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臺(tái)積電計(jì)劃建立首個(gè)歐洲設(shè)計(jì)中心瞄準(zhǔn)5納米車用MRAM
- TSMC 將在歐洲建立其第一個(gè)設(shè)計(jì)中心，并正在尋求汽車應(yīng)用內(nèi)存技術(shù)的重大飛躍。歐盟設(shè)計(jì)中心 （EUDC） 將設(shè)在慕尼黑，預(yù)計(jì)將專注于汽車，但也將支持工業(yè)應(yīng)用、人工智能 （AI）、電信和物聯(lián)網(wǎng) （IoT） 的芯片設(shè)計(jì)?？紤]到這一點(diǎn)，臺(tái)積電已對(duì)其 28nm 電阻式 RRAM 存儲(chǔ)器進(jìn)行了汽車應(yīng)用認(rèn)證，預(yù)計(jì) 12nm 版本將滿足同樣嚴(yán)格的汽車質(zhì)量要求，并計(jì)劃推出 6nm 版本。它還計(jì)劃推出 5nm MRAM 磁性存儲(chǔ)器。與 MRAM 一起，RRAM 是 16nm 以下工藝技術(shù)上閃存的關(guān)鍵替代品。臺(tái)積電的 22
- 關(guān)鍵字： 臺(tái)積電 5納米 MRAM
從閃存到MRAM：滿足現(xiàn)代FPGA配置的需求
- 在技術(shù)飛速發(fā)展的今天，新興的航空電子、關(guān)鍵基礎(chǔ)設(shè)施和汽車應(yīng)用正在重新定義人們對(duì)現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列（FPGA）的期望。FPGA之前主要依靠閃存來存儲(chǔ)配置位流。這種方法適用于許多主流FPGA配置應(yīng)用；然而，隨著技術(shù)的進(jìn)步以及對(duì)更高可靠性和性能的需求增加，人們需要更多樣化的配置存儲(chǔ)選項(xiàng)。這種轉(zhuǎn)變的催化劑在于應(yīng)用和行業(yè)的不同需求，它們目前正不斷突破FPGA應(yīng)用的極限，要求在數(shù)據(jù)完整性、系統(tǒng)耐用性和運(yùn)行效率等方面更進(jìn)一步?，F(xiàn)代應(yīng)用需要更先進(jìn)的功能1.更高的耐用性和可靠性：高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)和先進(jìn)的互連航空電子技術(shù)等應(yīng)用
- 關(guān)鍵字： 閃存 MRAM FPGA 萊迪思
IMEC，加碼MRAM
- 不只是 imec，當(dāng)下諸多研究機(jī)構(gòu)紛紛表示，看好 MRAM。
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鎧俠即將發(fā)布三大創(chuàng)新研究成果
- 自鎧俠官網(wǎng)獲悉，鎧俠（Kioxia）宣布其多項(xiàng)創(chuàng)新研究成果，將于今年12月7日至11日在美國(guó)舊金山舉行的IEEE國(guó)際電子器件大會(huì)（IEDM）上發(fā)表。聲明中稱，鎧俠旨在不斷創(chuàng)新以滿足未來計(jì)算和存儲(chǔ)系統(tǒng)的需求。此次發(fā)布包括以下三大創(chuàng)新技術(shù)：氧化物半導(dǎo)體通道晶體管DRAM（OCTRAM）：該技術(shù)由鎧俠聯(lián)合南亞科技共同開發(fā)，通過改進(jìn)制造工藝，開發(fā)出一種垂直晶體管，提高了電路集成度。OCTRAM技術(shù)有望大幅降低DRAM的功耗，使其在人工智能、5G通信等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。高容量交叉點(diǎn)MRAM（磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器
- 關(guān)鍵字： 鎧俠 存儲(chǔ)技術(shù) DRAM MRAM 3D堆疊
【供應(yīng)商亮點(diǎn)】Everspin與Lucid Motors攜手，將MRAM技術(shù)集成至Gravity SUV車型
