stt-mram 文章 進(jìn)入stt-mram技術(shù)社區(qū)
干掉閃存 - 下代MRAM首次展示：快7倍
.jpg)
- 近日，日本TDK首次展示了新型存儲技術(shù)MRAM的原型，有望取代如今遍地都是的Flash閃存。MRAM全稱磁阻隨機(jī)訪問內(nèi)存，已經(jīng)存在一段時間了，但是TDK將其帶到了一個新的高度。它以磁荷為數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)，而它的名字來自自旋傳輸矩，也即是寫入數(shù)據(jù)的時候利用電子角動量來改變磁場。 MRAM技術(shù)的讀寫速度可以媲美SRAM、DRAM，當(dāng)同時又是非易失性的，也就是可以斷電保存數(shù)據(jù)，等于綜合了RAM、Flash的優(yōu)點(diǎn)。 TDK多年來一直在研究STT-MRAM，但此前從未公開展示。這次拿出的原型芯片
- 關(guān)鍵字： 閃存 MRAM
分析師預(yù)測2019年MRAM市場可達(dá)21億美元
- 市場研究機(jī)構(gòu)CoughlinAssociates的最新報告預(yù)測，磁阻式隨機(jī)存取記憶體(MRAM)──包含磁場感應(yīng)(field-induced)以及自旋力矩轉(zhuǎn)移(spin-torquetransition，STT)等形式──將在未來因?yàn)槿〈鶧RAM與SRAM而繁榮發(fā)展。 CoughlinAssociates的報告指出，因?yàn)榫邆涫‰娕c非揮發(fā)特性，MRAM/STTMRAM市場營收規(guī)?？赏?013年的1.9億美元左右，到2019年成長至21億美元;期間的復(fù)合年平均成長率(CAGR)估計為50%。
- 關(guān)鍵字： MRAM CMOS
NVE對Everspin提自旋電子MRAM專利侵權(quán)訴訟
- 專門授權(quán)自旋電子(spintronics)磁阻隨機(jī)存取內(nèi)存(MRAM)技術(shù)的自旋電子組件開發(fā)商N(yùn)VR公司表示，該公司已于美國聯(lián)邦法院對 MRAM 供貨商Everspin Technologies提出侵權(quán)訴訟，以捍衛(wèi)其自旋電子 MRAM 專利技術(shù)。 NVE公司指出，在美國明尼蘇達(dá)州地方法院提起的這項(xiàng)訴訟案指控Everspin侵犯了NVE公司的三項(xiàng) MRAM 專利。根據(jù)NVE公司表示，該侵權(quán)訴訟將尋求法院的禁制令，以迫使Everspin公司停止繼續(xù)使用該技術(shù)，并針對其侵權(quán)行為造成的NVE財務(wù)損失進(jìn)行
- 關(guān)鍵字： NVE 內(nèi)存 MRAM
MRAM熱輔助寫入 為實(shí)現(xiàn)20nm以下工藝所必需
- 法國研究機(jī)構(gòu)SPINTEC與開發(fā)MRAM技術(shù)的Crocus Technology共同開發(fā)出了將熱輔助切換(Thermally Assisted Switching：TAS)用于垂直磁化方式MTJ元件的STT-MRAM技術(shù)。并在2011年10月31日于美國亞利桑那(Arizona)州斯科茨戴爾(Scottsdale)開幕的磁技術(shù)國際會議“56th MMM”的首日進(jìn)行了發(fā)布。 TAS技術(shù)是一項(xiàng)邊用加熱器對MTJ元件存儲層進(jìn)行加熱，邊寫入數(shù)據(jù)的技術(shù)。對存儲層進(jìn)行加熱后，矯頑力會
- 關(guān)鍵字： MRAM 20nm
Hynix東芝宣布將聯(lián)合開發(fā)STT-MRAM技術(shù)
- 韓國Hynix與日本東芝公司近日宣布兩家公司將共同開發(fā)STT-MRAM(spin-transfer torque magnetoresistence RAM:自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻RAM)技術(shù),兩家公司均認(rèn)為這項(xiàng)技術(shù)是非常重要的下一代非易失性存儲技術(shù)之一。一旦有關(guān)的技術(shù)研發(fā)完成之后，兩家公司計劃成立一 家專門生產(chǎn)STT-MRAM的芯片制造公司。另外，作為這次合作戰(zhàn)略的其它部分，兩家公司還將擴(kuò)大專利交叉授權(quán)的范圍。
