州大學(xué),北京中電科電子裝備有限公司,河南省力量鉆石股份有限公司等作為主要單位合作完成。

        據(jù)“天水發(fā)布”介紹,該項(xiàng)目突破了半導(dǎo)體材料高質(zhì)高效磨粒加工系列關(guān)鍵瓶頸,形成了涵蓋“理論—工具—工藝—裝備”的具有自主知識產(chǎn)權(quán)的技術(shù)創(chuàng)新體系,成果在光伏、集成電路和第三代半導(dǎo)體制造領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用,在推動我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)和超硬材料應(yīng)用技術(shù)進(jìn)步方面發(fā)揮了重要的作用。


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