- Source:Getty/kaptnal專注于磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（MRAM）解決方案的美國(guó)企業(yè)Everspin Technologies日前宣布將與Lucid Motors合作，在Lucid即將推出的Gravity電動(dòng)運(yùn)動(dòng)型多用途車中使用其PERSYST MRAM產(chǎn)品。Everspin旗下PERSYST產(chǎn)品線中的一款256Kb串行MRAM產(chǎn)品——MR25H256A，將被集成至Lucid的Gravity SUV車型中。Lucid之所以選擇Everspin的MR25H256A MRAM型號(hào)，是因?yàn)樗軌蛟谳^寬
- 關(guān)鍵字： Everspin Lucid Motors MRAM Gravity SUV車型
MRAM，新興的黑馬
- 1956 年，IBM 推出世界上第一個(gè)硬盤驅(qū)動(dòng)器——RAMAC 305，可以存儲(chǔ) 5MB 的數(shù)據(jù)，傳輸速度為 10K/s。雖然這款硬盤體積巨大如同兩臺(tái)冰箱，重量超過一噸，但是卻標(biāo)志著磁盤存儲(chǔ)時(shí)代的開始。此后，隨著科技的進(jìn)步，內(nèi)存技術(shù)逐漸發(fā)展。動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM），具有較快的讀寫速度，能夠滿足計(jì)算機(jī)系統(tǒng)在運(yùn)行過程中對(duì)數(shù)據(jù)的快速存取需求。固態(tài)硬盤（SSD）以其高速的讀寫性能、低功耗和抗震動(dòng)等優(yōu)點(diǎn)，逐漸取代傳統(tǒng)磁盤成為主流存儲(chǔ)設(shè)備之一。存儲(chǔ)技術(shù)仍舊在持續(xù)發(fā)展，近年來新型存儲(chǔ)技術(shù)如雨后春筍般涌現(xiàn)，諸如相
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生成式人工智能音頻快速發(fā)展：高信噪比MEMS麥克風(fēng)功不可沒
- 最新一代人工智能或?qū)㈤_啟新一輪科技革命，全面提升各種人機(jī)交互體驗(yàn)。人工智能日益融入人們的日常生活，在方方面面帶來深刻變化。基于人工智能的文本和圖像生成工具可以創(chuàng)建出令人難以置信的內(nèi)容。不僅如此，人工智能的觸角已從視覺和文字媒介，伸向語音轉(zhuǎn)文字（STT）和自然語言處理（NLP）等音頻應(yīng)用，展現(xiàn)出巨大潛力。然而，音頻應(yīng)用質(zhì)量大幅提高是否僅僅歸功于最新一代基于大語言模型的生成式人工智能？還是說硬件依然功不可沒？就拿高信噪比（SNR）微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）麥克風(fēng)來說，它為實(shí)現(xiàn)這種必將改變?nèi)藗內(nèi)粘Ｉ畹男沦|(zhì)人機(jī)交互
- 關(guān)鍵字： NLP STT SNR MEMS 麥克風(fēng)
臺(tái)積電新型存儲(chǔ)技術(shù)問世，功耗僅為同類技術(shù)的1%
- 臺(tái)積電利用其自身先進(jìn)的制程優(yōu)勢(shì)，正在積極推動(dòng)新型存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。
- 關(guān)鍵字： MRAM
MRAM：RAM和NAND再遇強(qiáng)敵
- M 是一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，通過磁致電阻的變化來表示二進(jìn)制中的 0 和 1，從而實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)。由于產(chǎn)品本身具備非易失性，讓其在斷電情況下依然可以保留數(shù)據(jù)信息，并擁有不遜色于 DRAM 內(nèi)存的容量密度和使用壽命，平均能耗也遠(yuǎn)低于 DRAM。被大廠看好的未來之星，非它莫屬。三星：新里程碑目前三星仍然是全球?qū)＠谝唬?002 年三星宣布研發(fā) MRAM，2005 年三星率先研究 STT-MRAM，但是此后的十年間，三星對(duì) MRAM 的研發(fā)一直不溫不火，成本和工藝的限制，讓三星的 MRAM 研發(fā)逐漸走向低調(diào)。20