- 關(guān)鍵字： Hynix STT-MRAM
Everspin科技推出業(yè)界首款16Mb MRAM
- 磁性隨機(jī)存儲器(MRAM)和集成磁(Integrated Magnetic)產(chǎn)品的領(lǐng)導(dǎo)廠商Everspin科技公司日前推出16Mb MRAM， 進(jìn)一步強(qiáng)化了該公司在MRAM領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位?，F(xiàn)在，所有需要無電數(shù)據(jù)保持以及SRAM性能的應(yīng)用都可使用具有非揮發(fā)性、高性能、以及高可靠性優(yōu)勢的MRAM技術(shù)。 Everspin科技公司首席運(yùn)營官Saied Tehrani表示：“Everspin將持續(xù)快速擴(kuò)展MRAM產(chǎn)品組合，以協(xié)助更多客戶實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品差異化的目標(biāo)。根據(jù)產(chǎn)品發(fā)展藍(lán)圖，我們將不斷提高M(jìn)R
- 關(guān)鍵字： Everspin MRAM
韓國政府?dāng)y手三星與海力士 研發(fā)MRAM芯片
- 根據(jù)韓聯(lián)社(Yonhap)報導(dǎo)，韓國政府宣布，已與半導(dǎo)體廠三星電子(Samsung Electronics)以及海力士(Hynix)共同合作，進(jìn)行磁性隨機(jī)存儲器(Spin Transfer Torque-Magnetic Random Access Memory;MRAM)的研發(fā)專案，以維持韓國在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)先地位。 韓國知識經(jīng)濟(jì)部半導(dǎo)體與面板部門首長 Park Tae-sung表示，一旦STT-MRAM研發(fā)完成，韓國于2015年將可掌握大約45%的30奈米制程存儲器芯片市場，并預(yù)估該市場于2
- 關(guān)鍵字： Samsung 芯片制造 MRAM
存儲芯片市場前景令人堪憂
- 去年，一場嚴(yán)重的“價格寒流”席卷了整個存儲芯片領(lǐng)域，存儲芯片市場亦受到了前所未有的沖擊。業(yè)界巨頭三星電子2007年第四季度財務(wù)報告顯示，由于計算機(jī)存儲芯片的平均銷售價格迅速下滑，該公司的利潤下降了6.6%。DRAM生產(chǎn)商爾必達(dá)(Elpida)也宣布其銷售額下滑了34%，并且第三財季凈虧損達(dá)1.132億美元。臺灣地區(qū)廠商茂德科技也因存儲芯片價格下跌和供過于求而宣布虧損。 存儲芯片市場陰霾的表現(xiàn)，迫使許多廠商削減生產(chǎn)或推遲了Fab的投產(chǎn)計劃。美光(Micron)近期就宣布，將
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM 存儲芯片 MRAM PRAM
磁阻式隨機(jī)存儲器將挑戰(zhàn)閃存
- 磁阻式隨機(jī)存儲器（MRAM）將優(yōu)于快閃記憶體（Flash閃存）？飛思卡爾半導(dǎo)體正試圖證明這一點(diǎn)。 根據(jù)消息，飛思卡爾半導(dǎo)體（前摩托羅拉公司芯片部門）周一宣布，它已經(jīng)獲得了幾個風(fēng)險投資公司的加入。據(jù)悉他們將聯(lián)合成立一家命名為Everspin科技的獨(dú)立技術(shù)公司，側(cè)重于研發(fā)制造MRAM（磁阻式隨機(jī)存儲器），其目的是為了“擴(kuò)大MRAM及其相關(guān)產(chǎn)品的市場份額”。 MRAM與快閃記憶體不同，它使用了磁性材料與常規(guī)硅電路相結(jié)合記錄方式，在性能上MRAM具有接近SRAM的高