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迷人的新型存儲(chǔ)
- 多年來，各大廠商多年來孜孜不倦地追求閃存更高層數(shù)和內(nèi)存更先進(jìn)制程。現(xiàn)代社會(huì)已經(jīng)進(jìn)入大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代——一方面，數(shù)據(jù)呈爆炸式增長(zhǎng)，芯片就必須需要具備巨大的計(jì)算能力 ；另一方面，依據(jù)傳統(tǒng)摩爾定律微縮的半導(dǎo)體技術(shù)所面臨的挑戰(zhàn)越來越大、需要的成本越來越高、實(shí)現(xiàn)的性能提高也趨于放緩。應(yīng)用材料公司金屬沉積產(chǎn)品事業(yè)部全球產(chǎn)品經(jīng)理周春明博士說：「DRAM、SRAM、NAND 這些傳統(tǒng)的存儲(chǔ)器，已經(jīng)有幾十年歷史了，它們還在一直在向前發(fā)展，不斷更新?lián)Q代，尺寸越來越小，成本越來越低，性能越來越強(qiáng)?！沟且呀?jīng)開始出現(xiàn)無法超越的
- 關(guān)鍵字： MRAM ReRAM PCRAM
尺寸最小+功耗最低，三星即將宣布MRAM重要突破
- 據(jù)外媒報(bào)道，三星電子即將在國(guó)際電子器件會(huì)議（IEDM）上報(bào)告其在新一代非易失性存儲(chǔ)器件領(lǐng)域的最新研究進(jìn)展。會(huì)議接收的資料顯示，三星研究人員在14nm FinFET邏輯工藝平臺(tái)上實(shí)現(xiàn)了磁性隧道結(jié)堆疊的磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)制造，據(jù)稱是目前世界上尺寸最小、功耗最低的非易失性存儲(chǔ)器。該團(tuán)隊(duì)采用三星28nm嵌入式MRAM，并將磁性隧道結(jié)擴(kuò)展到14nm FinFET邏輯工藝。三星研究人員將在12月召開的國(guó)際電子器件會(huì)議上就此進(jìn)行報(bào)告。論文中提到，該團(tuán)隊(duì)生產(chǎn)了一個(gè)獨(dú)立的存儲(chǔ)器，其寫入能量要求為每比特25pJ
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工業(yè)儲(chǔ)存技術(shù)再進(jìn)化 完美內(nèi)存MRAM現(xiàn)身
- 近年來，半導(dǎo)體先進(jìn)制程微縮趨勢(shì)帶動(dòng)下，加上AI人工智能、5G與AIoT等科技加速推進(jìn)，3C設(shè)備、智慧家電、智慧汽車、智能城市到國(guó)防航天等領(lǐng)域都可以應(yīng)用大量芯片記錄海量數(shù)據(jù)。內(nèi)存是所有微控制器嵌入式系統(tǒng)的主要組件，閃存（Flash）儲(chǔ)存技術(shù)早已成為工控設(shè)備的主流配備。近年來，半導(dǎo)體先進(jìn)制程微縮趨勢(shì)帶動(dòng)下，加上AI人工智能、5G與AIoT等科技加速推進(jìn)，3C設(shè)備、智慧家電、智慧汽車、智能城市到國(guó)防航天等領(lǐng)域都可以應(yīng)用大量芯片記錄海量數(shù)據(jù)。新一代嵌入式內(nèi)存具有小體積、大容量、高效能等特性，可以滿足龐大運(yùn)算需求，
- 關(guān)鍵字： 工業(yè)儲(chǔ)存 MRAM
一文讀懂｜三大新興存儲(chǔ)技術(shù)：MRAM、RRAM和PCRAM
- 在如此龐大的資料儲(chǔ)存、傳輸需求下，在DRAM、SRAM以及NAND Flash等傳統(tǒng)記憶體已逐漸無法負(fù)荷，且再加上傳統(tǒng)記憶體的制程微縮愈加困難的情況之下，驅(qū)使半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)向發(fā)展更高儲(chǔ)存效能、更低成本同時(shí)又可以朝制程微縮邁進(jìn)的新興記憶體。
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