- 關(guān)鍵字： MRAM 快閃記憶體 Flash DRAM Everspin
相變內(nèi)存成為研發(fā)熱點(diǎn) 趕超F(xiàn)eRAM與MRAM
- 相變內(nèi)存(Phase Change Memory，PCM)是近年來內(nèi)存業(yè)界熱門研發(fā)主題之一，針對此一新式內(nèi)存技術(shù)發(fā)展趨勢與廠商專利現(xiàn)況，工研院IEK-ITIS計劃發(fā)表最新研究報告指出，臺灣地區(qū)已有不少廠商投入該技術(shù)的研發(fā)，相較于FeRAM與MRAM，在PCM領(lǐng)域發(fā)展機(jī)會較大。 工研院IEK-ITIS計劃分析師陳俊儒表示，相變化材料在1970年代開始有重量級的公司投入研究資源，但受限于當(dāng)時半導(dǎo)體工藝技術(shù)，相變化材料在2000年以前的商業(yè)應(yīng)用還是以光盤片為主
- 關(guān)鍵字： 消費(fèi)電子 內(nèi)存 研發(fā) MRAM 存儲器 消費(fèi)電子
MRAM：內(nèi)存的新潮流(下)
- Freescale所提供的MRAM替代性方案在Freescale的器件中，自由的和固定的磁體層并不是單純的鐵磁板。相反，它們是合成的反鐵磁體(synthetic antiferromagnet，SAF)三明治結(jié)構(gòu)，由兩個反向?qū)?zhǔn)的鐵磁材料層以及兩層材料之間所夾的一層非磁性材料耦合隔層而組成。圖2示出了一個SAF位單元。SAF三明治結(jié)構(gòu)產(chǎn)生磁致電阻效應(yīng)的能力并不會因?yàn)樗幕旌鲜浇Y(jié)構(gòu)而受到影響。對準(zhǔn)和反對準(zhǔn)只取決于MTJ結(jié)構(gòu)兩側(cè)相對的兩層材料。將兩層板材組成SAF，就可以讓每層板變成“磁矩平衡”—凈外磁場為零
- 關(guān)鍵字： 0702_A MR2A16A MRAM 消費(fèi)電子 雜志_技術(shù)長廊 存儲器 消費(fèi)電子
MRAM：內(nèi)存的新潮流(上)
- 摘要： Freescale運(yùn)用自旋電子技術(shù)制作了新的非易失性RAM，本文對此進(jìn)行了詳細(xì)介紹。關(guān)鍵詞： MRAM；自旋電子；位線；字線 在半導(dǎo)體業(yè)界，微處理器是一種更有魅力，利潤更高，而且更難以設(shè)計的產(chǎn)品，而內(nèi)存芯片在推動半導(dǎo)體技術(shù)向前發(fā)展的過程中則會起到關(guān)鍵性的作用。Intel早期的成功，來源于其1970年推出的、當(dāng)時業(yè)界第一款DRAM芯片，1kb的1103。兩年后，1103成為業(yè)界銷售情況最好的內(nèi)存芯片，在很多新的系統(tǒng)設(shè)計中取代了磁芯存儲器。DRAM在過去的歲月中成為半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展
- 關(guān)鍵字： 0701_A MRAM 消費(fèi)電子 雜志_技術(shù)長廊 存儲器 消費(fèi)電子
stt-mram介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條stt-mram!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對stt-mram的理解，并與今后在此搜索stt-mram的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對stt-mram的理解，并與今后在此搜索stt-mram的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
stt-mram相關(guān)帖子
stt-mram資料下載
stt-mram專欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473